Kim, Kyung-Su;Shim, Chun-Sik;Lee, Wook-Jae;Cho, Hyung-Min
Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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2002.05a
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pp.151-154
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2002
In this paper, the effect of the crack growth length on the plastic zone size at the crack tip and the crack growth lives of the DENT specimen under constant amplitude cyclic loading were studied. The plastic zone size was calculated by nonlinear static method in commercial finite element analysis program, MSC/NASTRAN and the crack growth lives were also calculated by using compliance function considering geometric shape in MSC/FATIGUE. The calculated plastic zone size increased proportional to the crack length. And comparison of calculated plastic zone size and crack growth lives with the experimental results shows a good agreement.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.371-371
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2013
사파이어 단결정 웨이퍼는 제조과정에서 결정 성장 조건 및 기계적 연마에 의하여 내부적인 결함이 발생할 수 있다. 사파이어 단결정은 일반적으로 LED용 기판 재료로 사용되며, 내부결함이 발생 시 기판 위의 GaN 등 layer의 결함도 함께 증가하므로 기판의 결함을 줄이는 과정이 중요한 이슈이다. 이 과정에 X-선 토포그래피는 단결정의 내부 결함을 모니터링 하는데 있어서 매우 유용한 방법이다. 이에 본 연구에서는 사파이어 단결정 웨이퍼에 내재하는 결함 형태를 X-선 Lang 토포그래피 방법(X-ray Lang Topography)으로 이미징하여 관찰, 분석하였다. Lang 토포그래피 방법은 X-선 투과법으로 넓은 부분을 우수한 강도와 분해능으로 내부 결함을 관찰할 수 있는 장점을 지니고 있다. X-선 source는 Mo $k{\alpha}$ 1을 사용하였으며, 시료는 c-plane 사파이어 웨이퍼를 사용하였다. 사파이어 웨이퍼의 (110), (102) 회절면의 X-선 토포그래피 이미지를 통해 전위 결함의 유형에 따른 이미지 패턴의 형성 메커니즘에 대해 연구하였고, 측정 회절면과 두께, 표면 데미지에 따른 전위 결함 이미지의 변화를 확인하였다. X-선 토포그래피 이미지를 통해 단결정 c-plane 사파이어 웨이퍼의 전위 결함의 형성 메카니즘 연구와 유형별 이미지와 회절면, 두께, 표면 데미지에 따른 이미지 변화 등을 확인하였다.
As urban growth continues, the earth ecosystem is increasingly dependent on the patterns of urban growth. The impact intensity from urban growth is expected to change predictably with distance from the urban center. However we can't fully understand yet how urban development pattern affects urban ecosystem. In researches about urban ecosystem, it is important to relate the spatial pattern of urbanization to ecological processes. So we used gradient analysis with time data; 1980's, 1990's and 2000's. We attempted to quantify the urban spatiotemporal impacts in Daejeon-city and Cheonan-city, Korea, along a 75km long and 3km wide transect. Through the results, we found the impacts range of urbanization with urban development process of two cities. When the urban growth was concentrated on in both cities, the impacts intensity and range were much stronger and wider. As a result, in urban planning or green space planning, we have to consider suitable urban development forms with surrounding areas, and make legal clauses which limits landuse change. This quantifying the urban gradient is an important step in understanding urban ecology.
지난 6월21일 94년도 건설진흥촉진대회 행사의 일환으로 우리 협회 등 12개 건설단체가 공동으로 주최한 $\ulcorner$건설산업 발전 대강연회$\lrcorner$에서 제1주제 $\ulcorner$세계경제의 환경변화와 한국의 진로$\lrcorner$ 에 대한 강연에서 김진현 한국경제신문 회장은 $\ulcorner$70년대 한국경제 성장을 뒷받침한 유일한 산업이라면 우리는 철저한 모방과 자기것의 보편화를 통한 1등이 되는 길을 가야한다$\lrcorner$ 면서 $\ulcorner$이에따라 기술집약형인 에너지 및 교통, 빌딩, 통신 등에 대한 관심을 건설업계는 가져야 한다$\lrcorner$ 고 강조했다. 또한 제2주제 $\ulcorner$개방화시대 건설산업 발전방향$\lrcorner$ 에 대한 강연에서 이남주 신화건설 회장은 $\ulcorner$국제 경쟁력을 높이기 위해 건설업체는 금융조달 능력을 제고하는 한편 선진국형 고부가가치 위주의 수주패턴으로 전환하여 기업체질을 강화하고 해외건설산업의 국제화 및 현지화를 촉진해야 한다$\lrcorner$ 고 강조한 다음 $\ulcorner$해외건설의 활성화를 위해 정부에서는 건설업에 대한 금융지원을 확대하고 대외거래규제를 완화해야하며 수출보험 확대와 해외근로자 면세점 인상 등 외교적 지원에 힘써야 한다$\lrcorner$ 고 주장했다. 끝으로 제3주제 $\ulcorner$건축설계의 국제 개방화 대책$\lrcorner$ 에 대한 강연에서 최찬환 서울시립대 교수는 $\ulcorner$건축설계개방에 대비 설계사무소의 전문화와 건축설계 체제의 확립과 디자인과 엔지니어링기술의 결합이 무엇보다 중요하다$\lrcorner$ 고 강조했다. 본지에서는 이날 발표된 주제중 최찬환 서울 시립대 교수의 $\ulcorner$건축설계의 국제 개방화 대책$\lrcorner$ 에 대한 내용을 전문 게재하기로 한다.
Korean Federation of Science and Technology Societies
The Science & Technology
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v.8
no.3
s.70
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pp.25-26
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1975
한국과학기술정보센터(KORSTIC, 소장 김두홍)는 1980년대 후반에 완전한 자립운영을 실현하기 위한 단계적 시도로 제 1 차 5개년사업계획(1976~1980)을 수립하였다. KORSTIC은 1962년 1월 유네스코 한국위원회에서 출발했고 1964년에는 문교부 산하 사단법인으로 발족되었다. 그후 1967년에 과학기술처 산하로 이관되었으며 재단법인으로 개편하게 되었다. 1969년 한국과학기술 정보센터 육성법의 제정공포로 현 청사(건평 1,548평)에 입사, 정보자료 입수와 자료장비를 갖추면서 1974년 7만여건의 정보자료를 제공해 오고 있다고 한다. KORSTIC 5개년 사업계획의 대요를 살펴보면 ①본 센터 특유의 정보 서어비스ㆍ패턴의 정립, ②대규모 데이터ㆍ뱅크의 설치ㆍ운영 및 ③장비, 자료, 인원확충과 청사증축 등 3대 실천과제를 설정하고 있다. 이 사업이 끝나는 80년대에는 현재의 KORSTIC의 예산상 자립도 20%를 50%선까지 끌어올린 수 있게 되며, 더 나아가 이를 기초한 사업의 계속적인 확장으로 1988년에는 100% 자립하고, 1989년부터는 적자운영을 할 수 있게 한다는 것이다. 이와 같은 계획이 성공적으로 완수되며 본 센터는 그 규모나 서어비스 내용에 있어 선진국 수준까지는 미치니 못할 것이나 개발도상국의 정보 센터로서는 좋은 표본이 될 수 있을 것 같다. 따라서, 직원훈련이나 장비확보 등에 있어서 특정국가나 UN 기구 등의 원조를 받는 수원기관의 입장을 탈피하고 개발도상국들을 지원하는 원조제공기관으로 성장하게 될 것이라 한다. 동 5개년 사업기간중에 추진될 3가지 주요 사업을 그 내용별로 살펴보면 다음과 같다.
Exploitation of equipment with cross linked polyethylene (XLPE) insulation requires its condition monitoring and diagnostic. Traditionally diagnostics of insulation is carried out by means of partial discharge detection. Many researchers have developed a lot of methods to identify the defect by the PD form. However, such identification of a defect, for example, void, inclusion or treeing, does not say about its danger from a point of view of full insulation gap breakdown and insulation construction failure. The information about the form and size of formed upon high voltage treeing is necessary for prediction of the remained resource of XLPE insulation. For this purpose we carry out experimental research for determination of the dependencies between PD characteristics in XLPE upon time and three dimension PD patterns of corresponding treeing. The investigations were carried out by means of electrical measurement of PD current and simultaneous optical recording of treeing image. Test results show that the PD patterns can be applied for detecting tree growth well.
Infinite failure NHPP models for a record value satisfies mode proposed in the literature exhibit either monotonic increasing or monotonic decreasing failure occurrence rates per fault. In this paper, propose comparative study of software reliability model using Erlang distribution, Rayleigh and Gumbel distribution. Equations to estimate the parameters using maximum likelihood estimation of infinite failure NHPP model based on failure data collected in the form of interfailure times are developed. For the sake of proposing distribution, we used to the special pattern. Analysis of failure data set using arithmetic and Laplace trend tests, goodness-of-fit test, bias tests is presented.
본 논문은 마이크로머시닝 기술을 이용하여 lift-off 공정으로 패턴닝 한 후 TMAH (Tetramethylammonium Hydroxide) 용액으로 $5{\sim}100{\mu}m$ 두께의 실리콘 다이어프램을 제작하였다. Pt/Ti 박막을 HF 전해질의 mask 물질로 사용하여 HF 용액 내에서 전기화학적 방법으로 정전압을 인가, 다이어프램 영역에 다공질 실리콘을 성장시켜 관통하였다. 140$^{\circ}C$의 질소 분위기에서 $10{\sim}15{\mu}m$두께의 LDPE(Low Density Poly Ethylene) 필름을 물리적으로 다이어프램 영역에 코팅하고 $K_2CO_3$ 용액내에서 ${CO_3}^{2-}$ 이온의 barrier에 의한 전류의 감소를 전기화학적인 분석방법에 의하여 측정하였다. 일정 전압하에서 이온 농도에 기인하는 다공질 실리콘과 LDPE 표면에서 Barrier의 두께에 따른 저항의 증가를 전극으로 감지하여 농도-전류의 특성을 측정하고 이것을 기준으로 하여 미지농도의 $K_2CO_3$ 용액내의 ${CO_3}^{2-}$ 이온 농도를 측정하였다.
We synthesized ZnO nanowires patterned on Si substrate and investigated the field emission properties of the nanowires. Firstly, Au catalyst layers were fabricated on Si substrate by photo-lithography and lift-off process. The diameter of Au pattern was $50\;{\mu}m$ and the pattern was arrayed as $4{\times}4$. ZnO nanowires were grown on the Au catalyst pattern by the aid of Au liquid phase. The orientation of the ZnO nanowires was vertical on the whole. Sufficient brightness was obtained when the electric field was $5.4\;V/{\mu}m$ and the emission current was $5\;mA/cm^2$. The threshold electric field was $5.4\;V/{\mu}m$ in the $4{\times}4$ array of ZnO nanowires, which is quite lower than that of the nanowires grown on the flat Si substrate. The lower threshold electric field of the patterned ZnO nanowires could be attributed to their vertical orientation of the ZnO nanowires.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.61-61
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1999
저항이 5$\Omega$-cm인 n-type Si(100) 웨이퍼를 실리콘 식각시 마스크로 사용하기 위하여 습식 열산화법을 이용하여 100$0^{\circ}C$에서 SiO2을 2400$\AA$ 성장시킨 후, OPCVD 공정을 통해 785$^{\circ}C$서 SiH2Cl2 가스 30sccm과 NH3가스 100sccm을 이용하여 Si3N4를 3000$\AA$ 증착시켰다. 이 웨이퍼를 포토-리쏘그라피 공정을 거쳐 지름 2$\mu\textrm{m}$의 포토레지스트 패턴을 제작한 후 600W의 RF power하에서 CF4 가스 10sccm, CHF3 가스 15sccm, O2가스 8sccm 및 Ar가스 10sccm을 이용하여 MERIE 방법으로 Si3N4를 식각한 다음, 7:1 BHF 용액내에서 30초간의 습식식각을 통해 40wt.%의 KOH 용액내에 8$0^{\circ}C$에서 30초간의 이방성 식각을 통해 피라미드 모양의 Si FEA(field emitter array)를 제작하였다. 본 실험은 다음과 같이 완성된 Si FEA를 샤프닝 산화 후 산화막 식각을 통해 마스크를 제거한 다음, tip의 열화학적 내구성을 증가시키고 장시간 구동시 안정성과 전계방출 전류밀도를 높이기 위해 tip의 표면에 Ti를 sputter 방법으로 약 300$\AA$ 증착시킨 후, RTA 장비를 이용하여 2단계 열처리 (first annealing:$600^{\circ}C$/30sec, second annealing : 85$0^{\circ}C$/15sec)를 통해 Si FEA의 경우보다 낮은 turn-on 전압과 높은 전계방출 특성을 나타낼 것으로 기대된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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