일반적으로 Indium tin oxide (ITO)는 유기EL 소자 제작 공정에서 필수 불가결한 물질로 알려져 있다. ITO는 정공 수송의 기능을 하게 되는데 정공 주입의 효율을 향상시키기 위해서는 ITO 표면의 저 저항화와 ITO/유기박막 접합계면의 일함수 값의 적절한 균형이 중요하다. 그리고 현재 플라즈마를 이용한 ITO 기판의 세정은 산소 래디칼을 이용하여 표면을 산화하는 방식인 산소 플라즈마를 이용한 세정 방법이 널리 이용되고 있다. 본 연구에서는 ITO 표면의 탄소 오염물을 제거하여 저항특성을 향상시키기 위하여 원거리 산소와 수소 플라즈마 세정을 적용하였고, 그에 따른 탄소를 포함하는 오염물의 제거 효율과 산소와 수소 플라즈마로 처리된 ITO 표면의 특징을 기술하였다. 실험에 사용된 플라즈마 소스는 radio-frequency(RF) 플라즈마이고, 원거리 플라즈마 세정 시스템과 표면 분석 장비인 X-ray photoelectron spectroscopy(XPS)가 in-situ로 연결되어 있는 진공장비로 분석을 하였다 플라즈마 세정 전에 전처리 세정을 시행하지 알았으며, 세정 후 in-situ XPS에 의해서 화학 조성 및 결합 구조의 변화를 분석하였다. 또한 일함수와 면저항 값을 측정하고 그에 따른 표면의 저항 특성 및 표면 전위에 관하여 세정 효율과 연관지어 해석하였다. 원거리 산소/수소 플라즈마 세정 후 ITO 표면의 탄소오염물이 검출한계 이하로 효과적으로 제거된 것을 in-situ XPS 분석 결과로 확인하였고, 플라즈마 처리 순서 및 플라즈마 파워를 변화하여 그에 따른 표면의 결합 상태 및 화학 조성의 변화를 비교 분석하였다.
본 연구는 nano-level 디바이스 제조를 위한 새로운 금속 전극인 W 과 Ti metal 표면 세정에 관한 연구이다. 기존 $SC-1(NH_4OH/H_2O_2/H_2O)$ 세정 용액에서 산화제 ($H_2O_2$)를 사용하지 않는 dilute $NH_4$OH 세정은 전극 사이 절연막 표면의 particle 제거가 가능하면서 노출된 metal 막의 세정 damage를 최소화 시키는 것을 확인했다. SC-1 용액 내에 산화제 미 첨가 효과는, metal 막의 식각 현상을 억제시키고, 절연막 표면의 particle 제거 효과에 영향을 미치지 않는 것으로 판단된다. 이러한 방법은 short time 공정이 필요한 관계로, spin type wet 장비 채택으로 세정 효과의 극대화를 얻을 수 있을 것으로 판단된다.
반도체에 대한 수요가 늘어남에 따라 반도체 칩 생산을 위한 웨이퍼 공정 및 평판 디스플레이 제조 공정에서 수백~수십 나노 단위 크기의 트랜지스터, 커패시터 등의 회로소자 제조를 요구하고 있다. 이에 따라 반도체 공정의 미세화가 10nm 이하까지 다다랐고 이로 인해 수율과 신뢰성 측면에서 파티클, 금속입자, 잔류이온 등 진공챔버 내부의 오염원 제거 중요성이 점점 증가하고 있다. 이러한 오염원 제거를 위해서 과거에는 진공 챔버를 개방하여 액상물질로 주기적인 세정을 하였으나 2000년대 초반부터 생산성 향상을 위해 진공 상태에서 건식 세정하는 원격 플라즈마 발생장치(Remote Plasma Generator, RPG)를 개발하여 공정에 적용 해 왔다. 건식 세정을 위해서 화학적 반응성이 높은 고밀도의 라디칼이 필요하고 이를 위해 플라즈마를 이용하여 라디칼을 생성한다. RPG는 안테나 형태의 기존 유도 결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma, ICP) 방식에 자성코어(Ferrite Core)를 추가함으로써 고밀도 플라즈마 생성이 가능하다. 본 세션에서는 이러한 건식세정과 관련된 플라즈마 기술 소개, 플라즈마 발생장치의 종류 및 효과적인 건식 세정을 위한 원격 플라즈마 발생장치를 소개하고자 한다.
본 연구는 고품질의 천일염을 생산하기 위한 세정조건을 구명하기 위해서 수행되었다. 세정시 수율의 감소를 방지하기 위해서 세정수의 염도는 5 %로 설정하였고, 온도조건은 5, 10, 17.5, 20 ℃로 총 4가지 수준이었다. 세정 실험 후 수분, 염도, 불용분, 사분의 함량을 측정하였다. Color 특성으로는 L*[lightness], a*[redness], b*[yellowness]값을 측정하였고, 최종적으로 수율을 측정하였다. 세정 후 천일염의 수분은 세정수의 온도가 10 ℃이상의 범위에서 증가하는 경향을 나타내었다. 염도와 수율은 세정수의 온도가 높을수록 감소하였고, 불용분의 함량은 세정수의 온도가 낮을수록 감소하는 것으로 나타났다. 사분의 함량은 세정수의 온도가 5 ℃인 경우 0.67 %이었고, 더 높은 온도에서는 0.57 %로 감소하였다. 색도중 b*값의 경우에는 세정수의 온도가 높을수록 높게 나타났으며, 이는 표면품질 저하의 원인으로 판단되었다. 따라서, 품질 저하와 수율의 감소를 최소화하는 세정수의 온도는 10 ℃이상이 적합한 것으로 나타났다. 향후 세정 후 건조조건 구명을 위한 실험을 수행하여 최적의 고품질 생산 공정의 설계인자를 도출할 수 있을 것으로 기대된다.
본 연구에서는 중고 디지털 레이저 복합기의 재제조 과정에 초음파세정공정을 도입하기 위하여 예비실험을 통하여 여러 가지 세정제의 세정성을 평가하고 초음파 세정공정의 공정 변수를 변화시키며 최적의 세정제와 공정변수를 도출하였다. 우선 기존에 현장에서 사용되어 지고 있던 세정제보다 세정효율이 뛰어나고 사용하기 좋은 제품을 찾고자 기존 세정제 (A)와 시판되고 있는 7종의 세정제(B~H)를 선정하여 육안판정법을 이용한 오염물질(유성오일, 토너가루, 구두약)에 대한 세정성 평가를 수행하였다. 또한 선별과정으로 물성 명가 및 거품성 실험을 진행하였다. 각 오염물질에 대한 세정제의 세정성 평가에서 기존에 사용되어지던 A세정제보다 G세정제가 뛰어난 세정효율을 보여주었고, 거품성 평가에서 기존 세정제와 유사한 거품성을 나타내었다. 실제 오염된 레이저 복합기 부품들을 대상으로 예비실험에서 우수한 세정능력을 보여준 세정제를 사용하고 초음파 주파수와 세정시간을 변화시키며 최적 공정변수들을 도출하였다. 28 kHz의 초음파 세정을 이용하여 현장적용을 한 결과 G세정제가 A세정제보다 뛰어난 세정효율을 보여주어 디지털 레이저 복합기 재제조 과정에서의 세정제로서 G세정제가 적합하다고 판단되며 전체적인 재제조 공정의 생산성 및 경제성 향상이 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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