• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.161-161
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• 2010

n-type 반도체 특성을 띄는 $SnO_2$ 나노선은 가스 센서, 투명 소자, 태양광 전지 등으로 널리 사용되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법으로 성장한 $SnO_2$ 나노선으로 폴리이미드 (PMDA-ODA: PI) 박막을 게이트 절연막으로 이용한 전계효과트랜지스터를 플렉서블 기판에 제작하고 전기적 특성을 분석하였다. 전자 전달 특성 곡선으로부터 n-형의 반도체 특성을 확인하였으며, 대부분의 산화금속 나노선에서와 같이 매우 큰 전기적 히스테리시스가 관찰되었다. 산화금속계통 나노선 소자의 히스테리시스는 나노선 표면에 산소 및 물 분자가 흡착되어 생기는 전자 갇힘 현상이 가장 큰 원인으로 알려져 있는데, 이러한 히스테리시스를 조절하거나 없애는 것은 소자의 특성 향상에 있어 매우 중요하다. 한편 PI 절연막에는 느린 분극 현상을 만드는 OH 반응기가 존재하기 때문에 나노선과는 반대 방향의 히스테리시스를 보일 것으로 예상된다. 본 연구에서는 제작된 $SnO_2$ 나노선 FET에서 PI 게이트 절연막의 경화 정도에 따른 히스테리시스를 조사하였다. FT-IR 측정에 따르면, PI 필름에 존재하는 OH 반응기는 PI를 경화시킴에 따라 감소하였으며 전기적인 히스테리시스도 감소하였다. 따라서, 절연막을 경화시키지 않았을 때는 PI 내부에 다량의 OH 반응기가 존재하여, PI의 히스테리시스가 나노선 히스테리시스보다 더 크게 작용하여, 전체적으로는 PI의 특성인 반시계 (counterclockwise) 방향의 히스테리시스를 나타내었다. 한편, 절연막을 완전히 경화시키면, OH 반응기는 대부분 사라지고 나노선의 히스테리시스만 발현되어 소자는 시계방향의 히스테리시스를 보였다. 이러한 실험결과를 통해, PI 박막을 $250^{\circ}C$ 에서 약 7분간 경화시켰을 때 나노선과 절연막의 히스테리시스가 가장 이상적으로 상쇄되어 전체적으로 히스테리시스가 매우 작아진 것을 관찰할 수 있었다. 이는 향후 나노선 FET의 안정적인 응용에 매우 유용한 결과로 활용될 것으로 예측된다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.1
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• pp.84-89
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• 1996

분자선 증착법(Molecular Beam Epitaxy)에 의하여 성장시킨 고농도 InGaAs layer에서 성장중지법이 계면 거칠기에 미치는 영향이 연구되었다. 계면을 평활화하기 위하여 단원자층의 GaAs 또는 AIAs를 InGaAs alyer 양쪽 계면에 증착한 뒤 뒤이어 성장중지를 실시하였다. Photoluminescence(PL) 측정에 의하면, 단원자 GaAs층 증착을 통한 평활화법보다 상당히 향상된 계면조건을 보여졌다. 고 분해능 단면 전자현미경법(Cross-section high resolution transmission electron microscopy, XHRTEM)에 의해 관찰되어진바, 계면 평활화법에 의해 계면의 평활성, 연속성 및 결정결함 밀도등에서 현저한 향상이 얻어졌다.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.6 no.5
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• pp.457-461
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• 1996

HVPE(hydride vapor phase epitaxy)법을 이용하여 C(0001)면의 사파이어 기판위에 GaN 박막을 성장하였다. 110$0^{\circ}C$의 온도에서 박막의 성장률은 120$\mu\textrm{m}$/hr이었고, 사파이어 기판과 GaN사이의 격자상수와 열팽창계수차로 인하여 많은 크랙이 존재하였다. 두께가 20$\mu\textrm{m}$인 GaN의 (0002)면에 대한 X-선 회절피크의 반치폭은 576초 이었다. 10K의 온도에서 측정된 광루미네센스 스펙트럼에서는 강한 강도의 속박여기자에 의한 피크(I2)와 약한 강도의 도너-억셉터 쌍 사이의 재결합에 의한 피크가 나타났으며, 깊은 준위로부터의 발광은 검출되지 않았다. GaN 박막의 전기전도형은 n형 이었고, 전자이동도와 캐리어농도는 각각 72$\textrm{cm}^2$/V-sec와 6x1018cm-3이었다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.1
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• pp.33-38
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• 1994

-Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 CdTe(100)박막을 성장하였다. 박막을 성 장하는 동안 기판의 온도는 28$0^{\circ}C$ 증발원의 온도는 $430^{\circ}C$로 유지하였고 성장률은 $2mu$m/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe (100) 박막의 광 전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 8 에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 6 전이한 것이며 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5 x 10-4 ev/k.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.3 no.3
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• pp.346-354
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• 1994

삼원화합물 반도체 CuAlSe2 및 CuGaSe2 단결정의 solid solution 인 CuAl1-xGaxSe2 및 cobalt를 2.0 mol% 첨가한 CuAl1-xGaxSe2 : Co2+ 단결정을 iodine을 수송물질로 사용한 화학수송법으로 성장시켰 다. source material로는 CuAl1-xGaxSe2 의 화학조성비에서 Se를 3.0mol% 과잉으로 첨가하여 합성한 ingot를 사용하였으며 불순물이 첨가된 CuAl1-xGaxSe2:Co2+ 단결정성장시에는 source ma-terial 에 cobalt 분말을 2.0mol% 첨가하였다. X-선 회절무늬로부터 성장된 단결정들이 chalcopyrite 결정구조를 하고 있음을 확인하였으며 격자상수를 구하였다. 광흡수 spectra 측정으로부터 성장된 단결정에서 나타 는 cobalt 불순물에 의한 광흡수 peak가 Td 대칭점에위치한 Co2+ 이온의 에너지 준위들간 전자전이에 의해 나타남을 규명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.185-185
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• 2011

서로 결정구조가 다른 물질 사이의 계면을 연구하기 위해 실온에서 W(bcc) 표면에 Al(fcc)를 성장시켜, 그 흡착구조를 연구하였다. 실온에서 W(110)면에 Al원자를 0.5 ML, 1.0 ML, 2.0 ML, 3.0 ML과 4.0 ML으로 증착시켜 Al/W(110)계의 흡착구조를 저에너지 전자회절(LEED)을 이용하여 관찰하였고, 각 coverage의 Al/W(110)계에서 이온산란분광법(CAICISS-TOF)을 이용하여 흡착구조를 연구하였다. 연구결과, Al의 coverage가 증가함에 따라 표면의 Al이 crystal되어, 4.0 ML Al/W(110)계에서 Al은 6-fold symmetry를 이루는 fcc 구조의 (111)면으로 성장하였으며 성장된 Al(111)면의 [T10]방향과 [1T0]방향이 substrate인 W(110)면의 [001]방향과 서로 평행한 double domain의 표면구조이다.

• The Optical Journal
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• s.107
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• pp.30-36
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• 2007

산업연구원이 지난 12월 21일 발표한 '2007년 경제.산업 전망'을 통해 2007년 성장률을 4.5%로 예상했다. 이는 한국은행(4.4%), 삼성경제연구소(4.3%)가 제시한 전망치 중 가장 높은 수치이다. 산업연구원은 올해 민간소비 증가율이 3.7%로 완만한 회복세를 지속하는 가운데 설비투자 증가율도 전년과 비슷한 7.2%에 이를 것으로 예상했다. 반면 건설투자는 민간 부문의 부진으로 2.3% 증가에 그치고 수출 증가율도 10%선에 머물러 전년(14.6% 추정)보다 주춤할 것으로 내다봤다. 이와 함께 경기순환 주기가 짧아진 가운데 올해 경기가 1.4분기 중 저점을 통과한 뒤 상승세로 전환될 것으로 내다봤다. 이에 따라 성장률은 상반기 4.0%로 다소 부진하다가 하반기 5.0%로 회복되는 '상저하고'의 양상을 보일 것으로 내다봤다. 산업연구원은 그러나 세계 경기에 따라 1.4분기 저점이 3%대로 떨어질 가능성도 배재할 수 없다고 전망했다. 올해 주요 기간산업 가운데 반도체 분야는 마이크로소프트의 윈도비스타 출시 등의 영향을 받아 고성장을 이룰 것으로 내다봤다. 생산은 IT제조업이 성장을 주도하고 수출은 기계산업군이 주도 할 것으로 내다봤다.

• Proceedings of the Korean Nuclear Society Conference
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• 1995.05b
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• pp.709-714
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• 1995

영광 3, 4호기에 사용되고 있는 원전 압력용기용 SA-508 IH 강의 미세구조 및 상온 피로균 열성장 특성을 고찰하였다. 본 강재의 미세구조, 석출물 분포 및 형상을 투과전자현미경을 통하여 관찰하였으며 임계영역에서의 거동 및 균열닫힘에 주목하여 피로균열성장 특성을 연구하였다. 다양한 형태의 (Fe, MR)$_3$C 세멘타이트 및 Mo$_2$C 석출물이 입계, 래스경계면 및 입내에 분포되고 있음을 확인하였다. Paris 영역에서의 피로균열성장 속도는 ASME 기준선과 유사하였으며, 임계 영역에서는 일반적인 저합금강의 경우보다 다소 낮게 나타났다. 파면조사 결과 입내 연성파괴현상이 전 $\Delta$K 영역에서 나타나고 있으며, $\Delta$K$_{th}$ 부터 $\Delta$K가 12 Mpa√m 영역에서는 입계파괴 및 입내 평활면이 관찰되었다.

• Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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• 2017.11a
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• pp.143-143
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• 2017

지난 50년간 정부의 기초연구 투자는 과학기술 경쟁력 배양 및 국가 선성장 동력을 확보하여 선진국으로 도약하기 위한 중요한 국가 전략 중 하나로 강조되어 왔다. 문재인 정부는 국정운영 5개년 계획을 통해 연구자 주도 기초연구지원을 강조하는 등 정부의 기초연구 투자확대 기조는 현 정부에서도 계속될 전망이다. 순수 기초연구비 2배 확대, 연구자 주도형 자유공모과제 비율 2배 확대 등의 기초연구분야 투자의 양적인 성장과 더불어 절적인 성장을 위한 체계적인 투자 전략이 필요한 시점이다. 이를 위해 기초연구 투자에 영향을 미치는 요인에 대한 연구가 선행될 팔요가 있다. 본 연구에서는 1999년부터 2016년까지의 정부R&D투자, 연구원 수, 물가, GDP 등의 요인의 상관관계 분석을 통해 각 요인이 정부 기초연구투자에 미치는 영향을 알아보고자 한다. 이는 향후 정부 R&D투자 전략의 수립에 활용될 수 있다.

• The Korean Journal of Mycology
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• v.19 no.1
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• pp.47-53
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• 1991

Metaboilc parameters were obtained from the measurment of productivities of carbon dioxide on the sawdust medium. The productivites of carbon dioxide obtained during fourteen days' incubation were employed for the fungal biomass, representing the fungal growth, and applied for understanding the physioligical parameters on the sawdust medium. The role of rice bran, commonly employed in the conventional spawn medium was speculated to be three kinds of nutrients of starch, nitrogen source, and and minerals. Biologically, the role of rice bran was considered to be the fast growing agents which led to prevention of other microorganisms.