• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.35 no.5
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• pp.499-504
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• 1998

ZnO varistors having a composition of 98.0 mol% ZnO 1.0 mol% $Bi_2O_3$ 0.5 mol% $MnO_2$ were prepared by the Pechini process and the sintering behavior and electrical characteristics were studied. ZnO varis-색 powder with $1.5\mu\textrm{m}$ mean diameter and narow particle size distribution was obtained using the Pechni pro-cess. Typical intermediate stage grain growth of liquid phase sintering was observed by sintering at $1100^{\circ}C$ At this temperature ZnO varistors having uniform grain size and Bi-rich liquid phase distributed uniformly along grain boundaries were prepared. The nonlinear coefficients of the ZnO varistors were in the range of 40-60 The breakdown voltages of the varistors were nearly inversely propeortional to the grain size which reflects that ZnO varistors prepared by the Pechini process have uniform distribution of Bi-rich liquid phase along grain boundaries It is believed that the microstructures of ZnO varistors can be controlled effectively by using the Pechini process which makes the control of the electrical properties of ZnO varistors possible.

• Journal of Mushroom
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• v.2 no.1
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• pp.21-27
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• 2004

Distribution and in vitro growth characteristics of entomopathogenic Paecilomyces species were studied based on the specimens and isolates deposited in Entomopathogenic Fungal Culture Collection (EFCC), Kangwon National University, Chuncheon, Korea. Paecilomyces species were frequently collected from different mountains and valleys and were almost distributed uniformly. Collection period of Paecilomyces species ranged from July to September, with most of the collections at the end of September. P. tenuipes was mostly collected one among different Paecilomyces species. The optimum medium for mycelial growth of P. tenuipes was PDA, whereas in other media such as SDAY and HMA also produced similar growth. The optimum temperature and pH levels were $25^{\circ}C$ and 6.0~7.0, respectively. Best carbon and nitrogen sources were dextrose and tryptone, respectively, while $KH_2PO_4$ was the best mineral source for mycelial growth. Highest mycelial growth was observed when the C/N ratio was 20:1.

• Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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• v.53 no.5
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• pp.699-706
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• 2020

Predictive models in food microbiology are used for predicting microbial growth or death rates using mathematical and statistical tools considering the intrinsic and extrinsic factors of food. This study developed predictive growth models for Bacillus cereus on dried laver Pyropia pseudolinearis stored at different temperatures (5, 10, 15, 20, and 25℃). Primary models developed for specific growth rate (SGR), lag time (LT), and maximum population density (MPD) indicated a good fit (R²≥0.98) with the Gompertz equation. The SGR values were 0.03, 0.08, and 0.12, and the LT values were 12.64, 4.01, and 2.17 h, at the storage temperatures of 15, 20, and 25℃, respectively. Secondary models for the same parameters were determined via nonlinear regression as follows: SGR=0.0228-0.0069*T₁+0.0005*T₁²; LT=113.0685-9.6256*T₁+0.2079*T₁²; MPD=1.6630+0.4284*T₁-0.0080*T₁² (where T₁ is the storage temperature). The appropriateness of the secondary models was validated using statistical indices, such as mean squared error (MSE<0.01), bias factor (0.99≤B_f≤1.07), and accuracy factor (1.01≤A_f≤1.14). External validation was performed at three random temperatures, and the results were consistent with each other. Thus, these models may be useful for predicting the growth of B. cereus on dried laver.

• Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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• v.1 no.2
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• pp.37-42
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• 1996

The $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals were prepared by Czochralski method and the study of electrical and optical properties were carried out. The activation energy of the electrical conductivity was $E_g$=1.12 eV. The optical energy gap measured in the room temperature is found to be 2.3 eV. A.c. conductivity of crystal $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ was measured at temperatures from 290 K to 570 K in the frequency range from 50 kHz to 30 MHz. The a.c. conductivity is proportional to ${\omega}^s$. In view of this it should be hopping conduction mechanisms. At high frequencies, the power exponent was s=2. The low frequency dielectric constants were 54 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ and 41 for $Bi_{12}(Si,Ge)O_{20}$ single crystals.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.323-323
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• 2014

기존의 태양전지 기술은 기술 장벽이 매우 낮고 대량 생산을 통한 단가 절감하는 구조를 가지고 있어 대규모 자본을 가진 후발 기업에게 잠식되기 쉽다. 그러나, III-V족 화합물 반도체를 이용한 집광형 고효율 태양전지는 기술 장벽이 매우 높은 기술 집약 산업이므로 독자적인 기술을 확보하게 되면 독점적인 시장을 확보 할 수 있어 미래 고부가 가치 산업으로 적합하다. 특히 III-V족 화합물 반도체 태양전지는 III족 원소(In, Ga, Al)와 V족 원소(As, P)의 조합으로 0.3 eV~2.5 eV까지 밴드갭을 가지는 다양한 박막 제조가 가능하여 다양한 흡수 대역을 가지는 태양전지 제조가 가능하기 때문에 다중 접합 태양전지 제작이 가능하다. 또한 III-V 화합물 반도체는 고온 특성이 우수하여 온도 안정성 및 신뢰성이 우수하고, 또한 집광 시 효율이 상승하는 특성이 있어 고배율 집광형 태양광 발전 시스템에 가장 적합하다. Si 태양전지의 경우 100배 이하의 집광에서 사용하나, III-V 화합물 반도체 태양전지의 경우 500~1000배 정도의 고집광이 가능하다. 이러한 특성으로 III-V 화합물 반도체 태양전지 모듈 가격을 낮출 수 있고, 따라서 Si 태양전지 시스템과 비교하여 발전 단가 면에서 경쟁력을 확보할 수 있다. III-V 화합물 반도체는 다양한 밴드갭 에너지를 가지는 박막 제조가 용이하고, 직접천이(direct bandgap) 구조를 가지고 있어 실리콘에 비해 광 흡수율이 높다. 또한 터널정션(tunnel junction)을 이용하면 광학적 손실과 전기적 소실을 최소화 하면서 다양한 밴드갭을 가지는 태양전지를 직렬 연결이 가능하여 한 번의 박막 증착 공정으로 넓은 흡수대역을 가지며 효율이 높은 다중접합 태양전지 제작이 가능하다. 이에 걸맞게 본연구에서는 화학기상증착장치(MOCVD)를 이용하여 InAsP 나노선을 코어 쉘 구조로 성장하여 태양전지를 제작하였다. P-type Dopant로는 Disilane (Si2H6)을 전구체로 사용하였다. 또한 Benzocyclobutene (BCB) 폴리머를 이용하여 Dielectric을 형성하였고 Sputtering 방법으로 증착한 ZnO을 투명 전극으로 사용하여 나노선 끝부분과 실리콘 기판에 메탈 전극을 형성하였다. 이를 통해 제작한 태양전지는 솔라시뮬레이터로 측정했을때 최고 7%에 달하는 변환효율을 나타내었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.283.2-283.2
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• 2014

열필라멘트 화학증착공정(Hot Wire Chemical Vapor Deposition)에서 기상 에서 생성되는 하전된 실리콘 나노입자와 저온결정성 실리콘박막 증착의 연관성을 압력의 변화에 따른 상호비교를 통해 조사하였다. 필라멘트 온도는 $1800^{\circ}C$로 고정시키고 0.3~2 torr의 범위에서 공정 압력을 변화시키면서 증착하였다. 압력이 증가함에 따라 증착된 실리콘 박막의 결정화도는 증가하였으며, 증착속도는 감소하였다. 반응기 압력에 따른 기상에서 생성되는 나노입자의 크기분포의 변화를 조사하기 위하여 탄소막이 코팅된 투과전자현미경(Transmission Electron Microscopy) 그리드 위에 실리콘 나노입자를 포획하고 관찰하였다. 포획된 실리콘 나노입자의 크기분포와 개수농도는 압력이 증가함에 따라 감소하였다. 투과전자현미경을 이용하여 분석한 결과, 나노입자는 결정성 구조를 보였다. 압력이 증가함에 따라 나노입자의 크기가 감소하고 개수농도가 감소하는 것은 증착속도의 감소와 관련됨을 알 수 있다. 한편, 공정압력 증가에 따른 나노입자의 크기분포 및 개수농도 감소와 증착속도의 감소는 일반적으로 알려진 기상에서 석출하는 고상의 평형석출량(equilibrium amount of precipitation)이 압력의 증가함에 따라 증가한다는 사실과 일치하지 않는다. 이러한 압력경향성은 Si-H 시스템이 0.3~2 torr의 압력 영역에서 retrograde solubility를 갖는 것을 의미한다. 나노입자의 하전여부, 크기분포 및 개수농도를 측정하기 위하여 입자빔질량분석장비(Particle Beam Mass Spectroscopy)를 이용하였다. 그 결과, 실리콘 나노입자는 양 또는 음의 극성을 가진 하전된 상태임을 확인하였고, 투과전자현미경(TEM) grid에 포획한 실리콘 나노입자의 크기와 경향성이 일치하였다. 이는 나노입자가 저온의 기판에서 핵생성되어 성장하여 생성된 것이 아니라 열필라멘트 주위의 고온영역에서 생성된 것을 의미한다.

• Proceedings of the Korea Water Resources Association Conference
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• 2011.05a
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• pp.472-472
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• 2011

탁도는 물의 상대적인 흐림 정도를 나타내는 척도로서 이는 빛이 물을 통과할 때 산란시키는 부유고형물질 때문에 발생한다. 토양침식에 의하여 지표수로 유입된 토사와 광물질은 하천의 수송 및 퇴적 과정을 거치며 이동한다. 이때 하상 퇴적물은 바닥으로부터 먹이를 찾는 유기체에 의해 뒤섞이며 입자들은 일정기간동안 물의 흐름에 의해 부유상태로 남아 있게 되고, 유입되는 영양소와 빛에 의하여 성장하는 조류 또한 탁도를 증가시키는 원인이 된다. 이러한 부유물질의 증가는 수중에 태양복사에너지 전달을 방해하여 수중생태계의 먹이사슬과 저서생물의 서식환경에 많은 영향을 미치고, 수표면 온도 또한 태양으로부터 열을 흡수하는 표면 근처의 부유물질에 의해 증가하여 용존산소의 양에도 영향을 미친다. 따라서 수체내 분포하고 있는 부유물질의 종류와 양 및 공간적 분포 파악은 수질문제와 재난 예방 및 생물의 서식환경 문제를 파악하고 해결하는 데 매우 중요하다. 그러나 부유물질에 부착되어 있는 영양소, 금속, 살충제 등은 물 순환 시스템을 통하여 끊임없이 운반되고 상류유역의 흐름 조건에 따라 시공간적으로 변화하기 때문에 이를 규명하는 것이 매우 어려운 실정이다. 이러한 문제를 해결하기 위하여 광역적인 탁수환경의 분석방법으로 원격탐사(Remote Sensing, 이후 RS) 기법을 이용한 방법이 제안되고 있다. 이미 선진국에서는 광역수계의 수질관리를 위해 RS 기법을 이용하여 신속하고 정확한 수질상태 파악을 시도하고 있으며, 우리나라에서도 KOMPSAT 발사를 계기로 RS 관련 기술이 비약적으로 진화하고 있다. 그러나 RS 데이터를 활용하는데 필수적인 분광학적 특성 규명에 대한 연구는 대부분 식생과 토양에 한정되어 있으며 수체에 대한 연구는 현장조사의 어려움으로 인하여 상당히 제한적인 수준이다. 따라서 본 연구에서는 탁도의 변화에 따른 분광반사 특성을 휴대용 분광복사계를 이용하여 규명하고, 이를 Landsat 위성영상에 적용하여 새만금 유역을 대상으로 완공 직후인 2006년부터 2010년까지의 탁수환경을 모니터링 하였다. 그 결과 새만금 유역 탁수환경을 정성적으로 확인할 수 있었으며, 이를 이용하여 탁수환경 연구에 RS 기법이 효과적임을 제시하고자 한다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.2
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• pp.149-154
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• 1999

Alumina substrate was sealed by PbO-ZnO-$B_2O_3$glass using microwave heating. The crystallization behaviour of sealing glass and the state of sealing joint were investigated and were compared with those of conventionally sealed one. Compared to the conventional one, the microwave heat-treated sample had well-grown $\textrm{PbTiO}_3$ crystals and high degree of crystallinity even though it had shorter heat-treatment time and lower heat-treatment temperature. Also, the microwave sealed sample exhibited relatively a good sealing state and almost same bending strength.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.5 no.7
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• pp.816-819
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• 1995

(Ba$_{1-x}$ , Sr$_{x}$)TiO/$_3$thin films on Pt/Ti/SiO$_2$/Si substrates were prepared by LP MOCVD(Low Pressure Metal-Organic Chemical Vapor Deposition). The crystalinity of BST deposit had a (100) preferred orientation with increasing deposition temperature due to surface diffusion. BST films deposited at 90$0^{\circ}C$ showed a dielectric constant of 365 and a dissipation factor of 0.052 at a frequency of 100kHz. The chance of capacitance of the films with applied voltage was small, showing paraelectric properties. BST film deposited at 90$0^{\circ}C$ had a charge storage density of 60 fc/${\mu}{\textrm}{m}$$^2$at a field of 0.2MV/cm and the leakage current density of 20 nA/$\textrm{cm}^2$ at a field of 0.15 MV/cm.cm.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2013.05a
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• pp.772-775
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• 2013

We have grown a p-GaN film on sapphire by MOCVD and explored the post-annealing effort on the film after depositing a $2500{\AA}$ thick $SiO_2$ protective layer on it. By etching the $SiO_2$ protective film after the heat treatment, the hole concentration was measured, and compared with the data values before the heat treatment. In addition to the concentration, the hole mobility was also monitored while varying the atmospheric gas ratio of $N_2$ and $O_2$, the rapid thermal annealing temperatures ($750^{\circ}C$ and $650^{\circ}C$) and times (1 to 15 min.) In order to investigate the optical and structural properties of the film, room temperature and low temperature PL measurements were conducted.