• Childhood Kidney Diseases
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• 제12권1호
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• pp.38-46
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• 2008

목적 : 성장장애는 만성 신부전에서 중요한 합병증으로 최근 성장호르몬 사용으로 이를 극복하려는 시도가 이루어지고 있다. 본 연구에서는 소아 만성 복막투석 환자에서 성장호르몬의 치료 효과와 성장에 영향을 주는 요인을 알아보고자 하였다. 방법 : 2001년부터 2007년까지 7년간 삼성서울병원에서 만성신부전으로 복막투석을 시행한 적이 있거나 현재 투석 중인 36명의 환자 중에서 1년 이상 성장호르몬을 사용한 환자 17명을 대상으로 후향적으로 의무기록을 분석하였다. 17명 중 1년 간 성장호르몬을 사용한 후의 Ht-SDS가 치료 후 감소되었거나 혹은 증가하지 않은 6명과 성장호르몬 치료 1년 후 Ht-SDS가 증가된 11명으로 나누어 두 그룹간의 차이를 비교하였다. 결과 : 17명의 환자 중 남자가 12명 여자가 5명이었으며, 투석 시작시의 평균 연령은 7.7${\pm}$5.2 세, 성장호르몬 투여 시작시의 평균 연령은 8.5${\pm}$4.8 세였다. 성장이 잘 된 그룹과 그렇지 않은 그룹간의 비교에 있어서는 성장이 잘된 군이 그렇지 않은 군에 비해 성장호르몬 투여시의 Ht-SDS가 더 작았으며(-1.72${\pm}$1.00 vs. -0.77${\pm}$0.88, P=0.048), 잔여 신기능(residual renal Kt/V)이 더 좋았다(1.54${\pm}$0.51 vs. 0.15${\pm}$0.26, P=0.02). 17명의 환자 중 성장호르몬을 3년 간 사용한 8명의 환자들을 분석해보면 성장호르몬 치료 초기 Ht-SDS 의 증가가 없었던 군은 지속적인 성장호르몬 사용에도 불구하고 여전히 Ht-SDS의 증가가 없었다. 결론 : 만성 복막투석 환자들에게 있어 성장장애가 심한 환자 일수록 성장호르몬 치료효과가 좋았고, 복막투석 중 잔여신기능 유지가 성장호르몬의 효과를 높이기 위해 중요하였다. 또한 성장호르몬 치료 시작 1년 후 Ht-SDS가 증가하였는지를 평가하는 것이 장기간 성장호르몬을 사용할 때의 효과를 예측하기 위해 중요할 것으로 생각된다.

• 벤처창업연구
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• 제16권2호
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• pp.51-78
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• 2021

'스케일업(scale-up)'은 '스타트업(startup)'에 이어 기업 현장이나 정책 현장에서 모두에서 중요한 주제로 다루어지고 있다. 특히 산업계와 정책 분야에서는 범용적으로 사용되는 용어임에도 불구하고, 학술적인 측면에서는 이에 대한 '개념 정의' 조차도 이루어지지 못했다. 학술적인 측면에서의 '기업 성장(firm growth)'과 경영 현장에서의 '비즈니스 성장(business growth)'은 서로 다른 이해를 갖고 있는 실정이다(Achtenhagen et al., 2010). 기업의 성장과 관련한 그간의 관련 연구는 Penrose(1959)의 '자원의 결합체(bundle)로서의 기업'과 '관리자의 역할론' 관점에서 크게 벗어나지 못하고 있다. 경제학 이론 및 배경을 기초로 주로 성장 요인 및 패턴을 살피는 차원에서의 연구가 주류를 이루고 있다. 기업의 경영현장에서 관심을 갖는 '스케일업' 맥락의 연구, 즉 상대적으로 성장의 속도와 지속성-일정기간의 '매출액 연평균 성장률'-관점의 연구는 활발히 이루어지지 못하였다. 기업의 초기 단계에는 매출액 규모가 작기 때문에 연간 단위 매출액 성장률은 상대적으로 높은 특성을 지닌다. 그러나, 한국 기준 '중견기업'으로 분류되기 시작하는 연간 매출액 1천억원 이상 수준이 되면 기업의 성장률은 이전과 같이 높은 수준을 보이기 쉽지 않다. 본 연구의 표본이 되는 최근 3년간의 연평균 매출액 성장률이 15% 이상 되는 '고성장 기업' 5천개 중 매출액 1억 달러 이상 기업은 6.7%인 333개에 한정된다. 그만큼 일정한 기업 규모 이상의 수준에서 지속적인 '고성장'을 보인다는 것은 쉽지 않다. 본 연구는, 기업/산업 미디어인 'Inc.'의 '2020 고성장(fastest-growing) 기업 5,000' 리스트 중 연간 매출액 1억 달러(원화 약 1천2백 억원) 이상 기업 333개를 대상으로, 1) 고성장 기업군(최근 3년-2016~19년- CAGR 15%~39.9%), 2) 초고성장 기업군(40.0%~99.9%), 3) 슈퍼 고성장 기업군(100% 이상)으로 구분 짓고, 각 성장속도 군 별 특성을 심층적으로 분석해 보았다. 또한, 기업의 매출액 성장률과 개별 기업의 전략 선택(시장 지향성, 본원적 전략, 성장 전략, 선도 전략), 산업 및 시장 환경, 기업의 업력 간의 상호관계를 양적 탐색을 통해 규명하였다. 따라서 본 연구결과를 토대로 개별 기업의 측면에서는 성장전략의 경로와 요인을 조합하여 구성하는 '초고성장 모델(Hyper-Growing Model)'을 참고할 수 있도록 하고, 정책적인 측면에서는 기업의 성장을 촉진하기 위해 어떤 요소나 환경을 '최적 유효 조합'의 형태로 다루어야 하는지 그 참고를 제공하고자 한다. 그리고 학술적인 측면에서는 21세기 기업환경에서 '스케일업 이론' 및 '기업 성장 이론'을 후속적으로 연구 하는데 그 기초 참고를 제공하고자 한다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.353-353
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• 2012

InAs nanowires (NWs)는 나노소자스케일의 전자소자나 광전자소자를 위한 기본 단위(building block)로 사용될 수 있고, 1차원적 나노구조를 가지면서 나타나는 특별한 전기적, 광학적 특성으로 인해 전계효과 트랜지스터, 레이저, 광발광 다이오드, 가스 검출 센서 등의 많은 응용소자로 활용을 위한 연구가 진행되 있으며 주로 실리콘, 갈륨비소 기판 위에 금속유기기상 증착(MOCVD) 또는 분자선 증착 (MBE)을 이용하여 선택적 수직배열 성장 조절을 위한 연구와 특성 평가 연구가 주로 이뤄지고 있다. 본 연구에서는 InAs NWs를 MBE 장치를 이용하여 Si(111) 기판 위에 Au와 같은 촉매를 사용하지 않고 Si과 InAs의 큰 격자 불일치로 인하여 성장되는 Volmer-weber 성장 모드를 이용 하였다. InAs NW 성장모드는 Si ($5.4309{\AA}$)과 InAs ($6.0584{\AA}$) 사이에 큰 격자상수 차이를 이용하게 되는데 촉매를 사용하여 성장하는 일반적인 이종 화합물 반도체 성장 모드와 달리 액상상태가 존재하지 않고 바로 In과 As이 Si 기판 위를 이동하여 수직방향으로 성장이 이루어지는 vaporsolid(VS) 모드이다. InAs NW V-S 성장 모드는 Si 기판과의 격자 상수차에 의한 스트레스를 이용해야 하므로 Si기판 위에 존재하는 native oxide는 완벽히 제거되어야 한다. InAs NW 최적 성장 조건을 찾기위해 V/III raitio, 성장 온도, 기판표면처리 등의 성장 변수를 변화 시켜가며 실험을 수행하였다. Native oxide를 제거하기 위하여 HF와 buffered oxide etchant (BOE)를 사용하였다. InAs NWs 성장조건은 Indium flux를 고정 시키고 V/III ratio는 50~400까지 변화를 주었다. V/III ratio를 200으로 고정을 시키고 성장온도를 $375{\sim}470^{\circ}C$에서 성장 하였다. 이 때 InAs NWs는 $430^{\circ}C$에서 가장 높은 밀도와 aspect ratio를 얻을 수 있었다. Arsenic flux에 대해서는 많을 수록 좋은 aspect ratio를 얻을 수 있었다. 하지만 InAs 구조의 절대 부피는 거의 같다는 것을 확인 할 수 있었고 이는 온도와 V/III ratio가 Indium adatom의 surface migration length에 대하여 중요한 요소로 작용되는 것을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제23권6호
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• pp.265-271
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• 2013

Czochralski(CZ) 성장공정은 LED 기판용 고품질의 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 중요한 기술 중 하나이다. 본 연구에서는 300 mm 길이의 사파이어 단결정 위한 유도 가열방식의 CZ 성장공정을 FEM으로 수치적 해석하였다. 또한 도가니의 형상 및 상부 단열재 보강 등 hot zone 구조를 변경하고, 결정의 온도 변화를 분석하였다. 본 연구의 결과, 고-액 계면의 높이는 성장 속도의 균형이 이루어져 초기에 80 mm 부터 중기 이후 40 mm 정도까지 감소하였다. 또한 CZ 성장로의 최적 입력 전력은 도가니 형상 변경 및 상부 단열재 보강에 의한 보상효과로 기존 300 mm 용 CZ 성장로 조건과 유사하다. 그리고 Hot zone 구조를 변경한 CZ 성장로를 이용해 성장시킨 결정의 온도는 기존 보다 약 10 K 정도 상승 되는 것으로 분석되었다. 본 연구에서 도출된 결과를 CZ 성장공정에 적용하여 300 mm 길이를 갖는 c-축 사파이어 단결정을 성공적으로 성장시킬 수 있었고, 단결정 성장공정에 대한 시뮬레이션 분석기법의 타당성 및 유용성을 확인하였다.

• 한국벤처창업학회:학술대회논문집
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• 한국벤처창업학회 2017년도 춘계학술대회
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• pp.43-43
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• 2017

본 연구는 창업보육센터 입주기업을 대상으로 지원서비스가 성장단계별로 차이가 있을 것이라는 가정과 입주기업이 느끼는 만족도와 그에 따른 경영성과에 영향을 미칠 것이라는 가정 하에 입주기업의 니즈(needs)를 반영한 성장단계별 차별화된 효과적 지원서비스로 입주기업의 만족도와 경영성과를 높임으로써 창업성공률을 제고하기 위한 이론적 기여와 정책적 시사점을 제시하는 데 목적이 있다. 본 연구의 검증을 위하여 가설1 성장단계별 지원서비스는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다, 가설2 성장단계별 만족도는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다, 가설3 성장단계별 경영성과는 정(+)의 유의한 차이가 있을 것이다를 ANOVA 분석을 실시하였고, 가설4 지원서비스가 경영성과에 정(+)의 영향을 미칠 것이다, 가설5 지원서비스가 만족도에 정(+)의 영향을 미칠 것이다, 가설6 만족도가 경영성과에 정(+)의 영향을 미칠 것이다는 회귀분석을 실시하였다. 분석결과, 선행연구와 같이 지원서비스는 입주기업의 경영성과와 만족도에 영향을 미치는 것으로 나타났다. 본 연구는 창업보육센터의 성장단계별 지원서비스가 서비스의 만족도와 경영성과에 어떠한 영향을 미치고 있는지를 중소기업청 지정 창업보육센터 입주기업 174개를 표본으로 SPSS 22.0을 이용하여 검증하였다. 본 연구에서 실증분석을 통하여 얻은 연구 결과를 요약하면 다음과 같다. 첫째 성장단계별 지원서비스의 차이에 대한 차이분석 결과 정(+)의 유의한 차이가 있는 것으로 나타났다. 둘째, 성장단계별 만족도의 차이는 차이가 없는 것으로 나타났으며 성장단계별 경영성과의 차이 중 투자유치는 정(+)의 유의한 차이가 있는 것으로 나타났다. 셋째, 창업보육센터에서 제공하는 지원서비스가 입주기업의 경영성과와 만족도에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 마지막으로 입주기업의 만족도도 경영성과에 정(+)의 영향을 미치는 것으로 나타났다. 결과를 종합해보면 창업보육센터의 지원서비스가 아직도 행정지원과 자금지원 등에만 국한되어 지원되고 있는 것으로 나타나 입주기업의 성장단계에 적합한 다양한 서비스의 제공이 필요함을 주지시켜 주고 있다. 또한, 성장단계별 입주기업의 만족도는 매출증가와 고용증가로 이어졌지만 아직 투자유치에는 크게 영향을 미치지 못하고 있음을 알 수 있다. 따라서 모든 입주기업에게 획일적인 지원서비스가 아닌 차별화된 지원서비스가 필요하며, 이를 위하여 창업보육센터 매니저들이 엑셀러레이터로서의 역할을 하기 위한 창업보육역량 고도화가 필요하고, 창업보육사업은 기업의 성장단계와 관련이 있으므로 입주기업의 성장단계 및 창업보육센터의 지원하는 역할과 기능에 따른 창업보육모델의 진화를 고려한 3세대, 4세대 보육모델로서의 발전된 운영정책 수립이 요구된다.

• 대한치과교정학회지
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• 제33권1호
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• pp.31-39
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• 2003

본 연구는 성장에 의한 변화를 예측하는 현재의 방법이 실제로 골격성 III급 부정교합자의 진단과 치료계획에 적절히 사용될 수 있는지를 판단해 보기 위해 초진 시 골격성 III급 부정교합으로 진단받고 성장 종료 후 악교정 수술을 받기 위해 재내원한 골격성 III급 부정교합자 25명(남자 13명, 여자 12명)을 대상으로 시행되었다. 초진시 채득된 측모 두부방사선 사진에서 Ricketts의 성장예측법을 통해 성장 종료 후의 상태를 예측한 후, 악교정 수술을 위해 재내원 했을 때 채득된 측모 두부방사선 사진에서 계측된 실제 성장량과 비교분석 함으로써 다음과 같은 결론을 얻었다. 1. 예측치와 관측치의 일치정도를 평가해본 결과 Porion Location, Ramus Position, Facial Depth, Facial Axis, Mandibular Plane angle, Maxillary Convexity에서의 예측치가 관측치와 차이를 보이고 있어 이 항목에 대한 Ricketts 성장예측법의 예측치가 실제 성장량을 잘 설명해주지 못함이 관찰되었다. 2. 하악골체의 성장량은 정상 성 장량과 유사하였으나 Porion Location, Ramus Position이 정상적인 성장과정을 벗어나면서 하악골의 전방위치를 유도하였다. 3. 골격성 III급 부정교합자에서는 성장의 양과 방향이 비정상적인 성장변화를 나타내어 정상 성장에서라면 변화를 보이지 않을 하악지의 전방 위치, 하악이부의 전상방 회전등이 일어나 하악 전돌의 경향이 악화될 수 있다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.425-425
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• 2009

그라핀을 금속 촉매를 이용하여 상압 혹은 저진공 CVD로 성장할 경우 대형 기판을 쉽게 얻을 수 있으므로 최근 들어 금속 촉매를 이용한 CVD 기술이 재 각광받고 있다. 최근 MIT의 Jing Kong 그룹, Purdue 대학의 Yong P. Chen 그룹, 국내에서는 성균관대학에서 이에 대한 논문을 발표한 바 있다. CVD 방법의 가장 큰 장점은 그라핀 박막의 가장 큰 문제점 중 하나인 대형 기판에 매우 유리하다는 점이다. 본 연구에서는 결함 없는 대형 그라핀기판을 얻기위해 Si/$SiO_2$/Ni 박막위에 그라핀을 LPCVD로 성장하는 실험을 진행하였다. 우선 시료는 Si위에 $SiO_2$를 Sputtering으로 증착하였고, 그 위에 250nm, 300nm두께의 Ni 박막을 e-beam evaporator로 증착하였다. $0.5-1cm^2$ 크기의 샘플을 Thermal CVD 장비를 이용하여 그라핀을 성장하는 실험을 진행하였다. 성장 압력은 95 torr, 성장온도는 $800^{\circ}C$, $850^{\circ}C$, $900^{\circ}C$에서 Hydrocarbon ($C_2H_2$)을 5min, 10min으로 성장시간을 split하였다. Hydrocarbon을 흘리기 전에 Ni grain을 성장하기 위해 성장온도에서 30~60min정도 $H_2$분위기에서 Ni 산화막의 환원 및 어닐링을 진행하였다. 그림.1은 $850^{\circ}C$, 5분간 성장한 그라핀/Ni 샘플의 광학사진이다. 그림.2는 $850^{\circ}C$에서 5min, 10min 성장한 샘플의 Raman spectrum이다. (파장은 514.532nm). 850C 10min 샘플은 G>G' peak 이지만, 5min으로 성장한 샘플의 경우 G'>G peak 임을 알 수 있고, 따라서 5min의 조건에서는 층 두께가 4층 미만의 그라핀 박막을 얻을 수 있음을 보여준다. 또한 G' peak의 위치가 두께가 감소할수록 내려감을 확인할 수 있다. 다만 D peak가 실험한 대부분의 샘플에서 보여서 아직 성장한 그라핀의 결합이 많은 것으로 보인다. 이러한 이유는 성장온도가 낮은 것이 일차 원인으로 생각되며 박막의 균일도 향상과 결함을 줄이기 위한 추가적인 개선 실험을 진행 중이다.

• 한국재료학회지
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• 제4권6호
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• pp.687-694
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• 1994

선택적 LPE방법을 이용하여 (111)B GaAs 기판 상에 InP연속 박막을 성장하고 그 특성을 평가하였다. 적정 LPE성장조건으로 성장온도 $660^{\circ}C$, 과냉도 $5^{\circ}C$, 냉각속도 $0.4^{\circ}C$/min였으며, 연구된 온도 범위에서 성장온도가 증가할수록 표면형상이 개선되었고 ELO의 넓이가 증가하였다. Seed방향이 <112>방향에서 110-160$\mu \textrm{m}$ 정도의 최대 ELO 넓이가 얻어졌으며 60-80$\mu \textrm{m}$정도의 마스크 간격에서 연속박막을 용이하게 성장할 수 있었다. LPE 성장초기에 기판 용해 현상이 발생하였으며 이에 따라 성장박막의 조성이 대략 $In_{0.85}Ga_{0.15}$As$_{0.01}P{0.99}$으로 변화하고 InP/GaAs계면 및 박막 표면형상이 거칠어졌으나 기판의 성장 부위가 제한됨에 따라 통상적인 LPE박막에 비교하여 매우 개선된 표면형상을 얻을 수 있었다. 두개의 성장융액을 이용하여 1차 박막성장 후 다시 InP 박막을 성장하는 2단성장 방법을 사용하여 순수한 InP/GaAs박막을 성장할 수 있었으며 단면 TEM분석 결과 SLPE성장박막으로 전파하는 활주전위는 산화막 마스크에 의해 효과적으로 차단됨을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1999년도 제17회 학술발표회 논문개요집
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• pp.117-117
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• 1999

최근 광소자와 더불어 발전과 더불어 고효율의 새로운 광소자에 대한 수요가 증가되고 있다. ZnO는 이러한 특성을 가진 재료중에 한가지로서 최근 들어 그 가능성에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 특히 상온에서 exciton binding energy가 다른 재료보다 큰 60meV로 고효율의 blue, UV 발광이 가능한 재료로 알려져 있다. 본 연구에서도 광소자로서 ZnO를 활용하기 위해서 RF magnetron sputtering법을 이용하기 위하여 광특성의 향상에 목적을 두고 연구하였다. ZnO 박막은 RF magnetron sputtering법을 이용하여 sapphire (0001) 기판위에 성장시켰다. RF power는 60W에서 120W까지 변화시켰고 박막의 성장온도는 55$0^{\circ}C$와 $600^{\circ}C$로 변화시켰으며, 박막의 성장시간은 60분, ZnO target과 기판과의 거리는 4.5cm로 하여 성장시켰다. 성장된 ZnO 박막은 XRD $\theta$-rocking scan 측정을 통해서 박막의 C-축 배향성과 RBS channeling를 이용하여 ZnO 박막의 epitaxial 성장 정도를 측정하였다. 박막의 상온 발광 특성은 He-Cd laser를 사용한 photoluminescence spectra로 측정하였다. 또한 표면의 morphology는 atomic force microscope(AFM)를 이용하여 관찰하였으며 transmission electron microscopy(TEM)을 사용하여 ZnO박막의 단면적을 관찰함으로서 grain의 성장과 광특성 및 결정성과의 영향에 대해서 연구하였다. ZnO 박막의 성장온도 55$0^{\circ}C$에서 RF power를 60W에서 120W까지 변화시킬 경우 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.157$^{\circ}$에서 0.436$^{\circ}$까지 변화하였고 80W에서 최소값을 가졌으며 in-plain에 대한 XRD 측정 결과 ZnO 박막의 성장은 sapphire 기판에 대해서 30$^{\circ}$회전되어 성장된 것으로 알 수 있었으며 이는 ZnO [100]∥ Al2O3[110]의 관계를 갖는다는 것을 나타낸다. 광특성의 측정 결과인 PL peak의 반치폭은 133.67meV에서 89.5meV까지 변화함을 알 수 있었고 80W에서 최대값을 가졌으며 이는 RF power의 변화에 따른 결정성의 변화와는 반대되는 현상임을 알 수 있었다. 그러나 성장온도 $600^{\circ}C$일때에는 XRD $\theta$-rocking peak의 반치폭이 0.129$^{\circ}$로 결정성이 우수한 박막임을 확인할 수 있었고 PL peak의 반치폭 또한 Ar과 O2의 비율에 따라 76.32meV에서 98.77meV로 광특성도 우수한 것으로 나타났다. RBS channeling 결과 55$0^{\circ}C$에서는 $\chi$min값이 50~60%였으나 $600^{\circ}C$일 때에는 $\chi$min값이 4~5%로 박막이 epitaxial 성장을 하였다는 것을 알 수 있었다. 결정성과 광특성과의 연관성을 알아보기 위해 TEM을 이용한 박막의 cross section image를 관찰한 결과 광특성이 우수한 시편일수록 grain의 크기가 큰 것으로 나타났고 결정성이 우수한 시편의 경우에서는 XRD분석 결과에서처럼 C-축배향성이 우수한 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터 RF magnetron sputtering 법으로 광특성이 우수한 양질의 ZnO박막 성장이 가능하였다는 것을 알 수 있었으며 광소자로써의 가능성을 확인 할 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제27권1호
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• pp.1-8
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• 2017

Metal organic chemical vapor deposition(MOCVD) 방법을 이용하여 금속 촉매에 따른 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 제작과 특성에 대해 연구하였다. 본 연구의 성장 조건에서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 성장이 가능한 금속 촉매는 Au, Cu 그리고 Ni이 있었으며 각 금속 촉매로 성장한 나노 와이어는 성장률과 형상에 많은 차이가 있었다. Ni 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Solid(VS) 과정이 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어 성장의 주된 메커니즘이고 Au, Cu 촉매 성장의 경우에는 Vapor-Liquid-Solid(VLS) 과정이 주된 성장 메커니즘 임을 확인할 수 있었다. 또한, 촉매의 종류에 따라서 ${\beta}-Ga_2O_3$ 나노 와이어의 광학적 특성도 다르게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. 반면, 동일한 성장 조건에서 Ti, Ag 그리고 Sn 금속은 나노 와이어 성장을 위한 촉매로 작용하지 못하였다. 본 연구에서는 금속 촉매에 따른 나노 와이어의 성장 가능 여부와 성장한 나노 와이어의 특성 변화가 금속 촉매의 녹는 점, 금속- Ga의 공융 점과 관련이 있음을 상태도와 연관 지어 밝혀내었다.