• 미생물학회지
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• 제25권4호
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• pp.353-359
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• 1987

균 성장속도가 tylosin 생합성에 미치는 영향을 조사하기 위하여, 여러 성장속도로 배양한 균체내에서 oxaloacetate 대사에 관여하는 효소들의 활성을 살펴보았다. 그 결과, 비 tylosin 생합성 속도($q_{p}$ )는 성장속도 $0.013h^{-1}$까지는 성장속도와 함께 증가하지만, 더 높은 성장속도에선 감소됨을 알 수 있었다. Citrate synthase, aspartate aminotransferase와 PEP carboxylase의 활성 및 합성은 $0.013h^{-1}$ 보다 낮은 성장속도에선 매우 낮게 나타났으며, 반면 methylmaionyl-CoA carboxyltransferase의 활성 및 합성은 tylosin 생합성과 마찬가지로 높은 성장속도에선 감소되었다. 따라서 tylosin 생합성은 균 성장속도에 의해 조절됨을 명백히 알 수 있었다.

• 한국결정학회지
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• 제3권1호
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• pp.23-30
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• 1992

단결정 a-SiC성장시 결정성장로의 감압속도가 결정 성장 속도, 결정성, 성장방향에 미치는 영향 을 고찰해 보기 위해서 승화법으로 (001)면 a-SiC 단결정 종자정위에 단결정 a-SiC를 성장시켰다. 결정성장 초기에는 성장로의 빠른 감압 속도에 따라 결정성장속도가 빨라지고 3C-SiC 다결정이 종자정위에 성장하였고, 감압속도를 느리게 한 경우에는 결정성장 속도가 느려지고 6H-SiC 단결정이 성장하였다. 초기에 단결정층이 성장하는 조건 하에서 2시간 성장후의 단면 성장 양상을 보면, 종자정 하단에서 발생하는 낙은 종자정의 연속적 인 승화 때문에 종자정과 초기의 단결정층이 소멸 되고, 종자정이 놓여있던 혹연 도가니의 바닥으로부터 연속적으로 다결정 층이 성장된 것이 관찰되었다. 그러나, 이러한 종자정의 승화 소멸은 초기 성장 후 냉각과정을 거치고 다시 승온시키는 두 단계 공정을 사용함으로써 효과적으로 억제시킬 수 있었다. 이와같은 방법으로 장시간 성장시킨 결정은 6H-HiC 단결정이었으며, (001) 방향으로 성장하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제2권2호
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• pp.1-1
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• 1992

YIG는 분해용융을 하므로 FZ법을 개량한 TSFZ법을 적용하여 YIG단결정을 성장시켰다. 최적성장조건은 성장속도 1mm/hr, 상호역방향 회전속도 30rpm이었으며 소결 및 결정성장시 산화분위기를 필요로 하였고 성장된 결정의 질은 소결정도에 의해 많은 영향을 받았다. Melt내 기포의 생성은 철이온과 산소와의 반응에 의해 발생되었으며 기포의 밀도는 성장속도가 빨라질수록 증가하였다. 성장속도는 1mm/hr 이상일 경우에는 Cell Growth가 발생하였으며 결정의 가장자리에서 전위밀도가 증가하였다. 또한 성장된 결정에서는 제2상으로 Orthoferrite가 관찰되었다.

• 한국세라믹학회지
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• 제37권11호
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• pp.1033-1038
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• 2000

알루미나의 소결시 외부압력이 알루미나의 입자성장에 미치는 영향을 sinter-HIP을 통해 고찰하였다. 알루미나 입자는 HIP 초기에 일정하게 빠른 속도로 성장하였으나 HIP 처리시간이 30분을 경과한 이후에는 완만한 속도로 성장하였다. 상압소결된 알루미나를 HIP 처리시 입자성장 속도지수는 상압소결시와 동일한 n=3을 나타내었으나 알루미나의 입자성장속도는 HIP 처리시의 외부 압력으로 인해 감소하였다. Sinter-HIP 소결시 순수 알루미나와 M햬가 첨가된 알루미나의 경우 계산된 속도상수 k는 대략적으로 각각 9.2×10/sup -20/ ㎥/s, 2.6×10/sup -21/ ㎥/s 이었다.

• 한국재료학회지
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• 제7권6호
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• pp.492-497
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• 1997

HVPE를 이용하여 sapphire기판 위에서 후막 GaN의 성장특성을 조사하였다. 성장온도가 100$0^{\circ}C$에서 110$0^{\circ}C$로 증가하여도 성장속도는 영향을 받지않고 50-60$\mu\textrm{m}$/hr의 성장속도를 나타내었으나 표면특성과 결정성은 향상되었다. 110$0^{\circ}C$에서 성장된 후막 GaN는 DCXRD측정결과 451arcsec의 반티폭을 나타내었으며, PL측정결과 10K에서 19meV의 반치폭을 나타내었다. Ga 공급원의 온도가 93$0^{\circ}C$에서 77$0^{\circ}C$로 감소하여도 성장속도는 영향을 받지 않았으나, 77$0^{\circ}C$의 온도에서 GaN의 결정성이 향상되었다. HCI의 양이 5sccm에서 20sccm으로 증가함에 따라 성장속도가 15$\mu\textrm{m}$/hr에서 60$\mu\textrm{m}$/hr으로 증가하였으며, 표면특성도 향상되었다.

• 폴리머
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• 제32권3호
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• pp.270-275
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• 2008

고무재료의 피로균열 성장특성은 고무제품의 강도와 내구성을 평가하는 매우 중요한 요소이다. 본 연구에서는 자체 제작한 피로균열 성장 측정기를 이용하여 충전제 종류에 따른 EPDM의 피로균열 성장특성을 고찰하였다. 피로균열성장은 진동수와 측정온도에 영향을 받았으며, 진동수가 증가함에 따라 균열성장속도는 감소하였고 온도가 증가함에 따라 균열성장속도는 증가하였다. 충전된 EPDM의 인열에너지와 균열성장속도의 상관관계는 지수법칙을 따랐으며, 충전제의 함량이 증가함에 따라 균열성장속도가 감소하였다. 또한, 실리카로 충전된 EPDM이 카본블랙으로 충전된 EPDM에 비해 더 우수한 피로저항 특성을 보였다. 실리카로 충전된 경우, 균열성장속도는 30 phr까지 감소하다가 그 이후 다시 증가하였다. 미충전 시편의 피로 파괴단면 SEM 사진에서 작고 유연한 파괴자국들이 관찰되었으며, 실리카가 충전된 시편의 단면에서는 보강효과로 인하여 인열 형태가 불규칙 적이고 비교적 거친 표면이 관찰되었다.

• 대한기계학회논문집
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• 제10권3호
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• pp.343-348
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• 1986

본 연구는 이와 같은 필요성에 의해 빛의 간섭현상을 이용하여 액체막이 부차 적인 유동을 일으키기 이전에 용착성장속도를 정량적으로 측정할 수 있었고, 터어빈 날개의 부식에 직접적으로 문제를 일으키는 황산나트륨과 황산칼륨의 용착성장속도를 측정하였다. 본 연구는 종래 액체막의 성장속도만을 빛의 간섭현상을 이용하여 측정 해오던 측정범위를 광원으로 사용된 레이저의 편광상태, 굴절율, 입사각등의 변화에 따른 간섭신호의 비교연구를 통해 고체상태막의 성장속도 및 막이 기화되어 증발되는 현상도 측정하였다. 따라서 증기상태의 무기염이 금속표면에 용착될 때 적용해온 Rosner의 이론을 실험결과와 비교할 수 있었고 응축된 상태로 증기에 표함되어 있는 경우와 이슬점(dew point:표면에 더 이상 용착이 일어나지 못하는 표면온도)의 해석에 보다 확장된 개념들을 도입할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제2권1호
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• pp.43-50
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• 1992

인상속도를 변수로 Czochralski법을 이용하여 $ LiNbO_3$결정들을 성장시켰다. 성장된 단결정에 균열, 기포, 셀 구조 등의 결함들이 관찰되었다. 균열들은 인상속도와 냉각속도에 매우 민감하였는데 6~7mm/h의 인상속도와 20^{circ}C/h의 냉각속도가 직경 15mm정도의 결정성장에 적당한 조건임을 알 수 있었다. 소자응용에 필요한 유전적 성질 및 광학적 성질 등을 알아보기 위하여 a축, c축방향에 따라 절삭된 시편을 온도를 변화시켜가며 측정하였다.

• 한국결정학회지
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• 제10권1호
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• pp.20-27
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• 1999

CaF2 단결정을 흑연도가니를 사용하여 He 분위기 하에서 탄만법으로 성장시켰다. 수화방지를 위해 PbF2를 출발물질에 도포하였다. 열구배에 따른 계면의 움직임인 성장속도는 배플판에 의해 성공적으로 조절되었다. 결정성장의 최적조건은 온도구배가 37℃/cm, 냉각속도가 10℃/hr 및 2.5tw% PbF2를 사용한 경우로, 성장속도는 약 3.2 mm/hr이었으며, 위로 볼록한 고액계면을 갖는 단결정이 성장되었다. IR분석 결과, 1500∼4000 cm-1(6.7∼2.5 ㎛)영역에서 약 96%의 투과도를 보였다. 결함밀도를 측정하기 위해, 성장축에 수직 및 수평으로 절단한 면을 농축 H2SO4에서 약 30분간 에칭하여 간섭현미경으로 관찰한 결과, 각각 3.4×104/cm2였다. 이러한 결과는 수화에 따른 성장된 단결정의 투명도의 경향과 일치하였다. 결정에 대한 XRD분석 결과 우선성장 방향은 <311>이었다.

• Clinical and Experimental Pediatrics
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• 제52권8호
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• pp.922-929
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• 2009

목 적 : 성장 장애는 영아 및 소아에서 성장 속도가 같은 성별, 연령 보다 현저히 작은 경우를 지칭하며 여러 가지 원인에 의해서 발생할 수 있다. 저신장을 주소로 내원한 환자 중 성장 장애를 보이지만 성장호르몬 자극검사가 정상인 환자들의 임상적 특성 및 성장호르몬 치료에 대한 반응을 알아보고자 하였다. 방 법 : 1990년 1월부터 2008년 6월까지 서울대학교 어린이병원 소아청소년과에 내원한 어린이 중에서 성장속도가 연간 4 cm 미만이면서, 2가지 서로 다른 약제로 성장호르몬 자극검사를 시행하였을 때 정상 소견을 보이는 환자를 대상으로 하였다. SGA군과 AGA군으로 나누어 임상적인 특성을 비교하였으며, 성장호르몬 투여군에 대한 분석을 시행하였다. 결 과 : 총 39명의 환자가 연구에 포함되었으며, 남자가 25명(64%), 여자 14명(36%)이었고, SGA군 11명(28%), AGA군 28명(72%), 성장호르몬 투여군 16명(41%), 비 투여군 23명(59%)이었다. SGA군과 AGA군 모두에서 골연령이 역연령에 비하여 지연되어 있었으나(P=0.028), 두 군간의 차이는 없었다. 모든 환자에서 성장호르몬 자극검사 후 성장호르몬의 최고 농도는 10 ng/mL 이상이었고, clonidine을 사용하였을 때 성장호르몬의 최고농도가 30.4 (6.2, 92.0) ng/mL로 다른 약제에 비하여 유의하게 높았다(P=0.03). 성장호르몬 치료받은 환자 16명의 1년간 성장 속도는 7.7 (4.9, 11.1) cm/yr, 치료 받지 않고 추적관찰 된 6명은 3.7 (2.7, 4.5) cm/yr으로 유의한 차이가 있었다(P<0.001). 또한 성장호르몬 투여군에서 치료 1년 동안 신장 SDS는 0.3 (-0.1, 0.9) 증가하였고(P<0.001), 성장 속도의 변화는 4.8 (2.1, 7.7) cm/yr로 의미있게 증가하였다(P<0.001). 성장호르몬으로 치료받은 환자 중, 치료 후 1년간 성장속도는 SGA군에서 7.1 (5.1, 8.5) cm/yr, AGA군에서 8.2 (4.9, 11.1) cm/yr로 두 군 모두에서 성장호르몬 사용 전 1년 간의 성장 속도보다는 유의하게 증가하였다. 성장호르몬 치료를 시작할 때의 신장의 SDS가 -3 이상인 군과 -3 미만인 군으로 나누어 분석해 보았을 때, 성장호르몬 자극검사시의 IGF-I 농도가 SDS가 -3 미만인 군에서 유의하게 낮게 측정되었다(P=0.023). 결 론 : 성장 속도가 연간 4 cm 미만으로 감소하였으나 성장호르몬 자극검사가 정상인 환자들이 단기간의 성장호르몬 투여로 성장 속도의 증가가 있었으나 이들에서의 장기적인 성장호르몬 효과에 대하여는 향후 더 추적관찰이 필요하다. 또한 이들에서 부분적 인 성장호르몬 저항성 증후군의 가능성이 있으므로, 추후 이러한 환자들을 대상으로 IGF-I 생성 검사를 포함한, GH-IGF-I 축에 대한 검사를 시행하여 성장 장애의 원인을 밝혀야 할 것이다.