• Journal of Digital Contents Society
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• v.19 no.6
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• pp.1033-1041
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• 2018

This study presents an investigation into game patterns prominent in mobile games. The term "pattern" used in this study is inherited by the concept used in "A study for user experience of the game : based on the pattern type and the pattern type attribute of the game space" by Gwak E Sac(2016). There is, however, a difference between them. While the previous study limited the gamers' experience patterns to "game spaces" in the use of "pattern," the present study expanded the scope of gamers' experience patterns to the "mobile game market." Although the mobile game market is growing rapidly, there is a tendency of uniformity in mobile games due to the reduction of development time and the destruction of genres in the development of mobile games. Recognizing this situation, the investigator summarized experience patterns in the current mobile game market into: repeat familiar game play, valuable game action, value and consumption of time and preference and selection of game.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.170-170
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• 2010

a-plane 혹은 m-plane면을 사용하는 무분극 GaN LED는 c축 방향으로 발생하는 분극의 영향을 받지 않기 때문에 분극 GaN LED에 비해 높은 내부 양자효율을 가진다. 또한 무분극 GaN는 상대적으로 고농도의 p-type 도핑이 가능하기 때문에 광효율을 높일 수 있다. 하지만 이와 같은 장점에도 불구하고 무분극 GaN는 성장모드의 비대칭으로 인해 높은 결정성과 mirror-like한 표면을 얻기가 힘들다. 본 논문에서는 Metalorganic chemical-vapor deposition (MOCVD) 장비를 사용하여 r-plane 사파이어 기판위에 a-plane GaN을 성장시켰다. 일반적으로 사용하는 저온에서의 nucleation layer 성장 대신 $1050^{\circ}$의 고온에서 성장 시킨후 일반적으로 사용하는 two-step 성장방법으로 그위에 5.5um정도의 GaN을 성장시켰다. 성장시 Trimethylgallium(TMGa)와 암모니아를 각각 Ga과 N 소스로 이용하였고 캐리어 가스는 수소를 사용하였다. 비대칭 결정성을 줄이기 위해 3D island growth mode에서의 성장조건을 바꾸어 c축과 m축 방향으로의 X-ray 결정성(FWHM) 차이가 564 arcsec에서 206 arcsec로 변화 시켰다. Normarski 현미경으로 표면을 관찰한 결과 v-defect이 없고 a-plane GaN에서 볼 수 있는 전형적인 줄무늬 패턴을 가지는 표면을 얻었으며 광학적 특성을 보기 위해 Photoluminescence (PL)을 측정하였다.

• Proceedings of the Korean Society of Precision Engineering Conference
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• 2004.05a
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• pp.157-157
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• 2004

최근 탄소나노튜브는 역학적으로 견고하고 화학적 안정성이 뛰어나며 열전도도가 높고 속이 비어 있다는 특성 때문에 다양한 분야에 응용될 수 있을 뿐만 아니라 기능 또한 뛰어나다. 특히 구조적으로 매우 큰 aspect ratio를 가지고 있기 때문에 탄소나노튜브는 국소적으로 상당한 전계 증가를 보이고 비교적 낮은 전압에서도 다량의 전계방출 전류를 생성하는 특징을 가지고 있다 그래서, 탄소나노튜브를 전계 방출원으로 사용하기 위해서는 균일하게 수직 배열된 탄소나노튜브를 성장시키는 기술을 요구한다.(중략)

• 월간 기계설비
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• s.243
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• pp.70-75
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• 2010

격심한 세계적 사회환경의 변화는 모든 산업분야에서 기존의 패턴을 탈피해 새로운 패러다임으로의 전환을 요구하고 있다. 이제는 이를 어느 정도 충실히 반영해 혁신을 이룰 수 있는가가 국가의 흥망을 좌우하는 중요한 요체가 되었다. 건설 기술의 R&D 분야는 최근의 화두인 친환경녹색성장에 관한 기술경쟁력 강화를 위해 혁신적인 연구 성과물을 내놓고 있다. 본지는 이번호에 '녹색성장의 Early Mover'라는 미션을 수립하고 친환경 녹색기술을 지속적으로 개발해오고 있는 코오롱건설기술연구소의 미래기획팀의 연구 개발 현황을 소개한다.

• Smart Media Journal
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• v.5 no.4
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• pp.75-82
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• 2016

Although Korea's economic and domestic automobile market through the change of road environment are growth, the traffic accident rate has also increased, and the casualties is at a serious level. For this reason, the government is establishing and promoting policies to open traffic accident data and solve problems. In this paper, describe the method of predicting traffic accidents by eliminating the class imbalance using the traffic accident data and constructing the Hybrid Model. Using the original traffic accident data and the sampled data as learning data which use FP-Growth algorithm it learn patterns associated with traffic accident injury severity. Accordingly, In this paper purpose a method for predicting the severity of a victim of a traffic accident by analyzing the association patterns of two learning data, we can extract the same related patterns, when a decision tree and multinomial logistic regression analysis are performed, a hybrid model is constructed by assigning weights to related attributes.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.39-39
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• 2011

반도체 생산의 주요 공정 중 하나인 세정 공정은 공정 중 발생하는 여러 가지 부산물에 의한오염을 효과적으로 제거하여 수율 향상에 큰 영향을 미친다. 현재 주로 쓰이는 세정 공정은 습식 세정 공정으로 화학 약품을 이용하지만 패턴 손상 및 웨이퍼 대구경화에 따른 문제 등이 대두되어 이를 대체할 세정 공정의 도입이 요구되고 있다. 이에 따라 건식 세정에 대한 관심이 증가하고 있으며 에어로졸 세정이 대표적 공정으로 개발 되었으나 마이크로 단위의 발생 에어로졸 입경으로 인해 패턴 손상 문제를 해결하지 못하였다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여 응축에 의해 형성되는 입자 크기를 줄이는 것에 관한 연구가 진행되어 왔고, 대응 방안으로 개발된 것이 가스 클러스터 세정이다. 가스 클러스터란 작동 기체의 분자가 수십, 수백 개 뭉쳐있는 형태 (cluster)를 뜻하며 이 때 형성된 클러스터는 수 nm 크기를 가진다. 그리고 짧은 시간의 응축에 의해 수십 nm 크기까지 성장하게 된다. 즉, 입자로 성장할 수 있는 시간과 환경을 형성하지 않음으로써 작은 크기의 클러스터에 의해 패턴 사이의 오염물질을 물리적으로 제거하고 다시 기체상 물질로 환원되어 부산물을 남기지 않는 공정이다. 이러한 작동 환경을 조성하기 위해서는 진공도와 노즐 출구 속도에 대한 설계 단계부터의 이론적 연구를 통한 입자 크기 예측과 세정 조건에 따라서 발생하는 클러스터의 크기 분포 특성을 측정하는 것이 필수적이다. 따라서 본 연구에서는 실시간 저압 환경에서의 측정이 가능하며, 다양한 크기의 입자를 실시간으로 측정할 수 있는 particle beam mass spectrometer (PBMS)를 이용하여 세정 공정 중 발생하는 클러스터의 크기 분포를 측정하는 연구를 수행하였다. 클러스터의 측정은 노즐에 유입되는 유량과 냉매 온도를 변수로 하여 수행하였다. 각각의 조건에 따라서 최빈값은 오차범위 내에서 일정한 것을 확인하였으며, 50 nm 이하의 값으로 가스 클러스터 공정이 패턴 손상 없이 오염입자를 제거할 수 있음을 실험적으로 확인할 수 있었다. 또한 유량의 증가에 따라 세정에 사용되는 클러스터의 입경이 증가하며, 냉매 온도가 낮아질수록 클러스터 입경이 증가하는 경향을 확인할 수 있었다. 클러스터 크기는 오염 입자와의 충돌에 의해 작용하는 힘으로 오염입자를 제거하는 메커니즘을 사용하는 가스 클러스터 세정 장치에 있어 중요성이 크다 할 수 있으며 추후 지속적 연구에 의한 세정 기술의 최적화가 기대된다.

• Journal of the Korean Regional Science Association
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• v.39 no.2
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• pp.31-46
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• 2023

This study aims to analyze the spatial patterns of intellectual property across various regions through an in-depth analysis of intellectual property trends and their influential factors. While there's an overall upsurge in intellectual property applications in the Seoul metropolitan areas, a more detailed inspection reveals divergent patterns based on the type of intellectual property - with patent rights primarily increasing in certain non-Seoul areas and trademark rights seeing a rise predominantly within Seoul. Our findings also suggest that the growth in intellectual property applications correlates positively with improvements in public transportation accessibility, expansion of knowledge-based service industries, and a rise in large enterprises, although the relationships vary by intellectual property type. These results indicate the significant influence of geographical factors and industrial structures on knowledge-generation activities, thereby suggesting a need for region-specific policies to bolster these capacities.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.10 no.2
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• pp.100-104
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• 2000

Diamond film was deposited on Si substrate by using microwave plasma-enhanced chemical vapor deposition (MPECVD) system. After thinning the cross section between diamond film and Si substrate by ion milling method, we investigated its interface via transmission electron microscopy We could observe that the diamond film was grown either directly on Si substrate or via the interlayer between diamond film and Si substrate. Thickness of the interlayer was varied along the cross section. The interlayer might mainly composed of Sic andlor amorphous carbon. We could observe the well-developed electron diffraction pattern of both Si and diamond around the interface. Based on this result, we can conjecture the initial growth behavior of diamond film on Si substrate.

• Vending industry
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• v.7 no.1 s.19
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• pp.88-89
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• 2007

최근 베트남의 경제성장은 실로 눈부실 지경이다. 2000년 이후 연평균 7.6%의 성장률이 계속되고 있어 우리나라의 고도 성장기를 연상케 한다. 2007년 1월 150번째 WTO에 가입한 베트남은 마치 중국의 성공을 벤치마킹한 성장패턴을 보이고 있다. 충부한 자본과 노동력을 자원으로 고속성장을 해나가는 베트남 경제의 잠재력은 무궁무진하다 할 수 있다. 이런 베트남 시장에서 자판기 분야 역시 관심을 가질 만하다. 베트남 경제의 거침없는 성장은 자판기 산업의 높은 잠재 성장가능성 역시 예상케 한다. 특히 베트남의 경제인구의 60%이상이 30대 이하인 점은 감안한다면 자판기 문화가 빠른 시간 안에 형성 발전이 가능하다 할 수 있다. 게다가 베트남은 세계 2위의 커피수출 이다. 우리나라에서 가장 많이 인스턴트커피를 수입하는 나라가 베트남이며 자판기 커피에 쓰이는 원료의 대부분이 베트남 커피이다. 저기 커피시장을 꽉 잡고 있다 할 정도로 많은 생산수출을 진행하는 것이 베트남 커피 시장의 특징이다. 생산이 이처럼 많이 이루어지다 보니 자국내 커피음용 문화가 일상화되어 있다. 마치 물마시듯 커피를 마시는 문화가 형성되어 있다. 이런 점에서 본다면 커피자판기 분야의 큰 시장 확대의 여지 역시 크다 할 수 있다. 베트남의 자판기 시장 잠재력을 제대로 파악하기 위해서는 베트남 커피 산업의 현황과 문화를 제대로 아는 일이 중요하다. 국정홍보처 국정브리핑에서 제공한 '베트남에 가면 커피의 진실이 보인다'는 기사는 이런 니즈를 충족시키는데 있어 큰 도움이 된다. 자료 제공에 적극 협조를 해 준 국정홍보처 정책뉴스팀에 감사의 말씀을 전하며, 관련 기사 전문을 게재했다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.5 no.3
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• pp.199-205
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• 1996

InGaAs eqitaxial layers have been selectively grown on patterned GaAs(100) substrates by chemical beam epitaxy (CBE) using triethylgallium (TEGa), trimethylindium (TMIn), and unprecracked monoethylarsine (MEAs). Facet growth of InGaAs epilayers has also been investigated at the various growth temperatures and Si4N4 dielectric pattern directions. In [011] jirection of mask, the change from (311), (377) and (111) facets to (311) facet with increasing growth temperature was observed. In [011] direction, however, the change from (011) and (111) facets to (111) facet with increasing growth temperature was observed. These results are attributed to the sidewall growth caused by different surface migration lengths of reactants. The formation of U-shaped (100) top surface is also discussed in terms of dangling bond model.