• The KIPS Transactions:PartD
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• 제11D권7호
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• pp.1451-1458
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• 2004

Current software reliability growth models based on Gompertz growth curve are all logarithmic type. Software reliability growth models based on logarithmic type Gompertz growth curve has difficulties in parameter estimation. Therefore this paper proposes a software reliability growth model based on the logistic type Gompertz growth curie. Its usefulness is empirically verified by analyzing the failure data sets obtained from 13 different software projects. The parameters of model are estimated by linear regression through variable transformation or Virene's method. The proposed model is compared with respect to the average relative prediction error criterion. Experimental results show that the pro-posed model performs better the models based on the logarithmic type Gompertz growth curve.

• Korean Journal of Optics and Photonics
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• 제8권5호
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• pp.438-442
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• 1997

In this study we report the effect of melt instability on the Liquid Phase Epitaxy. We made a new graphite boat of the structure relieving the instability of melt. It did not improve the uniformity of each layers but also reduced the thickness of growth layers and the deviation of the thickness over 1/2, 1/3 respectively. Moreover, we could get the growth layer of about 80$\AA$. With the point of melt stability in view we investigated the effect of InP seed used in two phase solution method. It is concluded that the quality of layers grown by the single crystal is superior to that by the poly crystal in two phase solution method.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.113-113
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• 1999

최근의 고품질 III-N 화합물 반도체 박막성장과 더불어 청색계열의 LED 및 LD의 성공적인 실현은 본 연구분야에 대한 새롭고 헌신적인 상업적, 학문적/ 기술적 투자환경을 유도해 나가고 있다. 특히, c-축 배향 단결정 사파이어를 기판재료로 사용하고 얇은 GaN buffer의 사용은 고온에서 그 위에 성장되는 성장박막의 특성을 크게 향상시키는 것으로 알려져 있다. 그러나 절연체를 기판으로 사용함에 따른 소자구조 및 제작공정의 복잡성과 기판과 GaN 박막사이의 큰 격자 부정합에 따른 결함센터 등은 소자의 전기, 광학적, 구조적 특성에 부정적인 영향을 미치고 있다. 이러한 문제점을 해결하고 양질의 박막을 성장하기 위한 GaN 혹은 그 대체 기판의 개발에 많은 연구투자가 이루어지고 있는 현실 속에서 Si을 기판으로 이용한 GaN 성장의 가능성이 조심스럽게 점쳐지고 있다. 현재까지의 연구결과를 참조할 때 대체로 복잡한 interlayer를 사용하여 박막성장이 일부 이루어졌으나 그 재현성이나 성장의 중요인자에 대한 해석은 아직 분명하게 밝혀져 있지 않다. 본 연구에서는 원자적 관점에서 Si의 표면에 일부 변화를 유도하고, MOCVD 방법으로 그 위에 성장되는 GaN 박막의 광학적 및 표면 morphology 등에 미치는 영향을 분석하여 핵심적인 성장인자를 추출하고자 시도하였다. 성장된 GaN/Si 박막의 물성은 SEM(AFM), PL, XRD, Auger depth profile 장비등을 이용하여 조사하였으며 사파이어 기판 위에 성장된 GaN 박막의 특성들과 비교 검토하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.86-86
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• 1999

본 연구에서는 마이크로파 유전체 소자로서의 응용 및 절연 산화막으로의 응용을 위해 마이크로파 유전체 세라믹으로 사용되어 온 MgTiO3 물질을 펄스 레이저로 박막을 제조하였다. MgTiO3 는 주로 고주파에서 높은 유전율을 갖고 높은 품질계수 (22.000 at 5 GHz) 혹은 낮은 유전손실을 갖으며 유전특성의 온도 안정성이 우수하여 유전체 세라믹 재료로 응용된다. MgTiO3 박막의 성장은 KrF(파장:248nm) 엑시머 레이저를 이용했으며 공정조건으로 박막의 성장온도는 500-75$0^{\circ}C$, 산소 압력은 10-5-200mTorr, 성장 후 냉각시 산소분위기는 200Torr, 레이저 에너지 밀도는 1.5-5J/cm2 등의 조건으로 박막을 성장하였다. MgTiO3 박막을 여러 가지 기판, 즉 Al2O3(r-plane), Si, Pt 위에 성장시켰으며 기판에 따라 에픽텍셜 혹은 다결정 상태를 갖는 ilmenite 구조로 성장되었다. PLD(Pulsed laser deposition)법에 의해 형성된 MgTiO3 박막을 보면, 우선 Al2O3(r-plane) 기판위에 성장된 경우 $700^{\circ}C$에서 에픽텍셜하게 성장하였으며, Si 기판 위에 성장된 경우 $650^{\circ}C$에서부터 (003)면으로 우선 배향된 단일상의 ilmenite 구조가 형성된다. Ptdnl에 성장된 경우 $600^{\circ}C$에서부터 (003)면으로 우선배향성을 가지며 $650^{\circ}C$에서 결정의 안정화를 이루었으나, MgTiO3 박막은 전기적 특성으로 유전특성 및 유전분산 특성 등이 측정 분석되어 MgTiO3 박막의 고주파 유전체로의 응용에 관한 가능성을 토의하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.83-83
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• 2011

본 연구에서는 p-type Si (100) 위에 분자선 에피택시 성장방법으로 ZnO 완충층이 삽입된 ZnO 박막을 성장시켰다. ZnO 완충층은 Zn 셀 셔터의 열림/닫힘을 반복하는 성장 멈춤법으로 성장되었다. Zn 셀 셔터의 열림 시간은 4분, 2분, 1분이며 닫힘 시간은 2분으로 동일하게 유지하였다. 이러한 과정은 각각 5, 10, 20회로 반복되었으며 ZnO 완충층을 성장한 후 ZnO 박막은 기존의 분자선 에피택시 방법으로 성장되었다. ZnO 박막의 구조적, 광학적 특성은 field-emission scanning electron microscopy (FE-SEM), atomic force microscopy (AFM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)로 조사하였다. SEM 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 ZnO 박막의 표면은 섬(island) 구조에서 미로(maze) 구조로 변화하였고, XRD 측정결과 full-width at half-maximum (FWHM) 이 감소하고 결정립 크기(grain size)가 증가하였다. 그리고 PL 측정결과 성장 멈춤 횟수가 증가함에 따라 near-band-edge emission (NBE) 피크의 세기가 증가하였고 deep-level emission (DLE) 피크의 위치는 오렌지 발광에서 녹색 발광으로 청색편이(blue-shift)하였다.

• Korea journal of population studies
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• 제29권1호
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• pp.209-239
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• 2006

본 연구는 총부양비를 최소화하는 적정인구성장률을 인구학적 부양비와 경제적 부양비로 나누어 계산하구 그것이 무엇을 의미하가를 연구하는 것이 목적이다. 이 연구를 위하여 연구모형을 제시하고, 합계출산율과 적정인구성장률의 관계를 명시하며, 그것이 궁극적으로 적정인구 규모에 어떤 의미를 갖는가를 탐색한다. 인구학적 부양비를 최소화하는 인구성장률은 $-0.03%{\sim}0.15%$의 범위에 있으며, 그것은 합계 출산율로는 $2.1{\sim}2.2$명에 해당한다. 경제적 부양비를 최소화하는 인구성장률은 유년층과 노년층의 상대적 개인 소비비중에 따라 인구성장률과 그것이 함의하는 합계출산율은 달라진다. 예컨대, $u_1:u_3=2:1$일 때 적정인구성장률은 $-1.17{\sim}-0.93%$, 그것이 함의하는 합계출산율은 $1.5{\sim}1.6$명이다. 한편 유년층 대비 노년층의 상대적 소비비중이 증가하는 경우에는 적정인구성장율이 높아져야 한다. 예컨대 $u_1:u_2=1:1.2$일 때 적정인구성장률은 $0.42{\sim}0.45%$이고, 그것이 함의하는 합계출산율은 $2.3{\sim}2.4$명이다. 본 연구에서 적정인구추계를 위한 기초 여론조사에 따라 진행된 상대적 소비비중을 계산한 결과에 따르면, 유년층과 노년층의 상대적 개인 소비비중은 $u_1:u_2=1.25:1$이며, 이에 따른 현재의 상황에서 한국의 적정출산율은 $1.9{\sim}2.0$명 수준으로, 이에 해당하는 적정인구성장률은 대략 약간의 네거티브 성장을 하는 경우라고 할 수 있을 것이다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• 제2권2호
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• pp.1-1
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• 1992

YIG(Yttrium Iron Garnet) single crystals were grown by FZ(Floating Zone) method. Since YIG melts incongruently, TSFZ(Traveling Solvent Floating Zone) method which was modified FZ was applied to grow YIG single crystals. The optimum growth condition were growth rate Imm/hr, counter-rotation 30rpm and oxidized atmosphere was necessary to sintering and growth process. The quality of grown crystals depended on the degree of sintering. The voids were generated by the reaction of Fe ions with oxygen and the density of voids was increased with the growth rate increased. When the growth rate was more than 1.5mm/hr, the cellular growth occured and the density of dislocation was increased at the periphery of crystals. Also, secondary phases of orthoferrite(YFe$O_3$)compost ion were observed in the grown crystal.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.363-364
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• 2012

기존 양자점에 대한 연구는 레이저 다이오드와 광증폭기등과 같은 광소자의 활성층에 사용되던 양자우물을 대체하기 위하여 고밀도, 고균일 양자점 성장에 관한 연구가 활발히 진행되었지만, 최근에는 양자점을 이용한 Single-photon source의 관심이 높아짐에 따라 저밀도 양자점 성장에 관한 연구가 주목 받고 있다. 본 연구에서는 수직형 저압 Metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)를 이용하여 InP 기판 위에 저밀도 InAs 양자점을 성장하였다. 저밀도의 양자점을 성장하기 위하여 양자점과 덮개 층($1.1 {\mu}m$ InGaAsP)사이에 V족 원료 가스인 As만 공급하는 성장 중단 시간 (GI:Growth interruption)을 삽입하였다. 시료의 구조는 InP (100)기판위에 50 nm InGaAsP barrier, 1.5ML GaAs를 성장 후 InAs 1.9 ML를 성장하였다. 그 후 0, 1, 2, 5 분의 GI을 삽입한 후 InGaAsP 와 InP 덮개층을 성장하였다. 양자점의 밀도와 형상을 측정하기 위하여 Atomic force microscopy (AFM)을, 광학적 특성 분석을 위하여 저온 Micro Photoluminescence (${\mu}$-PL)을 측정하였다. 성장 중단 시간의 증가에 따라 InAs/InP 양자점의 높이와 넓이는 증가하고 밀도는 감소하였다. 성장 중단 시간 3분 이후에는 밀도 감소가 둔화 되었으며, 5분일 때 $3.2{\times}10^7/cm^2$의 극저밀도 InAs/InP 양자점이 성장되었다. 또한 저밀도 양자점 시료의 저온 ${\mu}$-PL을 측정하여 단일 양자점의 exciton과 bi-exciton peak가 측정되었다.

• Journal of the Korean association of regional geographers
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• 제16권5호
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• pp.549-558
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• 2010

This study is to investigate the relative impacts of urban growth boundaries(UGBs) on metropolitan growth patterns in the United States over a period of time. Through statistical analyses, we evaluate the extent to which UGBs affect the density of residential development in metropolitan areas with UGBs. We also attempt to understand the overall impact of UGBs and the importance of UGBs relative to other determinants of urban growth patterns. Our works found that urban growth patterns differ significantly between cities with UGBs and cities without. UGBs have significant causal effect on urban housing and population densities, but are relatively less important than other factors. This implies that there are factors affecting the variation for which the given data cannot account. Despite the limitations of the data, the findings of this analysis suggest that UGBs have some positive effects on curbing urban sprawl.

• Korean Business Review
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• 제22권2호
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• pp.1-34
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• 2009

We should have a new perspective on the words, green and growth, to have a full understanding of them and consider the environment itself as leading to the nation's growth. The green growth policy is to convert the paradigm of economic growth into one with a good circle of environment and growth. However, as each country has a different view of the green growth policy, we will see how the countries carry out the policy and how the companies and people accept it. To do this, we will employ an actual analysis and propose a green growth strategy for the nation. The following are from the actual analysis in the article: 1. The GG policy is not just limited on the environmental problems but related to the nation's well-being as well. 2. Energy policy should be defined as the core thing of the GG policy and energy effectiveness among others things should be carried out on a short term basis. 3. Developing a strategy using IT is necessary for the GG policy. 4. Very careful approach should be taken to build a master plan for the nation bearing effective outcome of the policy. 5. The GG policy should be regarded as a social reformative one motivating the nation's much interest in it.