• Korean Journal of Crystallography
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• v.1 no.1
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• pp.19-28
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• 1990

6H-SiC is a promising material (Eg=3.0eV) for blue light-emitting doide and high-temperature semiconducting device. In the experiment, single crystals of a-SiC have been grown by the sublimation method to fabricate blue light~emitting diode. During the growth of a-SiC single crystals, a temperature Vadient, yonh temperature and pressure ranges were kept 44℃/cm , 1800-1990℃ and 50-1000 mTorr, respectively. Single crystals obtained in Acheson furnace were used as seed crystals. Polarizing microscopy and back-reflection X-ray Laue diffraction showed that the a-SiC crystal was epitaxially and on the seed crytal. It was found by XRD analysis that when other growth conditions were the same, a-SiC was grown at the temperature above 1840℃ and 3C-SiC was gown at lower temperature or under low supersaturation of vapor. The carrier type. concentration and mobility were measured be hole(p-type), 7.6x1014cm-3 and 19cm2V-1sec-1, respectively, by van der Pauw method.

• Journal of Aquaculture
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• v.13 no.2
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• pp.163-168
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• 2000

Dietary value of eight species of benthic diatoms, considered as essential live food for larvae and spat of abalone, was assessed on the retarded spat (ca 4.4 m shell length). Survival of the spat, fed on Caloneis schroderi, Phaeodactylum tricornutum and Raphoneis sp. was over 93 % and significantly higher than that of others; spat fed on C かwがwi gained the highest daily growth of 112.6 mm, which was two times faster than that fed on Undaria pinnatifida Spat fed on natural or cultured diatoms of C. schroderi grew at rates, that were not significantly different. C. schroderi is recommended to restore the retarded growth of abalone spat.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.19 no.2
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• pp.213-268
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• 1997

일국(一國)의 경제발전(經濟發展)은 경제적 진보와 근대화를 수반하는 역사적 현상이지만 구체적으로는 산업구조(産業構造)의 변화(變化)에 의한 생산(生産)과 소득(所得)의 증가(增加)라는 측면을 가지고 있다. 한국과 일본의 경제발전과정에 수반되는 경제성장과 산업구조변화에 대한 요인을 비교 분석하는 것은 양국경제의 발전현상을 이해하고, 향후의 경제정책에 기초적인 정보를 제공할 수 있다는 점에서 그 중요성이 있을 것이다. 따라서 본고는 "비례적(比例的) 성장(成長)으로부터의 편차(偏差)(DPG)" 방법을 일본의 경우는 1915~90년, 한국은 1960~90년까지의 장기적인 산업연관자료에 적용하여 양국의 산업성장과 산업생산구조변화에 대한 요인을 수요측면에서 비교 분석하였는바, 그 결과는 다음과 같이 요약된다. 우선 양국경제의 산업생산구조 및 주도산업의 변화는 시기에 있어서 차이를 보이지만 분석기간중 양국 모두에서 농림수산업은 계속해서 생산비중이 줄어들고 있고, 경제성장을 주도한 산업이 경공업에서 중화학공업으로, 그리고 중화학공업에서도 중공업으로 이전된 것으로 나타났다. 일본의 경우는 1970년대에는 생산자서비스부문을 중심으로, 그리고 1980년대에는 소비자서비스부문을 중심으로 "경제의 서비스화"가 진전되어 서비스산업이 주도산업으로 부상되고 있으나, 한국경제에서는 1990년까지도 서비스산업의 확대가 관측되지 않고 있다. 이러한 결과는 향후 한국경제의 산업생산구조에 있어서 서비스산업의 중요성이 점차 커질 것이며, 특히 "경제의 서비스화"가 생산자서비스부문을 중심으로 이루어질 가능성이 높다는 것을 시사한다. 한편 양국의 성장패턴을 살펴보면, 일본의 경우는 시기별로 성장요인에 많은 변화가 있었으나 대체로 수출보다는 국내수요(國內需要)가 경제성장에 중요한 역할을 한 것으로 나타났다. 그러나 한국경제의 성장의 성장에는 수출과 투자의 역할이 중요했으며, 특히 수출은 분석기간중 지속적으로 정(正)의 효과(效果)만을 보여 경제성장의 견인차역할을 한 것으로 나타났다. 1980년대까지 한국경제의 성장에 있어서는 수입대체보다는 수출확대를 통한 중화학공업의 육성이 지대한 영향을 미쳤으며, 이러한 수출주도적인 중화학공업의 성장패턴은 현재 국내수요(國內需要)의 규모(規模)와 산업구조변화를 일본의 경우에 비추어볼 때, 향후 몇 년 동안은 크게 변화하지 않을 것으로 판단된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.158-158
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• 2010

본 연구에서는 분자선 박막성장 장비를 (MBE) 이용하여 droplet epitaxy 방법으로 성장시킨 GaAs/AlGaAs 양자점구조의 표면전기장변화에 관하여 photoreflectance spectroscopy (PR)를 이용하였다. 본 실험에 사용된 GaAs/AlGaAs 양자점 구조는 undoped-GaAs (001) 기판을 위에 성장온도 $580^{\circ}C$에서 GaAs buffer layer를 100 nm 성장 후 장벽층으로 AlGaAs을 100 nm 성장하였다. AlGaAs 장벽층을 성장한 후 기판온도를 $300^{\circ}C$로 설정하여 Ga을 3.75 원자층를 (ML) 조사하여 Ga drop을 형성하였다. Ga drop을 GaAs 나노구조로 결정화시키기 위하여 $As_4$를 beam equivalent pressure (BEP) 기준으로 $1{\times}10^{-4}$ Torr로 기판온도 $150^{\circ}C$에서 조사하였다. 결정화 직후 RHEED로 육각구조의 회절 페턴을 관측하여 결정화를 확인하였다. GaAs 나노 구조를 성장한 후 AlGaAs 장벽층을 성장하기위해 10 nm AlGaAs layer는 MEE 방법을 이용하여 $150^{\circ}C$에서 저온 성장 하였으며, 저온성장 후 기판온도를 $580^{\circ}C$로 설정하여 80 nm의 AlGaAs 층을 성장하고 최종적으로 GaAs 10 nm를 capping layer로 성장하였다. 저온성장 과정에서의 결정성의 저하를 보상하기위하여 MBE 챔버내에서 $650^{\circ}C$에서 열처리를 수행하였다. GaAs/AlGaAs 양자점의 광학적 특성은 photoluminescence를 이용하여 평가 하였으며 780 nm 근처에서 발광을 보여 주었다. 특히 PR 실험으로부터 시료의 전기장에 의한 Franz-Keldysh oscillation (FKO)의 변화를 관측하여 GaAs/AlGaAs 양자점의 존재에 의한 시료의 표면에 형성되는 표면전기장을 측정하였다. 또한 시료에 형성된 전기장의 세기를 계산하기위해 PR 신호로부터 fast Fourier transformation (FFT)을 이용하였다. 특히 온도의 존성실험을 통하여 표면전기장의 변화를 관측 하였으며 양자구속효과와 관련성에 대하여 고찰 하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.29 no.4
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• pp.149-153
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• 2019

HVPE is one of the GaN single crystal manufacturing methods which has been commercially widely used due to its high growth rate. HVPE method consists of a number of processes, in particular the nitridation of the substrate prior to GaN growth has a significant effect on the crystalline quality of the manufactured GaN single crystal. In this study, we investigated the effect of nitridation for crystalline quality of GaN when it was grown on the sapphire substrate. The whole growth conditions except for the nitridation process were the same, and the gas flow rate supplied to the sapphire substrate was variously changed during the nitridation. Here, we examined the effect of nitridation via the surface characterization of GaN single crystal grown by HVPE.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.7 no.4
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• pp.521-527
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• 1997

Ruby single crystals of 6-7 mm in dialneter and 20-25 mm in length were grown by the xenon-arc type floating zone method using a self-designed FZHY1, Calcination and sintering conditions were investigated and optimum growth conditions were established for controlling the factors such as growth rates, rotation speeds and cooling rates. Also the available energy levels of $Cr^{3+}$ were calculated from transmission data. The growth direction of the crystals was [1010] direction identified by Laue back reflection pattern. The distribution of refractive indices on the wafer of the grown crystals was homogeneous except for the edges of the wafer. The crystals could be used as a laser material with a wavelength of 693 nm and a metastate level.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.3
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• pp.85-88
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• 2001

High oxygen pressure has been applied for a floating zone (FZ) crystal grower in order to grow high quality $TiO_2$(rutile) single crystals suitable for optical application. The $TiO_2$ crystals, grown under 0.3, 0.4, 0.5, and 0.8MPa oxygen pressure respectively, are all transparent and dark blue. The degree of the presence of sub-grain boundary in the crystal differs from the applied oxygen pressure. In particular, $TiO_2$ single crystals grown under0.5 MPa showed sub-grain boundary-free and estimated good for optical devices.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.223-223
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• 2010

InSb 물질은 다른 III-V족 물질들과 비교해서 bandgap이 낮고 전자 이동도가 높아, 소자 구현 시 낮은 전압으로도 고속 동작 특성을 제어할 수 있다는 장점이 있다. 그러나 Si, GaAs 또는 InP 등 쉽게 구할 수 있는 기판과 격자 부정합이 커서 상기 기판에 성장시 많은 defect가 존재하는 단점이 있다. 그러므로 이를 상기 기판에 성장하는데 meta-morphic이라 불리는 성장 기술이 요구되는 어려움이 있다. 본 발표에서 Semi-insulating GaAs 기판위에 고품질의 InSb 박막을 성장하기 위해 grading buffer technique을 도입하며 이에 대한 여러 가지 비교실험과 함께 최적의 성장 방법과 기술에 대해 논의 한다. GaAs와 InSb 물질사이의 bandgap과 격자 부정합을 고려하여 AlSb 물질을 먼저 성장하면서 동시에 InxAl1-xSb로 변화를 주어 InSb 박막이 성장되도록 하였다. ($x=0{\rightarrow}1$). 성장 온도 변화 및 In과 Al의 조성비에 변화를 주어 grading 기법으로 성장하였고 상기 grading buffer위에 InSb 박막을 0.65um 성장하였다. $10um{\times}10um$ AFM 측정결과 2.2nm 정도의 표면 거칠기를 가지며 상온에서의 전자 이동도는 약 46, 300 cm2/Vs 이고 sheet electron density는 9.47(e11) /cm2의 결과를 확인하였다. 실험결과 InSb 박막을 올리는데 있어 가장 고려할 사항인 GaAs 기판과 InSb 박막 사이에 존재하는 격자 부정합을 어떻게 해결하는가에 대해서, 기존의 여러가지 방법과 비교해서 grading buffer 기술이 유효하다는 것을 증명하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.57-57
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• 2011

저차원 나노구조인 자발형성 양자점은 그 우수한 전기적, 광학적 특성으로 많은 주목을 받고 있다. 이미 양자점을 이용한 소자들의 우수성이 입증이 되고 있다. 그러나 양자점의 형성은 단결정 기판 위에서 Stranski-Krastanow 성장 방법을 통해 일어나기 때문에 성장표면에 존재하는 표면 계단구조 등의 국부적인 표면 불균일성에 의해서 모두 동시에 형성되는 것은 아니다. 표면 핵생성의 시간차에 의해 양자점의 크기 불균일성이 나타나게 되며 이는 양자점의 우수성을 저해하는 요인이 된다. 특히, 비정상적으로 크게 성장된 양자점은 내부에 전위 등의 결정결함을 내포하게 되고, 양자점의 우수한 광특성을 손상시키는 주 요인이 된다. 양자점의 우수한 광특성을 소자로 응용하기 위해서는 이러한 비정상적으로 큰 양자점이 없으면서 균일한 양자점을 성장하는 것이 매우 필요하다. 본 발표에서는 그 동안 본 연구실에서 제안한 새로운 양자점 성장 방법에 대한 소개를 하고자 한다. 유기화학금속화학성장(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 도중에 V족 소스가스인 $AsH_3$의 주입을 주기적으로 끊어 주는 새로운 성장 방법(Periodic Arsine Interruption; PAI)을 제안하였다. 이 방법을 통해서 비정상적으로 형성되는 큰 양자점을 완전히 제거할 수 있었다. $AsH_3$을 끊어주는 시간 동안에 표면에서 As의 탈착을 유도하여 표면을 In-rich 쪽으로 유도하였고, 이렇게 함으로써 성장 표면에너지를 높은 쪽으로 바꾸어 줌으로써 핵생성을 위한 표면 roughening이 시작되는 것을 억제하였다. 이렇게 함으로써 미리 핵생성이 되어 비정상적으로 크게 성장하는 양자점으로 억제하면서 거의 동시에 모든 양자점이 핵생성되게 유도하였다. $AsH_3$의 주입 방법의 변화에 따른 양자점의 형성 거동을 연구함으로써 PAI 의 메카니즘을 이해할 수 있었다.

• Journal of the Economic Geographical Society of Korea
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• v.17 no.3
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• pp.447-464
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• 2014

Creative industries are important due to the capability of enhancing urban competitiveness. This study is focused on unravelling the uneven growth and geographic distributions of creative industries. The main results are as follows. First, the primary city, Seoul, has too much eminence than the citysize rule suggests, and the creative-industry elasticity is very high compared to population and all industry. Second, Seoul is reinforcing the uneven growth with adjacent cities. Third, the local main cities have little power to enhance creative industries and the local small cities grow randomly. Fourth, each city should have more deliberation in accepting creative industries as an urban growth strategy.