Proceedings of the Korean Society of Soil and Groundwater Environment Conference
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1998.06a
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pp.12-16
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1998
최적 위치별 퇴적토에 대한 토양 특성 및 수목 식재용 유기토양 활용 가능성을 알아보고 각 시료의 수분, 유기물 함량 등에 따른 적절한 혼합을 통하여 식물 발아 성장의 최적화를 온실에서의 식물재배 실험을 통하여 달성하고자 한다. 또한 식재용 토양 활용 가능성을 알아보기 위한 기본 물성 및 유해성 평가를 하여 중금속이 식물 성장에 어떤 영향을 미치는가를 고려하여 재활용 여부를 알아보았다. 퇴적토를 이용한 식물의 발아 및 생장 실험은 원퇴적토와 모래와의 혼합비를 달리하고 다른 불순물이 함유되지 않도록 하여 발아일수와 발아적온, 생육적온 등 최적 조건을 팬지와 금잔화에 대하여 실험하였다.
Through 7-year experiment in Korean pine stand since 1975, the followings are obtained as the results of investigation in several characters: 1. In total volume, the highest value after 1980 was shown in the control plot, which was the second one for 4 years, 1975 to 1979. 2. In the increment ratios of height, diameter at breast height(D. B. H.), and individual volume, the plot with the intermittent period of 3 years showed the higher values than any other plot.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.21
no.2
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pp.75-81
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2011
Hydroxyapatite (HAP) crystals with hexagonal structure have been successfully synthesized by using EDTA(ethylene diamine tetraacetic acid) as chelate under hydrothermal condition. The as-prepared HAp powders were characterized by XRD and SEM. The XRD result indicated that the products were preferentially oriented along c-axis. The SEM photographs showed that the morphology of the HAp crystals was well controlled by the reaction parameters such as temperature, pH value, and the molar ratio of EDTA/Ca.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.185.1-185.1
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2015
본 연구에서는 라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법을 사용하여 증착 온도를 변화시켜면서 Eu 이온이 도핑된 MgMoO4 적색 형광체 박막을 사파이어 기판 상부에 성장하였다. 타겟은 고상반응법을 사용하여 직접 제작하였다. 형광체 박막의 구조, 표면, 광학적 특성은 X-선 회절장치, 주사전자현미경, 투과도 및 광여기발광 측정장치를 사용하여 측정하였다, 증착 온도는 100, 200, 300, $400^{\circ}C$이었으며, 증착 후 $870^{\circ}C$에서 열처리 공정을 실행하였다. 이와 더불어, $400^{\circ}C$에서 증착한 박막을 다양한 온도 $770-920^{\circ}C$에서 열처리를 수행하여 각각의 특성을 분석하였다. 증착 온도 $200^{\circ}C$에서 성장한 박막의 경우에 614 nm에 피크를 갖는 주 적색 발광 피크가 관측되었으며, 열처리 온도를 달리한 박막의 경우에는 $920^{\circ}C$에서 가장 강한 발광 피크가 나타났다. UV-VIS 분광광도계를 사용하여 박막의 투과도와 흡광도를 측정하였으며, Tauc의 모델을 사용하여 밴드갭 에너지를 계산하였다. 증착 온도 변화에 따라 성장된 박막의 투과도는 평균 82% 이상 이었으며 밴드갭 에너지는 4.1 eV이었다. 박막의 결정 구조는 단사정계임을 확인하였다. 특히, 결정 입자, 발광 피크의 세기와 투과도의 상관 관계를 조사하였다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.8
no.1
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pp.187-192
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1998
Generally the solidified microstructures of materials consist of the columnar and equiaxed dendritic regions, and many theoretical studies about columnar-to-equiaxed transition have been done because that is closely related to the mechanical and physical properties of products. In this study, the modified equation based on the Hunt's analytical columnar-to-equiaxed transition condition which was derived from heterogeneous nucleation and grain growth in front of the columnar dendrite tip under directional solidification, was obtained applying the growth-velocity-dependent distribution coefficient and liquidus slope to Hunt's. The effects of the number of nucleation sites, nucleation temperature, alloy composition, growth velocity and liquid temperature gradient on the transition for Al-Cu alloys have been investigated.
Using the soils containing several arbuscular mycorrhizae, the degrees of infection on the plant roots were measured with the different level of phosphate added on pot cultures. Infection on the plant roots was independent of the phosphate level for the roots of sorghum, but formation of arbuscular mycorrhizae in the roots was inversely related to the growth of soybean roots. It was concluded that infection of arbuscular mycorrhizae would be related to the phosphate level in the soils. Plants, themselves, were considered to control the infection of arbuscular mycorrhizae under the environments of soils, especially amount of phosphate.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.2
no.1
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pp.30-36
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1992
In order to measure the characteristics of Surface Acousitc Wave(SA W) with compositions of $LiNbO_3$ single crystal, $128^{\circ}$ Y cut wafer was fabricated from $LiNbO_3$ single crystals with the composition range of 47-50 $Li_2O$mol%. Delay lines were formed on the $128^{\circ}$ Y cut wafer using photolithography technique. Delay time was measured by pulse-echo overlap method. The compositional dependence of SAW characteristics, SAW velocity, electro-mechanical coupling coefficient$(K_s^2)$ and temperature coefficient of delay time(TCD), were investigated.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.13
no.6
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pp.279-283
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2003
In this study, ZnTe : S single crystal thin films substituted by sulfur were grown on GaAs (100) substrates by hot-wall epitaxy. The photoluminescence (PL) characteristics of ZnTe : S single crystal thin films was measured to investigate the effects due to sulfur atoms in the ZnTe layer. The Peak of 2.339 eV identified as the isoelectronic center was observed in low temperature PL spectrum, but PL spectra which the origin had not been well-explained were not observed. Temperature dependence of PL intensities of the light hole free exciton was explained by extrinsic self-trapping. Besides it is reported that the emission lines near absorption edge at room temperature were observed.
Toxic metabolites ('Toxins'), produced by Helminthosporium sativum causing leaf blotch in barley and root rot in barley and wheat were partially purified through C-18 column. The partially purified toxins appeared heat unstable and lipophilic. The responses of toxins to wheat and barley root corresponded with those to lettuce growth with the different concentrations. The determination of the concentration of toxins produced was developed using the dilution end-points. The equation [Y = a log X + b) was obtained from the semi-loggraphy with the linear analysis. The values 'a' and 'b' were discussed with the responses of several plants on the toxin produced by H. sativum.
SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 졸-겔 스핀코팅으로 $SrBi_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막을 도포하고 그 결정화 과정을 고온 X-선 회절분석 (HTXRD)으로 추적하면서 Pt(111)/Ti/ $SiO_2$/Si 위에 성장한 박막과 비교하였다. SrTi $O_3$(001) 단결정 기판 위에 도포된 $SrBi_2Nb_2O_{9}$ 박막은 fluorite-like phase와 같은 transient phase를 거치지 않고 곧바로 순수한 $SrBi_2Nb_2O_9$ 상으로 결정화가 시작되었으며 결정화가 시작되는 온도인 ${\sim}540^{\circ}C$부터 c축 배향성장하였다. 또한 $SrB i_2(Ta,Nb)_2O_9$ 박막은 Ta/Nb 비에 관계없이 $SrTiO_3$(001) 위에서 모두 $(00{\ell})$로 배향되었으며, 코팅 횟수가 늘어나 필름의 두께가 증가함에 따라 c축 배향성은 미세한 감소를 보였다. $SrBi_2Nb_2O_9/SrTiO_3$단면을 TEM으로 관찰한 결과 $SrBi_2Nb_2O_9$은 대체로 불규칙한 크기의 다결정체로 되어 있었으나 계면 부근에서는 [001]$_{SBN}$//[001]$_{SrTi}$$O_3$/, [100]$_{SBN}$//[100]$_{SrTi}$$O_3$/라는 결정학적 관계를 가지며 에피탁샬 성장했음을 알 수 있었다.있었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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