• 한국진공학회지
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• 제7권1호
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• pp.11-16
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• 1998

본 연구에서는 GaAs의 selenium보호막형성 효과를 관찰하기 위하여 $Na_2$Se/NH$_4$OH 용액을 제조하고 X-선 광전자 분광기(X-ray photoelectron spectroscopy)와 photoluminescence(PL)를 이용하여 표면처리된 GaAs의 처리직후 및 대기중 노출에 따른 화학적 결합특성 및 광학적 특성을 관찰하였다. 용액처리 직후, 표면에는 As-Se결합이 형성 되었으며 Se는 한가지 산화상태인 -2가로 존재함이 관찰되었다. 또한 세정처리후의 표면보 다 Se용액처리 이후에 PL의 피이크 세기가 크게 증가됨으로부터 Se 용액처리가 GaAs의 표면상태밀도를 효과적으로 감소시킬 수 있음을 확인할 수 있었다. 그러나 처리 직후 공기 중 노출없이 관찰한 GaAs표면에서 산화막이 국부적으로 관찰되었으며 이렇게 처리과정중 생성된 산화막은 대기중 노출에 따라 산화막 성장을 유도하고 표면처리 효과를 저하시키는 주요인으로 작용함을 알 수 있었다. 이는 Se용액처리된 GaAs표면의 PL강도가 대기중 노출 에 따라 감소하며 세정처리후 GaAs표면의 PL강도와 유사한 값을 나타냄으로 부터도 확인 할 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제16권4호
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• pp.267-272
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• 2007

라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막을 성장시켰다. 증착시 스퍼터링 가스로 사용하는 산소 유량비의 변화에 따른 AZO 박막의 특성을 X-선 회절법, 원자 주사 현미경, 홀 효과 측정법으로 조사하였다. 증착 온도 $400^{\circ}C$에서 산소 유량비 0%로 증착된 AZO 박막은 가장 큰 c-축 우선 배향성과 최저의 비저항값 $6.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. 산소 유량비가 증가함에 따라 ZnO (002)면의 회절 피크의 세기는 실질적으로 감소하는 경향을 보였다. 또한, 산소 유량비가 감소함에 따라 전하 운반자의 농도와 홀 이동도는 증가하였으나, 전기 비저항은 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.301-301
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• 2011

최근 고밀도 메모리 반도체의 재료와 빠른 응답을 요구하는 나노입자를 이용한 비휘발성 메모리 소자의 제작에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 그에 따른 기존의 플래쉬 메모리가 가지는 문제점을 개선하기 위해서 균일하고 규칙적으로 분포하는 새로운 나노소재의 개발과 비휘발성, 고속 동작, 고집적도, 저전력 소자의 공정기술이 요구되고 있다. 또한 부유게이트에 축적되는 저장되는 전하량을 증가시키기 위한 새로운 소자구조 개발이 필요하다. 한편, 실리 사이드 계열의 나노입자는 금속 나노입자와 달리 현 실리콘 기반의 반도체 공정에서 장점을 가지고 있다. 따라서 본 연구에서는 화합물 중에서 비휘발성 메모리 장치의 전기적 특성을 향상 시킬 수 있는 실리사이드 계열의 바나듐 실리사이드(V3Si) 박막을 열처리 과정을 통하여 수 nm 크기의 나노입자로 제작하였다. 소자의 제작은 p-Si기판에 실리콘산화막 터널층(5 nm 두께)을 건식 산화법으로 성장 후, 바나듐 실리사이드 금속박막을 RF 마그네트론 스퍼터 시스템을 이용하여 4~6 nm 두께로 터널 베리어 위에 증착하고, 그 위에 초고진공 마그네트론 스퍼터링을 이용하여 SiO2 컨트롤 산화막층 (20 nm)을 형성시켰다. 여기서 V3Si 나노입자 형성을 위해 급속 열처리법으로 질소 분위기에서 800$^{\circ}C$로 5초 동안 열처리하여 하였으며, 마지막으로 열 기화 시스템을 통하여 알루미늄 전극(직경 200 ${\mu}m$, 두께 200 nm)을 증착하여 소자를 제작하였다. 제작된 구조는 금속 산화막 반도체구조를 가지는 나노 부유게이트 커패시터이며, 제작된 시편은 투사전자현미경을 이용하여 나노입자의 크기와 균일성을 확인했다. 소자의 전기적인 측정을 E4980A capacitor parameter analyzer와 Agilent 81104A pulse pattern generator system을 이용한 전기용량-전압 측정을 통해 전하저장 효과 및 메모리 동작 특성들을 분석하고, 열처리 조건에 따라 형성되는 V3Si 의 조성을 엑스선 광전자 분광법을 이용하여 확인하였다.

• 한국재료학회지
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• 제1권4호
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• pp.206-213
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• 1991

PbO 77-80wt%, ZnO 4.5-6wt%, $B_2O_3$ 7.5-8.5wt%, $TiO_2$ 3-7wt%, $P_2O_5$ 0.5-2wt%의 조성을 갖는 IC Package봉착용 저융점($400-460^{\circ}C$) 결정화유리 frit를 제조하였다. DTA-TMA, X-선 회절분석, SEM 등을 이용하여 봉착용 유리의 결정화 특성을 연구하였다. $TiO_2$ 함량이 3wt% 함유시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3$의 결정이 균일성장하였다. $TiO_2$ 함량이 4wt% 첨가된 시료는 $420-440^{\circ}C$에서 $2PbO{\cdot}ZnO{\cdot}B_2O_3와\;PbTiO_3$ 결정이 섞여서 혼합결정을 이루고 있었다. 또한 $TiO_2$ 5wt% 첨가된 시료는 $440-460^{\circ}C$에서 perovskite $PbTiO_3$ 결정만 석출되었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권12호
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• pp.1270-1278
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• 1996

고진공하에서 벽개된 GaAs를 대기중 노출시킨후, 결합상태 및 조성의 변화를 정량적으로 연구하여 Ga의 우선적 산화경향 및 결합의 붕괴에 기인한 원소상태 Ga 및 As의 생성을 관찰하였다. 대기중 노출시, 초기 Ga/As 비(=0.01)는 Ga의 우선적 산화에 의해 증가하였으며 원소상태 As의 증가와 더불어 일정값(=1.25)으로 유지되었다. 습식세정된 GaAs와 유황처리된 (S-passivated)GaAs를 각각 대기중에 노출시켜, 각각의 표면상태 변화를 비교, 관찰하였다. 유황처리된 GaAs는 습식세정처리만한 GaAs에 비해 산화막 성장이 크게 억제되었고, 이는 (NH4)2Sx 용액 처리로 형성된 Ga-S 및 As-S 겹합의 표면보호 효과에 기인한 것이다. 특히 대기중 노출에 따른 유황처리된 GaAs 표면조성 및 결합상태 변화의 정량적 관찰을 통하여, 유황보호막(S-passivation layer) 및 GaAs 표면과 대기중 산소와의 반응 기구를 규명할 수 있었다. 대기중 노출에 따라, 표면의 Ga-S 및 As-S 결합은 대기중 산소와 반응하여 점차 붕괴, 감소하는 경향을 나타냈으며, 이와 동시에 unpassivated 상태의 GaAs가 산소와 반응하여 Ga-O 결합을 형성함을 관찰할 수 있었다. 본 연구에서는 X-선 광전자 분광기를 사용하여 GaAs 표면 조성 및 결합상태의 변화를 관찰하였다.

• 공업화학
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• 제25권6호
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• pp.564-569
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• 2014

지르코니아 나노분말을 수열합성법으로 제조하였으며, 반응온도, 반응시간, 침전제의 종류 및 농도, 전구체의 종류를 실험 변수로 하였고, 각각의 제조된 분말을 X-선 회절(XRD)과 주사전자현미경(FE-SEM)을 통해 입자크기 및 결정상을 측정하였다. 침전제의 농도 증가에 따라 지르코니아 입자크기가 증가하였으며, 입자의 결정화도도 높아졌고, KOH 보다 NaOH 침전제를 사용하였을 경우, 입자 성장 속도가 증가하였다. 이는 입자의 크기 컨트롤에 있어 NaOH를 사용하는 경우보다 KOH를 사용하는 것이 더 효과적이었다. 4 h의 수열반응시간에서는 4 h의 수열반응시간에서는 비정질의 지르코니아 입자가 발견되었지만, 8 h 이상 합성 시, 단사정상의 지르코니아 입자가 생성됨을 확인하였고, 반응시간이 길어짐에 따라 지르코니아 입자의 폭이 소폭으로 줄어들고, 길이는 소폭 늘어남을 확인하였다. 동일한 합성 조건에서 전구체로서 zirconium (IV) acetate, zirconium nitrate, zirconium chloride 중에서 zirconium chloride를 사용하여 합성하였을 경우, 입자의 크기가 가장 작게 형성되었다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제17권4호
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• pp.172-179
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• 2016

본 연구의 목적은 사회적 기업에서 기업가정신을 기반으로 기업의 성장과 분배를 통하여 지역사회와의 공진화 기반을 구축하기 위한 선순환 요소를 발굴하려는 것이다. 이를 위해서 기업가정신의 구성변인으로서 혁신성, 진취성, 위험감수성에 사회적 목적 추구를 추가하여 각각의 요인이 사회적 기업의 경제적 성과와 사회적 성과에 어떠한 영향을 미치는지를 확인하고자 하였다. 연구목적을 달성하기 위하여 독립변수로 구분된 기업가정신과 종속변수인 사회적 기업의 성과 간의 관계를 상관분석과 회귀분석을 통하여 검증하였다. 기업가정신이 사회적 기업의 경제적 성과와 사회적 성과에 미치는 영향의 실증분석을 위해 2개의 대가설과 8개의 소가설을 설정하였다. 연구 결과 경제적 성과 측면에서는 기업가의 진취성이 유의미한 영향을 끼치는 것으로 나타났으며, 사회적 성과 측면에서는 기업가의 혁신성과 위험감수성이 주요 변인으로 나타났다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.1-5
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• 2000

본 연구에서는 옥내 조명으로 널리 사용되고 있는 형광등용 안정기의 화재위험성을 분석하였다. 안정기권선을 실체현미경으로 분석한 결과 용융흔을 다수 발견할 수 있었으나, 육안으로 원인 판정은 불가하였다. $700^{\circ}C$ 이상에서 열열화된 안정기 권선은 연신구조(elongation structure)가 없어지고 구리입자의 확대된 형태만 보였다. 단락 권선의 금속현미경 분석에서 경계면을 중심으로 주상조직 및 보이드 성장의 규칙성이 확인된 것으로 보아 전기적인 단락이 층간에 일어났음이 증명되었다. SEM을 이용한 미세구조 분석에서 용융된 부분이 확인되었다. EDX를 이용한 스펙트라 분석에서 Cu의 구성요소인 CuL 및 CuK liness 뿐만 아니라 OK line이 고르게 관측되고 있다. 이것은 재결합 과정에서 산소가 반응에 참여했음을 의미한다.

• 한국건축시공학회지
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• 제13권2호
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• pp.193-201
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• 2013

최근 국내 CM(건설사업관리) 시장의 규모는 전년도 대비 미비한 성장 추세를 보이고 있다. 반면 CM시장에 참여하기 시작한 국내 기업들은 급격히 늘어나고 있어 본 연구에서는 CM시장의 경쟁 구조를 분석하기 위해 시장집중도 및 DEA 모형의 Malmquist 생산성을 분석하였다. 그 결과, CM시장은 소수 기업에 의해 독과 점유되고 있으나 점차 완화될 것으로 나타났으며, CM시장과 기업은 생산적이지 못하지만 점차 생산성 지수가 상향되고 있다고 나타났다. 이를 통해, 본 연구는 CM시장의 이해관계자들에게 CM시장의 경쟁 흐름을 이해할 수 있는 방향 지표를 제공함으로써 시사점을 제공하고자 하였다.

• 한국건설관리학회논문집
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• 제8권6호
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• pp.167-177
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• 2007

건설산업의 지속적 성장과 위상의 제고 그리고 국제적인 기술경쟁력을 확보하기 위해서는 건설기술 연구개발이 필수적이다. 그러나 우리나라 정부차원에서의 건설기술 연구개발 예산 배정은 다른 나라에 비해 저조한 실정이며, 건설기술 연구개발을 촉진하기 위한 여러 제도적 내용도 개선의 필요성이 있다. 본 연구에서는 특히 건설기술 개발의 주요 주체임과 동시에 궁극적 사용자가 되는 민간기 업의 건설기술 연구개발을 촉진하기 위한 방안을 모색하고자 하였다 이를 위해 본 연구는 우선 민간기업 차원의 건설기술 연구개발 현황과 정부 차원의 건설기술 연구개발 투자 및 제도 현황을 각종 통계자료를 이동하여 문제점을 탐색하였다. 또한 20개 건설사의 연구개발 담당자를 대상으로 한 설문조사 결과를 현황 분석 및 대안 제시에 활용하였다. 본 연구에서는 민간기업 차원의 건설기술 연구개발 활성화 방안을 제시하기 위해 민간 건설기술 연구개발 활성화의 선순환 과정을 설정하고, 이에 따라 민간 건설기술 연구개발의 투자환경 조성 방안, 연구개발 투자 확대 방안, 그리고 연구개발 직접 촉진 방안을 제시하였다.