• Korean Journal of Cleft Lip And Palate
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• v.7 no.2
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• pp.93-106
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• 2004

본 연구의 목적은 편측성 구순구개열 (UCLP) 환자에서 술전 비치조 정형장치 (presurgical nasoalveolar molding appliance, PNAM) 와 구순 봉합수술의 치조골 정형효과를 3차원 (3-D) 분석을 통하여 평가하는 것이다. 연구대상은 16명의 UCLP 환자 (평균 파열부거리: 10.46mm) 이며 PNAM 장치에 의한 치료와 rotation-advancement법에 의한 구순 봉합수술을 받았다 처음 내원시 (평균연령: $37.0{\pm}27.89$ 일), PNAM 치료를 받고 난 후이며 구순봉합수술 1달 전 (평균연령: $119.25{\pm}40.18$ 일), 구순봉합수술 2달 후 (평균연령: $190.81{\pm}42.78$ 일)에 상악의 인상을 채득하였다. 그 후 laser scanning machine (Orapix, Dimennex, Seoul, Korea) 과 3-D view software (3Dxer, Dimennex) 를 사용하여 3-D모형을 제작하였다. 선, 각도, 정중선변이, 거리, 면적 항목을 3-D 모형상에서 계측하고, 각 시기별의 차이를 비교하기 위하여 Wilcoxon signed rank test를 사용하여 분석하였다. PNAM치료 동안과 구순 봉합수술 후에도 치조골 후방부는 안정된 구조물이었다. PNAM치료에 의한 파열부 거리의 감소는 대분절 (greater segment) 의 내측 굴곡 (bending) 에 의하여 발생하였다. 대분절 (greater segment)의 전방 성장은 PNAM치료에 의하여 억제되었으나, 구순 봉합수술 후에 회복되었다. 구순 봉합수술 후에 대분절과 소분절 사이의 전방부 각도의 증가는 구순 반흔 (lip scar) 의 압력에 의한 치조골 정형 효과 때문으로 생각된다. 정중선변이는 PNAM치료에 의하여 개선되었다. PNAM치료 동안과 구순 봉합수술 후에 구개부 (palatal segment) 의 면적은 계속 증가하였다. 치조골 면적과 거리 항목의 증가는 후방부에서 크게 나타났다. 이러한 결과는 PNAM치료에 의한 치조골 정형효과는 주로 전방부에서 발생하며, 치조골의 성장은 구순 봉합수술 후에 후방부에서 주로 발생한다는 것을 의미한다.

• The Journal of the Korean dental association
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• v.52 no.10
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• pp.623-632
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• 2014

The facial asymmetries include maxillary, mandibular, and chin asymmetries, although the most common deformity is primarily in the mandible. Common causes of this type of asymmetry can include asymmetric growth of the condyle or the mandible. In these patients, the location of the Me would be deviated to the shorter side because of the asymmetric growth of the mandible, and, commonly, the maxillary occlusal plane would be tilted toward the deviated side because the maxilla likely grows asymmetrically according to the pattern of asymmetric mandibular growth. Three-dimensional CT images are ideal for evaluating the size and location of anatomic structures, and such reconstructed images allow the use of software that can show anatomic structures from numerous angles, allowing actual measurements of distances and angles without problems of magnification, distortion, or superimposition caused by 2-dimensional imaging. In the present study using 3D-CT imaging, the 8 parameters, including measurements of the upper midline deviation, maxillary canting in the canine and first molar regions, width of the upper arch, width of the mandible at the Go, vertical length of the ramus, inclination of the ramus, and deviation of the Me were easily measured. The dentition should be orthodontically decompensated and dental midline should ensure incisor midlines positioned in the midline of each jaw before surgical correction. Surgical correction could be considered such as canting or yawing correction in the frontal or horizontal aspect, respectively.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.3 no.2
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• pp.167-175
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• 1993

Lithium-Carbon Intercalation Compounds(Li-CICs) have been synthesized from various carbon ma-terials by use of the modified stainless steel two-bulbs methods. These compounds had various colours by structural character of starting materials. The synthesized Li-CICs were identified to stage formation process by X-ray diffraction data. At these results, well-oriented natural graphite and graphite fiber are formed lower stages(Stage 1, Stage 2), but poor-oriented carbon fiber and petroleum cokes are also formed higher stages(Stage 3, Stage 4, Stage 5). And when we compared with measured d value and calculated d value, these values agreed with each other. But poor-oriented carbon materials are some difference from them. The stage stability and energy stage of Li-CICs were obtained by UV/VIS Spectrophotometric data. X-ray diffraction and UV/VIS Spectrophotometric data suggested that well-oriented carbon materials has distingushible curve between energy and reflectance. In these results, we know that many charge carriers between carbon layers are related to concentration of intercalants. And then, this paper also provides information on high efficiency energy storing materials at intercalation process of Li-CICs.

• Journal of Korea Port Economic Association
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• v.23 no.4
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• pp.49-69
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• 2007

The purpose of this study is to analyze contribution factors of economic growth through growth accounting analysis in Korean port-logistics industry. Comparing with the average level of entire industry for 1990-2003, the contributions of total factor productivity and labor in port-logistics industry were high, but that of capital stock was very low. The pattern of growth in Korean port-logistics industry has greatly changed before and after Korean financial crisis. Before the 1997 financial crisis, the economic growth rate of port-logistics industry was 14.1%, which is higher than that of the whole industries, 7.7% for 1990-1998. Main contribution factors of the economic growth rate were the growth of capital stock and productivity, but ratios of their contributions were relatively low and did not come up to that for the whole industry. After the financial crisis, annualized growth rate of GDP in port-logistics industry had rapidly declined at 5.4% for 1998-2003, which did not get to that of the entire industry (10.1%). The main contribution factors of the economic growth rate over the 1998-2003 period were capital stock 13.1%, labor 57.0 %, and total factor productivity 29.9 %, Such growth pattern as excess dependence on growth of labor brought reduction of the rate of economic growth with degradation of productivity growth in the Korean port-logistics industry.

• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.25 no.6
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• pp.551-556
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• 2004

The purpose of this study was to suggest a systematic and scientific method for measurement of children's growth development, in which the accuracy of existing diagnosis method has not been concretely examined yet. The most popular method for diagnosis of children's growth is to analyze the opening degree of growth plate in each joint by X-ray image. However, X-ray method has some disadvantages; it is impossible to measure the diagnosis of growth periodically and repeatedly due to the radiation problem. Hence, this study introduced a profile analysis and the algorithm of analyzing the image of growth plate with the BUA(Broadband Ultrasound Attenuation) of calcaneus, to verify the possibility of alternative ultrasonic method harmless to human body. We obtained the images of growth plate in proximal tibiae, phalanges, and calcanei of 269 children (7∼16 years old) with X-ray. And the image of growth plate in calcanei was also obtained front those children with ultrasound. The results showed that the time of the opening degree of growth plate in each joint was almost consistent between X-ray and ultrasonic images. Also, the images of growth plate measured by X-ray and ultrasound showed the high correlation. Therefore, it is expected that the algorithm of ultrasonic profile analysis introduced in this study can replace the existing X-ray method to measure the growth plate correctly.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.160-160
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• 2010

테라헤르츠 소스로 저온 InGaAs를 대체하기 위해 저온에서 성장한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장 온도에 따른 광학적 photoluminescence (PL)과 time-resolved PL (TRPL) 측정을 이용하여 분석하였다. 또한 Be 도핑 농도에 따른 p형 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 PL과 TRPL 특성을 undoped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$와 Si-doped $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 결과와 비교 분석하였다. 본 연구에 사용한 시료는 분자선 엑피탁시 (molecular beam epitaxy)법으로 GaAs 기판 위에 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$을 다양한 성장온도에서 ${\sim}3.7\;{\mu}m$두께 성장하였다. $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 성장온도는 $400^{\circ}C$ 에서 $460^{\circ}C$까지 변화시키며 성장하였으며, Si과 Be 도핑한 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$ 시료는 약 $420^{\circ}C$에서 성장하였다. 모든 시료의 PL 피크는 ~1450 nm 근처에서 나타나며 단파장 영역에 shoulder 피크가 나타났다. 그러나 가장 낮은 온도 $400^{\circ}C$에서 성장한 시료는 1400 nm에서 1600 nm에 걸쳐 매우 넓은 피크가 측정되었다. PL 세기는 $450^{\circ}C$ 에서 성장한 시료가 가장 강하게 나타났으며, $435^{\circ}C$에서 성장한 시료의 PL 세기가 가장 약하게 나타났다. 방출파장에 따른 PL 소멸곡선을 측정하였으며 double exponential function을 이용하여 운반자 수명시간을 계산하였다. 운반자 수명시간은 빠른 소멸성분 $\tau_1$과 느린 소멸성분 $\tau_2$가 존재하고 빠른 성분 $\tau_1$의 PL 진폭이 약 80%로 느린 성분 $\tau_2$보다 우세하게 나타났다. 각 PL 피크에서의 운반자 수명시간 $\tau_1$은 ~1 ns로 성장온도에 따른 변화는 관찰되지 않았다. 또한 방출파장이 1400 nm에서 1480 nm까지 PL 피크 근처에서 운반자 수명시간은 거의 일정하게 나타났다. Be-doped 시료의 PL 피크는 1236 nm에서 나타나며, Si-doped 시료는 1288 nm, undoped 시료는 1430 nm에서 PL 피크가 측정되었다. PL 피크에서 PL 소멸곡선은 Be-doped 시료가 가장 빨리 감소하였으며, Si-doped 시료가 가장 길게 나타났다. 이러한 결과로부터 $In_{0.64}Al_{0.36}Sb$의 광학적 특성은 성장 온도, dopant type, 도핑 농도에 따라 변화하는 것을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.238-238
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• 2013

사파이어 단결정은 광학 투명도, 물리적 강도, 충격 저항, 마모 부식, 높은 압력 및 온도 내구성, 생체 호환성 등 다양한 특성을 가지고 있어 다양한 분야에서 사용되고 있으며, 특히 최근에는 백색 또는 청색 LED 소자 분야에서 기판으로 주로 활용되고 있다. 이러한 사파이어 단결정 기판은 공정에서 결정 성장 조건 및 기계적 연마 등의 다양한 요인으로 결정학적 결함이 발생한다. 이러한 결정학적 결함을 제어함으로서 좋은 품질의 단결정 기판을 생산할 수 있다. 이에 따라 각종 결함 제어를 위해서 X-선, EPD, 레이저 편광법 등 다양한 방법으로 결함들을 측정하고 있다. 그 중에서도 X-선 토포그래피는 시료를 비파괴적인 방법으로 단결정의 결함 밀도와 유형 등을 파악하는데 매우 유용한 측정법이며, Lang 토포그래피로 대표되는 X-선 회절 투과법은 기판과 같은 대구경의 시료를 우수한 분해능으로 내부 결함까지 관찰할 수 있는 장점을 지니고 있다. 본 연구에서는 대구경 사파이어 단결정 기판에 내재하는 결정 결함을 확인 및 분석하기 위해 X-선 Lang 토포그래피(X-ray Lang Topography) 장비를 구축하였다. 그리고 4, 6인치 c-면 사파이어 단결정 기판의 (110), (102) 회절면의 X-선 토포그래피 측정을 통해 전위(dislocation), 스크래치(scratch), 표면데미지(surface damage), 트윈(twin), 잔류 응력(strain) 등의 결함의 유형을 식별 및 분석하였으며, 각각의 결함들의 토포그래피 이미지 형성 메커니즘에 대해 분석하였다. 이를 통해 X-선 Lang 토포그래피(X-ray Lang Topography) 장비가 대구경 사파이어 단결정 기판의 결정 결함 평가에 폭넓은 활용이 가능할 것으로 예상된다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.548-554
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• 1997

The single crystal of $Mg_{0.16}Zn_{0.84}$Te:Co(Co:0.01 mole%) was grown by vertical Bridgman method. The crystal structure of $Mg_{0.16}Zn$_{0.84}$Te:Co and optical absorption properties of this compound were studied. The grown single crystal has a cubic structure and a lattice constant a=6.1422 $\AA$ were determined by X-ray diffraction. As a result of the optical absorption spectra of $Mg_{0.16}Zn_{0.84}$Te:Co, the intracenter transitions due to $Co^{2+}$ ions were detected for $A-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_2(^4F),\; B-band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4F), C- band:^4A_2(^4F){\to}^4T_1(^4P)$.The charge transfer transition near the absorption edge was observed in the wavelength range of 550 to 770 nm. According to the crystal field theory, the crystal field parameter(Dq) and the Racah parameter(B) were determined.

• Journal of the Mineralogical Society of Korea
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• v.18 no.4 s.46
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• pp.237-248
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• 2005

Results from in-situ high temperature X-ray diffraction measurements show that $Mg_{2}SiO_{4}{-}$spinel converts back to olivine phase only when heated in vacuum, and that at some high temperature, the olivine phase grows with time at the expense of the spinel phase strongly suggesting a 'nucleation and growth' type transition. In order to obtain the activation energy of spinel-olivine back transformation, kinetics measurements were performed on $Mg_{2}SiO_{4}{-}$spinel in vacuum at high temperatures between 1023 and 1116 K. Activation energy was determined using 'time to a given fraction method'. By employing the Avrami equation, it was found that n values generally increase with increasing temperature in a wide range implying that the nucleation and growth mechanism is probably temperature-dependent. It is likely that in spinel, at a relatively lower transformation temperature, after nucleation sites saturated, the growth of the new phase starts on the surface and gradually moves inwards. At high temperatures, however, after nucleation sites saturated, the growth starts both on the surface as well as at the interior.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.340-341
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• 2013

양자점(Quantum dots; QDs)은 단전자 트랜지스터, 레이저, 발광다이오드, 적외선 검출기와 같은 고효율 광전소자 응용을 위해 활발한 연구가 진행되고 있다. II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 기존의 CdTe/ZnTe 양자점을 성장하기 위해 ZnTe와 격자부정합이 적은 GaAs 기판을 이용한 연구가 주를 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)과 원자층 교대 성장법(Atomic Layer Epitaxy; ALE)을 이용하여 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스(PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 시분해 광루미네센스 측정 결과 CdTe/ZnTe 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 열적 활성화 에너지와 운반자 동역학에 대해 이해 할 수 있었다.