• 한국운동역학회지
• /
• 제18권1호
• /
• pp.235-243
• /
• 2008

본 연구는 성장호르몬 활성화와 뼈 형성에 효과가 있도록 고안된 성장호르몬 활성화 신발과 일반 런닝화에서의 운동역학적 변인과 성장호르몬 분비에서 어떠한 차이가 나타나는 지에 대한 평가 및 검증을 수행하였다. 연구 수행 결과 다음과 같은 결론을 얻었다. 첫째, 성장호르몬 활성화 신발이 일반 런닝화에 비해 달리기 시 2km 이내 달리기시 통계적으로 성장호르몬 분비가 유의하게 증가되었다. 둘째, 4km 이내의 걷기 운동에서 청소년기에서는 일반 런닝화보다는 성장호르몬 활성화 신발에서 평균적으로 성장호르몬이 많이 분비되는 것으로 나타났다. 셋째, 성장호르몬 활성화 신발은 걷기동작에서는 일반 런닝화보다 더 큰 부하를 신체에 전이시키고, 달리기에서는 일반 런닝화 보다 더 큰 충격량을 신체에 전달하고, 동시에 신체 일부분에 집중되는 부하를 분산시키고 작은 부하율을 통한 부상 발생원인을 제거함으로써 부상 없이 몸에 자극을 크게 전달, 성장호르몬 분비를 활성화 시킬 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제21권5호
• /
• pp.193-198
• /
• 2011

최근 사파이어 결정은 LED 응용부품에 사용되고 있고, CZ 성장공정은 고 품질의 사파이어 단결정을 성장시키기 위한 중요한 기술중의 하나이다. 고 품질의 단결정을 성장하기 위해서는 CZ 성장로 내부의 열 및 질량 전달현상의 제어가 필요하다. 본 연구에서는 유도 가열된 CZ 성장로에 대한 사파이어 결정의 성장공정을 FEM을 사용하여 수치적으로 분석하였다. 본 연구의 결과, 성장로의 rpm이 증가함에 따라 고온부는 도가니 표면에서 융액의 내부로 이동하고, 고-액 계면은 평편한 형태로 변화되는 것으로 분석되었다. 또한 성장된 결정의 고-액 계면은 초기에 형성된 결정의 shoulder 형상에 의해서도 영향을 받는 것으로 나타났다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.235-240
• /
• 2003

대면적 GaN 기판재료의 개발은 GaN 계열의 응용 가능성을 확대하기 위한 중요한 과제중 하나이다. 이러한 가능성을 조사하고자 본 연구에서는 seed 기판으로 MOCVD-GaN 박막과 소스 물질로서 상업용 GaN 분말을 이용하여 승화법에 의해 GaN 후막 성장을 시도하였다. 일정한 $N_2$ gas와 $NH_3$ gas 유량으로 성장실의 압력을 대기압으로 유지할 때 후막성장에 대한 승화소스물질과 seed 기판 사이의 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도, 성장시간 등의 영향들을 연구하였다. 성장된 GaN후막은 SEM 및 XRD등을 이용하여 후막성장 형태 및 구조를 관찰하였고 상온에서 PL특성측정을 통하여 후막의 광학적인 밴드갭 및 결함 등을 조사하였다. 이로부터 양호한 GaN 후막성장에 필요한 공정요소로서 소스와 seed 기판 간 거리, 상ㆍ하부 히터의 온도 및 성장시간 등의 조건들을 정할 수 있었다.

• 한국재료학회지
• /
• 제10권3호
• /
• pp.241-245
• /
• 2000

고온에서 증발된 금속 갈륨 (Ga)을 암모니아 ($NH_3$) 기체와 직접 반응시켜 사파이어 (${\alpha}-Al_2O_3$) 기판 위에 GaN 후막을 성장하였다. 성장된 GaN는 주로 [0002] 방향으로 성장하였으나 낮은 성장온도에서는 [1011] 방향의 성장이 관찰되었으며 V-형태를 가진 매우 거친 표면을 보였다. 그러나 성장온도가 증가하면 [1010]와 [1011] 방향으로 성장이 관찰되었으며 피라미드면을 가진 육방정 결정이 성장되었다. 성장된 GaN의 두께는 온도가 증가할수록 증가하였으나, $1270^{\circ}C$의 고온에서는 열분해를 일으켜 두께가 감소하였다. 공급된 $NH_3$의 유량이 증가할수록 GaN의 결정성과 광특성은 향상되었다. X-선 회절기 (X-ray diffraction)와 광루미네센스(photoluminescence) 분석결과로 GaN 후막이 (1010) 면으로 성장되면 황색발광이 증가됨을 관찰할 수 있었다.

• 한국콘텐츠학회논문지
• /
• 제20권5호
• /
• pp.585-594
• /
• 2020

2006년 제주특별자치도 출범 이후 여러 개발사업이 진행된 제주는 유입인구 증가 등의 영향으로 2011년 이후 여타 지역에 비해 부동산업이 성장하였다. 이러한 성장 이후에 2017년부터는 미분양주택 증가, 순유입인구 감소 등의 현상이 나타나고 있다. 본 연구에서는 2006년부터 2016년의 기간을 회복기(2006~2010년)와 확장기(2011~2016년)로 구분하여 변이할당분석과 성장률시차분석을 통해 제주 부동산업의 성장이 국가의 성장에 따른 영향인지, 지역의 산업구조와 경쟁력에 의한 것인지를 분석하였다. 분석결과 제주 부동산업의 매출액과 종사자수는 회복기에는 국가 성장의 영향에 의해 성장하였으나, 확장기에는 산업구조와 지역의 경쟁력에 의해 성장한 것으로 나타났다. 부동산업의 성장에 기여한 세부산업으로는 부동산 개발 및 공급업을 들 수 있으며, 경쟁력이 약화된 세부산업으로는 부동산관리업으로 나타났다.

• 한국산학기술학회논문지
• /
• 제17권11호
• /
• pp.368-375
• /
• 2016

본 연구는 식물에 대한 LED 광색별 성장을 실험하여 효율적인 식물공장 광원에 대한 기준을 제시하기 위하여 수행되었다. 실험은 Red-LED와 Blue-LED, White-LED 광환경에서 식물의 성장과 이산화탄소 감소를 측정하여 확인하였다. 식물의 성장은 Red-LED에서 성장이 가장 높게 나타났다. White-LED는 Red-LED와 유사한 경향을 보였지만, 시간이 경과 할수록 Red-LED의 성장이 높은 경향을 보였다. Blue-LED는 가장 낮은 성장을 보였다. 그리고 혼합광과 단색광의 광합성정도를 확인한 결과 Red-LED와 Blue-LED를 조합한 광원에서 이산화탄소 감소가 높게 나타났으며 적색광이 많을수록 이산화탄소의 감소도 높게 나타났다. 이와 같은 실험 결과 토대로 혼합광과 백색광에서의 성장을 비교 측정한 결과, 적색 4개, 청색 2개의 비율의 광원에서 식물의 성장이 높게 나타났다. 따라서 식물공장에서 식물의 효율을 높이고 성장을 촉진하기 위해서는 백색의 단색광을 사용하는 것 보다 적색광을 사용하거나, 적색과 청색을 혼합하여 사용하여 파이토크롬 효과를 높이는 것이 바람직하다는 것이 확인되었다. 특히 백색광만 사용하는 경우 성장 초기에는 한해서 사용해야 하며 성장이 잎이 커짐에 따라 적생광이 강한 광을 사용하는 것이 효과적이다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제7권2호
• /
• pp.185-190
• /
• 1997

승화법에 의한 단결정 성장장치를 자체 제작하여 직경 약 30 mm, 길이 약 10 mm의 6H-Sic 단결정을 성장하였다. 최적의 성장조건은 원료온도 $2150~2250^{\circ}C$, 기판온도 $1950~2050^{\circ}C$, 원료부와 기판과의 온도차 약 $200^{\circ}C$, 성장압력 50~200 torr이었고, 성장속도는 300~700 $\mu\textrm{m}$/hr이었다. 성장된 결정의 표면을 광학현미경으로 관찰하여 성장결함 생성기구를 현상학적으로 고찰하였고, 특히 표면에서 관찰되는 micropipes의 생성원인을 규명하였다.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.290-296
• /
• 2003

본 연구에서는 열화학기상증착법을 사용하여 6H-SiC 기판 위에 silane($SiH_4$)과 prophane($C_3H_8$)을 사용하여 3C-SiC 이종박막을 성장시키고 이의 성장 특성을 조사하였다. C/Si 유량 비율이 4.0, 운반기체의 유량은 5 slm이고 성장온도가 $1200^{\circ}C$인 경우의 박막성장율은 약 1.8 $\mu$m/h이었다. 성장박막의 Nomarski 표면형상, X-선 회절분광, Raman 산란 특성 및 광발광(PL) 특성 등을 측정하고 성장조건에 따른 결정성을 비교하였다. 이러한 평가를 통하여 성장온도 $1150^{\circ}C$ 이상에서 양질의 결정성 3C-SiC 이종박막이 성장점을 확인하였다.

• 한국양식
• /
• 제14권2호
• /
• pp.52-65
• /
• 2002

비단가리비의 인공 종묘 생산을 목적으로 전라남도 신안군 대흑산도 주변에 서식하는 비단가리비를 대상으로 인공 종묘 생산을 위한 산란 유발, 수정란의 발생 과정, 유생 사육, 채묘 및 중간 육성 등 양식 생물학적 연구를 실시하였다. 어미의 각종 산란 유발 자극에 대한 반응은 Serotonin 주사, 온도 자극, 혼합 자극에서 반응율이 가장 높았으며, 자외선 조사 해수 자극은 수컷만 반응을 하였고 간출 자극은 반응이 없어 실효성이 없는 것으로 나타났다. 수정란의 크기는 $69.5{\mu}m$이었고, 수정 후 약 2시간에 2 세포기, 8시간 후에 8 세포기, 20시간 후에는 담륜자 유생으로 부화하였으며 40시간 후에는 D상 유생으로 되었다. 수온별 비단가리비 유생의 성장은 수온 $20^{\circ}C$에서 각장 $178.9{\mu}m$로 가장 좋았으며, 이 때의 생존율은 15.5%이었다. 그러나 수온 $15^{\circ}C$에서는 낮은 성장을 보여 각장 $135.9{\mu}m$로 성장하였으며, 생존율도 9.8%로 저조하였다. 수용 밀도별 사육 시험에서 $1m{\ell}$당 1개체와 5개체에서 성장 및 생존율이 양호하여 성장 및 생존율을 볼 때 적정 사육 밀도는 $1m{\ell}$당 5개체 이하로 나타났다. 먹이 생물 종류에 따른 유생의 성장을 알기 위하여 I, gal-baba, C, calcitrans, N, oculata를 단독 또는 혼합으로 공급하였을 때 실험 종료후 각장의 성장은 I, galbana+C. calcitrans+N. oculata구가 $194.2{\mu}$로 가장 좋았고 N. oculata구는 $162.2{\mu}m$로 가장 낮은 성장을 보였다. 생존율에서는 I. galbana+C. calcitransoculata구는 9.4%로 가장 낮은 생존율을 보였다. 채묘기별 유생의 부착률은 염화비닐판을 수평으로 놓은 것과 패각이 각각 3.43%와 3.17%로 가장 양호하였으나, 양파망과 염화비닐판을 수직으로 놓은 것은 각각 1.52%와 1.61%로 비교적 저조하였다. 수정 후 40일째부터 90일째까지 측정한 부착치패의 경과 일수에 따른 각장의 성장은 $SL=184.44e^{0.0335X}(r^2=0.9861)$의 회귀직선식으로서 나타났다. 중간육성 시험에서 수심별 성장을 분석한 결과, 비단가리비 치패는 저층보다 표층이 각장 5.92mm, 전중량 6.07g 정도 더 빨리 성장하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
• /
• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
• /
• pp.332-332
• /
• 2012

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.