• 한국방재학회:학술대회논문집
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• 2011.02a
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• pp.189-189
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• 2011

최근 공동주택은 보편적인 도시주거 유형으로 자리매김 하고 있지만, 성장 위주의 경제 산업 정책에 따른 안전의식미약, 사회구조개편에 따른 급격한 증가, 생활환경 변화와 에너지 사용 증가 등 화재 유발인자의 다양화로 인해 인적 물적 피해가 증가하고 있는 실정이다. 특히 다른 건물들과는 달리 공동주택의 거주자가 유아, 노인, 신체장애자 등 다양한 인적 구성의 형태로 이루어져 있어서 화재 발생 건수에 비해 인명피해가 월등히 높은 편이다. 공동주택에서의 화재에 대한 위험성을 인식하고, 그에 대한 인적 물적 피해를 최소화하기 위한 대책 마련이 시급하다. 본 논문은 CFAST(Consolidated Model of Fire Growth and Smoke Transport)를 사용하여 공동주택을 대상으로 실물 화재 실험을 실시하고 공간화재에서의 화재 성상을 파악하여 화재 시 개구부의 개폐 여부에 따라 발생되는 산소와 이산화탄소의 농도와 온도가 인체에 미치는 영향에 대해 알아본다. 개구부를 개방 했을 경우에 외부창문의 개폐 여부에 상관없이 모든 방의 온도 분포가 뚜렷하게 나타났지만 개구부를 폐쇄 할 경우에는 발화지점인 거실의 온도 분포만 나타났다. Flashover현상과 Back Draft현상은 개구부의 개폐여부에 상관없이 외부 창문을 폐쇄 했을 경우에 나타났지만 특히 모든 개구부와 외부창문을 폐쇄 했을 경우에 더욱 뚜렷하게 나타났다. 각 실은 점화 후 4분경에 최고 온도를 보였으며 다른 방에 비해 발화지점인 거실의 온도가 가장 높게 나타났다. 온도에 의해서는 두 가지 영향이 일어날 수 있는데, 하나는 비교적 장시간에 걸쳐 발생하는 열응력이고, 다른 하나는 짧은 시간에 발생할 수 있는 화상이다. 만약 피부온도가 $45^{\circ}C$에 이르면 인체는 고통을 느끼게 되며, 이보다 더 높은 온도에서는 깊은 피부조직까지 손상을 줄 수 있다. 움직이지 않는 사람에 대한 고통 유발 임계온도는 약 $200^{\circ}C$이며, 인체는 땀의 발산으로 온도에 대한 내성이 증가하지만 이체가 장시간 열을 받으면 사망에 이를 수 있다. 결론적으로 공동 주택을 대상으로 CFAST를 이용해 분석한 결과 플래쉬오버 현상으로 인해 화재가 성장하여 급격히 온도가 상승하다가, 산소 부족으로 인해 화재가 성장하지 않고 온도가 떨어지는 것을 알 수 있다. 화재 시 온도, 산소, 이산화탄소를 고려하였을 때 약 3분 이내에 대피해야 온도 및 가스로 인한 피해를 줄일 수 있을 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.14 no.4
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• pp.140-144
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• 2004

CdTe thin films were grown on GaAs (100) substrates by hot wall epitaxy method. From the XRD measurements, it was found that CdTe/GaAs (100) film was grown as a single crystals with the different from growth plane of (III), and growth rate of CdTe thin films was found to be 30 $\AA/sec$ by SEM. To acquire a high quality CdTe thin film, the optimum temperature for the source and substrate are found to be $500^{\circ}C$ and $320^{\circ}C$, respectively, which was checked by PL.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.2
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• pp.189-193
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• 1995

$YBa_2Cu_3O_{7-y}$ 박막을 c축 방향으로 성장시키는데 고압 스퍼터링 방법이 저압 스퍼터링 방법에 비해 효과적인 것으로 알려져 있다. 우리는 500mtorr의 고압 스퍼터링 방법을 사용하여 $YBa_2Cu_3O_{7-y}$ 박막을 $\alpha$축으로 성장시키는 연구를 수행하였다. 저압 스퍼터링 방법을 사용할 때보다 낮은 기판온도에 $\alpha$축 방향 성장이 이루어지며, 저압 스퍼터링 성장의 경우와는 달리 산소분압의 크기에 따라 성장 방향이 달라지지 않음을 발견하였다. 성장된 박막은 기대와 달리 매우 낮은 초전도 전이온도와 열등한 구조적 특성표면 특성을 보였다.

• Journal of the Korean Data and Information Science Society
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• v.22 no.5
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• pp.903-910
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• 2011

The von Bertalanffy growth function (VBGF) is the result of the antagonistic effects of anabolism and cataboliem. However VGBF has limitations for describing the growth of continuous spawning fishes. In the present work, a new equation is proposed where the growth parameter Kis substituted by a function related to the sea surface temperature of spawning period. Examples for natural population of Pacific Anchovy are presented.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.6
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• pp.472-478
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• 1997

TMS(tetramethysilane, Si(CH$_{3}$)$_{4}$)를 이용하여 RTCVD(rapid thermal chemical vapor deposition)장치에서 Si(111) 기판 위에 $\beta$-SiC(111)를 성장시켰다. 실험변수로는 반응온도, TMS유량, 반응시간, H$_{2}$유량을 변화시켰으며, XRD, IR, SEM, RBS, TEM등을 이용하여 성장된 박막을 분석하였다. 성장된 박막은 crystallized Si, C또한 Si-H, C-H결합은 관찰할 수 없었으나 다결정이었다. TMS의 유량이 증가함에 따라, 성장온도가 감소함에 따라서 미려한 박막을 성장시킬 수 있었으며, 반응의 활성화에너지는 20kcal/molㆍK이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.33-38
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• 1994

-Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 CdTe(100)박막을 성장하였다. 박막을 성 장하는 동안 기판의 온도는 28$0^{\circ}C$ 증발원의 온도는 $430^{\circ}C$로 유지하였고 성장률은 $2mu$m/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe (100) 박막의 광 전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 8 에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 6 전이한 것이며 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5 x 10-4 ev/k.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.4
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• pp.322-329
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• 1997

ECR 마이크로 플라즈마 CVD법에 의하여 단결정 Si기판위에서 대면적에 걸쳐 방향성을 가진 다이아몬드박막을 성공적으로 성장시키고, 막 증착공정을 바이어스처리 단계와 성막단계의 2단계로 나누어 실시할 때 바이어스처리 단계에서 여러 공정 매개변수들이 다리아몬드 핵생성밀도에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. 기판온도$600^{\circ}C$, 압력 10Pa, 마이크로파 전력 3kW, 기판바이어스 +30V의 조건으로 바아어스 처리할 때, 핵생성에 대한 잠복기간은 5-6분이며, 핵생성이 완료되기 까지의 시간은 약 10분이다. 10분 이후에는 다이아몬드 결정이 아닌 비정질 탄소막이 일단 형성된다. 그러나 성장단계에서 이러한 비정질 탄소막은 에칭되어 제거되고 남아있는 다이다몬드 핵들이 다시 성장하게 된다. 또한 기판온도의 증가는 다이아몬드 막의 결정성을 높이고 핵생성 밀도를 증가시키는 데에 별로 효과가 없다. ECR플라즈마 CVD법에서 바이어스처리 테크닉을 사용하면, 더욱 효과적임을 확인하였다. 총유량 100 sccm의 CH$_{3}$OH(15%)/He(85%)계를 사용하여 가스압력 10Pa, 바이어스전압 +30V마이크로파 전력 3kW, 온도 $600^{\circ}C$의 조건하에서 40분간 바이어스처리한 다음 다이아몬드막을 성장시켰을 때 일시적으로나마 제한된 지역에서 완벽한 다이아몬드의 에피성장이 이루어졌음을 SEM으로 확인하였다. 이것은 Si기판상에서의 다이아몬드의 에피성장이 가능함을 시사하는 것이다. 그밖에 라만분광분석과 catodoluminescence 분석에 의한 다이아몬드의 결정질 조사결과와 산소방전 및 수소방전에 의한 챔버벽의 탄소오염효과 등에 관하여 토의하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.27 no.2
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• pp.65-69
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• 2017

AlN single crystal was thermally treated at 1600, 1700 and $1800^{\circ}C$ in the ambient pressure of under 100 torr. AlN single crystal was obtained by PVT (Physial Vapor Transport) method using by a facility having a growth part which was heated by RF (Radio Frequency) induction heating. The single crystal specimens surface was evaluated by optical microscope and it was recognized that their morphology was varied with the heat treatment temperature and a set ambient pressure. In this report, the optical microscopic results were reported. According to the increase of temperature the crystal surface was etched thermally. It was evaluated by appearance of small pits on the crystal surface.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.2
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• pp.185-190
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• 1997

The 6H-SiC single crystals were grown using a self-designed crystal grower by the sublimation method. The grown crystals were typically 30 mm in diameter and 10 mm in length. Optimum growth conditions were established as follows : the temperature of the raw material was $2150~2250^{\circ}C$, the temperature of the substrate was $1950~2050^{\circ}C$, the temperature difference between the raw material and substrate was about $200^{\circ}C$, growth pressure was 50~200 torr and growth rate was 300~700 $\mu\textrm{m}$/hr. Optical microscopy was used for observing the surface of the 6H-SiC single crystal grown and the phenomenological approach was performed on the formation mechanism of the defects in the 6H-SiC crystal. Especially, the micropipes in the as-grown surface were examined to determine the formation mechanisms of the micropipes.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.5 no.1
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• pp.50-59
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• 1995

Abstract 6 H - SiC single crystal was grown by sublimation growth system which was self - designed and manufactured. In order that the SiC source might be decomposited and sublimed and deposited on the 6H - seed substrate grown by Acheson method, the temperature gradient, the growth parameters of growth temperature and pressure were operately adjusted. So we could get the optimum temperature gradient inside of the crucible. The graphite crucible with SiC powder and thermal shield componants were purified at the elevated temperature by means of Ar purging process and the source baking, then it distributed to reduce the amount of the impurities come from those parts. It was recognized that the optimum growth temperature of the crucible was$2300~2400^{\circ}C$ at the Ar atmospheric pressure of 200~400 torr, and at that moment the growth rate was 500~1000 $\mu\textrm{m}$. And then, the as- grown crystal was cut with the wafer form, the evaluation about the crystal was carried out by XRD, the optical microscopic observation and FT IR spectrum measurement.