출연연구소는 기술개발을 통해 국가경제의 성장 잠재력을 축적하고 산업의 현장기술 애로를 타개하여 주는 역할과 함께 공공 기술, 미래 지향적 기술을 개발하여 국가발전의 기반을 만들어 가야 합니다 이에 따라 KIST는 핵심 기반기술, 복합기술 등 중장기 연구과제를 담당하여 산업 고도화를 "선도"하고 전문연구소 및 민간연구소의 응용, 개발을 위한 모든 단계의 종합적 연구를 담당하는 종합연구소로 발전하기를 기대합니다
버블 붕괴 후 10년 이상 고전하던 일본 경제가 최근 내수와 수출 양면에서 두드러진 호조세를 보이고 있다. 고용과 소비, 수출과 생산, 기업의 설비투자 등 모든 경제지표들의 개선조짐이 뚜렷하다. 경제성장률 역시 8분기 연속 플러스를 기록하고 있다. 일본경제의 이러한 변화가 우리경제에 주는 시사점이 무엇인지 살펴보자.
최근 국내 인터넷 비즈니스 시장은 올해 600억원 규모로 확대되고 오는 2005년까지 연 200% 이상의 초고속 성장을 거듭, 2조 600억원대의 시장이 형성될 것으로 예측된다. 이런 전망에 힘입어 유무선 통신업체를 필두로 PC통신업계, 종합상사 등이 생존을 위해 하나 둘씩 인터넷 비즈니스를 강화하고 있다.
지난 1996년 설립돼 최고의 인터넷 커뮤니티 솔루션 업체로 성장한 네트빌이 최근 기업변신을 꾀하고 있다. 유선 인터넷 기반 솔루션 기업에서 유무선 토탈 솔루션 기업으로의 변신이 그것이다. 이 회사는 지난해 말부터 추진해 왔던 모바일 콘텐츠 퍼블리싱 툴 MobPub의 시제품 개발을 최근 완료하면서 이 솔루션을 기업의 새로운 핵심 솔루션으로 내세우겠다는 계획이다. 끊임없는 변화와 도전으로 새로운 시장을 만들어가고 있는 네트빌을 찾았다.
Kim, Shin Ae;Cho, Sang-Jin;Magay, Elena;Ryu, Sun-Young
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.23
no.1
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pp.1-7
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2013
The three-dimensional structure of the proteins, including the location of the hydrogen atoms can be analyzed by using neutron diffraction. In order to grow single crystals for neutron diffraction experiments, we developed a simple magnetic field device with the commercial magnets and succeeded in growing hen egg-white lysozyme single crystals of more than 1 $mm^3$ in volume using this device. The crystals grown with a magnetic field were larger and had perfect transparency, whereas the crystals grown without a magnetic field had micro-cracks. The result of the X-ray measurement showed a good resolution and small mosaicity for the crystals grown in the presence of a magnetic field.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1999.07a
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pp.94-94
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1999
반도체 Hall 효과를 이용하여 자계를 검출하여 이를 전압신호로 출력하는 자기센서로는 주로 GaAs, InSb, InAs 등의 박막이 사용되고 있다. 자기센서의 응용분야가 최근에는 직류전류의 무접촉 검출, 자동차의 무접촉 회전 검출, 산업용 기계의 제어용 무접촉 위치검출 분야로 확대되고 있어 그 수요가 급증하고 있다. 이중 Hall 소자의 응용분야중 많은 활용이 기대되고 있는 자동차용 무접촉 센서는 -4$0^{\circ}C$~15$0^{\circ}C$의 온도범위에서 안정하게 작동하여야 하므로 온도 안정성이 매우 중요하다. 그러나 Hall 소자 시장의 80%를 점유하고 있는 InSb Hall 소자는 온도가 올라감에 따라 저항이 급격히 낮아지는 성질을 가지고 있으므로 10$0^{\circ}C$ 이상의 온도에서 사용하는 것이 불가능하다. 한편 InAs(에너지갭~0.18eV)는 InSb보다 에너지 갭이 크므로 고온에서도 작동이 가능하고 자계변화에 따른 출력의 직진성이 매우 좋다는 장점을 가지고 있다. 이러한 InAs Hall 소자를 실현하기 위해서 가장 중요한 것이 고품위의 InAs의 박막 성장기술이다. InAs 박막을 성장하기 위해서 사용되고 있는 기판은 GaAs이다. 그러나 GaAs 기판과 InAs 박막 사이에는 약 7% 정도의 격자부정합이 존재하기 때문에 높은 이동도를 가지는 고품위 박막을 성장시키기가 매우 어렵다. 이에 본 연구에서는 분자선에피택시 방법을 이용하여 GaAs 기판위에 고품위의 InAs 박막을 성장하는 기술을 연구하였으며, 성장된 InAs 박막의 특성을 DCX 및 Hall effect 등으로 조사하였다. InAs 박막 성장시 기판은 <0-1-1> 방향으로 2$^{\circ}$ off 된 GaAs(100)를 사용하였다. InAs 박막성장시 기판온도는 48$0^{\circ}C$로 하고 GaAs buffer 두께는 2000$\AA$로 하여 As flux 및 Si doping 농도등을 변화시켰다. 그 결과 Si doping 농도 2.21$\times$1017/am에서 10,952cm2/V.s의 이동도를 얻었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.350-350
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2011
ZnO는 II-VI족 화합물 반도체로서 3.37 ev의 band gap energy와 60 mv의 exciton binding energy를 가지며 차세대 소자로 다양한 분야에서 연구되어지고 있다. ZnO 박막과는 다르게 ZnO nano structure는 효율성과 특성 향상의 이점으로 태양전지와 투명전극 소자에 많은 연구가 되고 있으며 UV 레이저, 가스센서, LED, 압전소자, Field Emitting Transistor (FET) 등 다양한 응용분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는 유리 기판 위에 RF Magnetron sputtering법을 이용해 ZnO buffer layer를 다양한 두께(~1,000${\AA}$)로 증착한 뒤, Zn powder (99.99%)를 지름 2inch 석영관 안에 넣어 Thermal furnace장비를 이용하여 Thermal Evaporation법으로 약 500$^{\circ}C$에서 30분 동안 촉매 없이 성장 하였다. 수직성장된 ZnO 나노 구조체의 특성을 전계방출주사전자현미경(SEM), X-선 회절패턴(XRD), UV-spectra를 이용하여 분석하였다. SEM 분석을 통하여 ZnO buffer layer위에 성장된 ZnO 나노 구조체는 직경이 약 ~50 nm, 길이가 ~2 um까지 성장을 보였으며, XRD 측정결과, ZnO 우선 성장 방향(002)을 확인하였다. 두 가지 측정을 통하여 ZnO buffer layer의 유무에 따라 성장 특성이 향상되었음을 확인하였으며, 이는 buffer layer가 seed 역할을 한 것으로 사료된다. UV-spectra 측정을 통하여 가시광 영역(400~780 nm)에서 60%대의 투과도를 보여 가시광 영역에서 투명성을 요구하는 전자 소자 및 광소자 등에 적용 가능성을 확인하였다. 이 연구를 통하여 우수한 투과도를 가지며 유리 기판위에 수직성장된 ZnO 나노구조체는 태양전지와 플렉서블 디스플레이 등 다양한 활용 분야를 제시할 수 있다.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.5
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pp.463-469
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1999
The potassium lithium niobate $K_3$$Li_2$$Nb_5$$O_{15}$ single crystals were growing in $K_x$$Li_{1-x}$$NbO_3$ (x = 0.4~0.6) chemical formular by the Czorchralski method. Crystal growth is studied in two orientations with growth along a-axis and c-axis. We have subjected this crystal to x-ray diffraction studies and found that they are single-crystalline and belong to tetragonal system with the lattice parameters a = b = 12.577 $\AA$ and c = 3.997$\AA$. The temperature dependence of dielectric constant was measured in the region of the phase transition. Curie temperature and diffuseness of phase transition are influenced by composition concentration. The composition and cation distribution of ferroelectric TB-type niobate crystals has a strong influence on the ferroelectric properties. Growth condition, optical transmittance, etching pattern and dielectric properties are presented and discussed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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