• Title/Summary/Keyword: 센서특성

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Analysis of input parameters for the absolute radiometric calibration of KOMPSAT-2 MSC images (다목적실용위성 2호 MSC 영상의 절대복사보정을 위한 입력자료 특성 분석)

  • Chi, Jun-Hwa;Yoon, Jong-Suk;Lee, Kyu-Sung
    • Proceedings of the KSRS Conference
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    • 2007.03a
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    • pp.20-24
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    • 2007
  • 센서의 광학 해상력에 따라 센서에 도달하는 에너지의 앙은 영상의 화소값으로 변환되므로,이 관계는 위성 영상의 정량적인 광학적 특성을 이해하기 위한 바탕이 되며,영상의 질을 유지하기 위한 척도가 되기도 한다. 위성영상의 광학적 특성은 ON 값 을 실제 지표물의 반사에너지 값인 Radiance와 Reflectance로 의 변환을 통하여 추정할 수 있으며,이러한 과정을 절대복사보정(Absolute Radiometric Calibration) 이라고 한다. 절대복사보정 과정에서 센서에 도달하는 태양 에너지의 양을 추정하기 위하여 복사전달모델이 사용된다. 태양 에너지가 대기를 통과함에 따라 여러 가지 상호 작용이 일어나게 되므로 복사 전달모델을 사용하기 위해서는 다양한 입력 변수가 필요하게 된다. 이러한 입력 변수로는 지표물의 반사율, 대기자료,그리고 센서의 특성 등이 포함되며, 이 연구에서는 KOMPSAT-2 위성의 MSC 영상의 절대복사보정 과정에서 복사전달모델의 결과에 영향을 미치는 입력 변수의 특성을 살펴보고자 한다.

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Sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 Field Effect Transistor 센서에 관한 연구

  • Bae, Tae-Eon;Jo, Won-Ju
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.431.1-431.1
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    • 2014
  • 최근, 높은 캐리어 이동도와 유연성, 투명성의 우수한 전기적 기계적 특성을 갖는 그래핀에 관한 연구가 활발해지고 있으며 이를 기반으로 한 그래핀 field effect transistor (FET) 센서 응용 또한 관심이 커지고 있다. 작은 소자 크기, 견고한 구조, 빠른 응답속도와 CMOS 공정과의 호환성이 좋은 FET 기반의 센서의 감지 특성은 주로 전해질과 직접 접촉하는 게이트 절연체의 고유 특성에 의해 결정된다. 이러한 게이트 절연체는 일반적으로 스퍼터링, atomic layer deposition (ALD), plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) 등의 진공 방법에 의해 형성되며, 이 공정 기술은 고가의 장비, 긴 공정 시간과 높은 제조비용이 요구된다. 더욱이, 위의 방식들은 소자 제작 동안에 플라즈마 발생 또는 열처리를 필요로 하게 되며 이는 그래핀 기반의 소자의 제작에 있어 큰 손상을 발생시키게 된다. 이러한 이유로 인해, 그래핀 FET 센서의 게이트 절연체의 형성에 있어 진공 증착 기술은 적절하지 않다. 본 연구에서는, 진공 증착 기술의 문제점을 극복하기 위해 sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 FET 센서를 제작하였다. Sol-gel 방식은 적은 비용, 공정의 단순화, 높은 처리량 뿐 아니라 소자의 대면적화 제작에 유리하다는 장점을 가지며, 또한 게이트 절연체를 증착함에 있어서 플라즈마가 발생하지 않기 때문에 그래핀 FET 제작에 쉽게 적용될 수 있다. 특히, 게이트 절연체 중 Al2O3은 우수한 화학적 안정성과 감지 특성으로 인해 본 실험에 사용하였다. 결론적으로, sol-gel 방식을 통한 Al2O3 게이트 절연체를 갖는 그래핀 FET 센서는 우수한 전기적 특성과 감지 특성 측면에서 매우 전망적이다.

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VWOx 볼로미터 센서 박막의 특성 연구

  • Kim, Jin-Hyeok;Sin, Gwang-Su;Kim, Hyo-Jin;Go, Hang-Ju;Nam, Seong-Pil;Lee, Seong-Gap;Han, Myeong-Su
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.175-175
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    • 2011
  • 인체감지 적외선 센서로 사용되는 마이크로볼로미터 센서 감지재료인 $V_{2-x}W_xO_5$를 증착하고 단위소자를 제작하여 저항 및 센서성능을 측정 조사하였다. 감지재료는 $V_2O_5$에 W을 첨가하여 $V_{2-n}W_nO_5$ 타겟을 제작하였으며 RF sputtering 장비를 이용하여 $V_{1.85}W_{0.15}O_5$ 박막을 증착하였다. 증착온도 $400^{\circ}C$, $Ar/O_2$ 가스비율 50/20, 두께 200nm로 증착된 센서 재료의 특성을 조사한 결과 저항은 약 $20{\sim}70k{\Omega}$이었으며, TCR 값은 -3%/$^{\circ}C$ 이상으로 매우 우수한 박막특성을 얻었다. 볼로미터소자는 $40{\times}40{\sim}140{\times}140um^2$의 셀면적으로 설계하여 전극패턴과 습식식각공정으로 센서 구조체를 제작하였다. 소자의 성능평가는 검출기 측정장비를 이용하여 반응도 및 탐지도 특성을 조사하였다.

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다공성 나노 Pd 박막의 수소 검출 특성

  • No, Hui-Jun;Park, Jin-Seong;Kim, Hyeon-Jong;Kim, An-Na;Han, Min-A;Lee, Ho-Nyeon
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.84.1-84.1
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    • 2018
  • 현재 사용되고 있는 화석 연료는 고갈되고 있으며 지구온난화와 같은 환경오염을 일으키는 주원인으로 이를 대체하는 에너지원으로서 수소가 주목받고 있다. 그러나 수소는 상온 및 대기압에서 4 %의 낮은 LEL (lower explosive limit)을 가지므로 높은 인화성과 폭발성을 가진다. 또한 무색, 무취한 성질을 가지고 있어 사람에 의해 검출되지 않는다. 그러므로 상온에서의 수소 농도를 정량화하고 검출하기 위한 방법이 필요하다. 수소를 검출하기 위한 수소센서에는 저항, 촉매, 광학, 일함수 등을 이용한 센서들이 있으며 그 중 저항을 이용한 귀금속 기반 수소센서가 널리 알려져 있다. 팔라듐(Pd), 백금 (Pt)와 같은 귀금속 기반 수소센서는 높은 수소 용해도 및 확산으로 인해 수소에 우수한 선택성을 가진다. 특히 Pd는 흡착에 대한 친화성이 매우 우수하다. 팔라듐에 수소가 노출되면, 수소가 Pd 격자로 확산되어 Pd-hydride를 형성시켜 부피가 팽창되고 저항이 변한다. 이러한 특성을 바탕으로 팔라듐의 저항 변화를 기반으로 한 수소센서의 개발이 진행되고 있다. 본 연구에서는 물리기상증착 (PVD)을 이용하여 다양한 다공성 나노 Pd 박막을 가지는 수소센서를 제작하였으며, 수소 농도에 따른 실온에서의 수소 검출 특성을 관찰하였다. 제작된 다공성 나노 Pd 박막의 특성은 SEM, TEM 및 XRD를 통하여 확인하였다. 다공성 나노 Pd 박막이 수소에 노출 되었을 때 전자 산란 및 접촉 면적의 증가에 따른 저항의 변화를 확인하였다.

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The Change of $NO_{2}$ Sensing Characteristics for Carbon Nanotubes with Growth and Post Treatment Conditions (탄소 나노튜브의 성장 및 후처리 조건에 따른 이산화질소 감지특성의 변화)

  • Lee, R.Y.
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.13 no.4
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    • pp.65-70
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    • 2006
  • Carbon nanotubes (CNT) grown by chemical vapor deposition (CVD) and plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD), and followed by annealing at $400{\sim}500^{\circ}C$ were investigated for gas sensing under 1.5ppm $NO_{2}$ concentration at an operating temperature of $200^{\circ}C$. The electrical resistance of CNT sensor decreased with temperature, indicating a semiconductor type. The resistance of CNT sensor decreased with $NO_{2}$ adsorption. It was found that the sensitivity of sensor was affected by humidity and decreased under microwave irradiation for 3 minutes. The CNT sensor grown by PECVD had a higher sensitivity than that of CVD.

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Fabrication of $In_2O_3$-based oxide semiconductor thick film ozene gas sensor ($In_2O_3$ 계 산화물 반도체형 후막 오존 가스센서의 제조)

  • 이규정
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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    • v.36T no.1
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    • pp.19-24
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    • 1999
  • $In_2O_3$-based thick films for the ozone detection of ppb range have been investigated. The $In_2O_3$ sensing layer is quite sensitive to ozone, but the saturated stable sensitivity cannot be obtained at the ozone exposure of 100 ppb for 5 min. The addition of $Fe_2O_3$ into $In_2O_3$ indicates some improvement in response time and sensitivity, but it seems the improvement is not good enough for real applications. Firing of $In_2O_3$:$Fe_2O_3$ powder induces remarkable improvement in response and recovery, although the sensitivity decrease. The sensing layer fired at $1300^{\circ}C$ and operated $550^{\circ}C$ shows excellent properties of fast response time, saturated stable sensitivity and rapid recovery characteristics to 100 ppb ozone exposure for 5 min. Especially, it shows the reproducibility of the sensor signal for repeated measurements and the linearity between the ozone concentration and the sensor resistance. The preliminary results clearly demonstrated that the sensor can be successfully applied for the ozone detection of ppb range.

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The H2 and H2S sensing characteristics of Pd and Pd-Rh gate MOS sensor (Pd 및 Pd-Rh 게이트 MOS센서의 수소 및 황화수소가스에 대한 검지특성)

  • Lee, Chang-Hee;Park, Chong-Ook
    • Transactions of the Korean hydrogen and new energy society
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    • v.8 no.4
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    • pp.145-154
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    • 1997
  • The $H_2$ and $H_2S$ sensing characteristics of Pd and Pd-Rh gate MOS sensor and the effect of Pd deposition condition on the hydrogen sensing performance of Pd gate MOS sensor was investigated. The increase of rf power and deposition temperature led to the decrease in the sensitivity and the initial response rate. The deposition temperature gave more effects on the decrease of the sensitivity and the initial response rate than the rf power. The sensitivity of Pd-Rh sensor gave better performance than pure Pd sensor. As the concentration of Rh in the gate increased, the sensitivity decreased. For Pd-Rh sensor, the sensitivity to $H_2$ was higher than that to $H_2S$. It was demonstrated that rf power, deposition temperature had an important role in the sensor performance.

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A Study on the Routing Protocols in Sensor Networks (센서 네트워크 환경에서 라우팅 프로토콜에 관한 연구)

  • 서유화;성수련;전진영;신용태
    • Proceedings of the Korean Information Science Society Conference
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    • 2004.10c
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    • pp.277-279
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    • 2004
  • 센서 네트워크는 정밀한 데이터를 생성하고 이동과 설치에 있어 자유롭기 때문에 미래의 네트워크 기술로 주옥 받고 있으며 다양한 응용분야에서 연구되고 있다. 본 논문에서는 환경적인 영향과 비용, 전력 소모에 대해서 민감한 센서 네트워크의 특성을 고려한 라우팅 프로토콜들을 그 특성에 따라 분류하고 앞으로 요구되는 센서 네트워크 라우팅 기술의 발전방향을 예측한다.

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Sensor characteristic comparison of long-period fiber gratings with respect to phase shift ratio (위상 변화 정도에 따른 장주기 격자의 센서 특성 비교)

  • Kim, Young-Min;Lee, Byoung-Ho
    • Proceedings of the KIEE Conference
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    • 2006.07c
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    • pp.1583-1584
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    • 2006
  • 본 논문에서는 광섬유에 여러 가지의 위상변화를 준 장주기 격자에 대한 센서 특성을 비교하여 분석하였다. 위상변화의 정도에 따라서 센서의 특징을 유효하게 할 수 있는지 비교하여 센서로서의 타당성을 가지는 위상변화 정도의 범위를 알아보았다. 장주기 격자는 아르곤 레이저를 이용하여 Point by point 방식으로 제작되었으며, 위상 변화를 주기 위해서 linear stage를 이용하였다.

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Analyses of Security for Sensor Networks with Cryptography and Its Limitations (센서 네트워크에서의 암호학적 보안 및 한계성 분석)

  • Kim, Jung Tae
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2014.10a
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    • pp.381-382
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    • 2014
  • 센서 네트워크은 기존의 인프라가 없는 네트워크 망을 연결한 구조를 가지고 있으며, 네트워크가 가변성을 가져 기존의 인프라 구조와는 차별적인 특성을 가진다. 사용되는 센서는 제한된 자원으로 인하여 사용할 자원이 제한되어 전통적인 보안 메카니즘을 사용하기는 보안성에 많은 문제점을 야기시킬 수 있다. 따라서 본 논문에서는 이러한 센서 네트워크의 인프라 구조하에서의 보안 서비스 요구사항과 현재까지 연구되어지는 기술적인 동향 및 특성을 분석하고자 한다.

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