• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2007.06a
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• pp.387-387
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• 2007

기능성 나노소자를 구현할 수 있는 나노 소재로 0차원 구조의 양자점(quantum dot)과 1차원 구조의 양자선 및 나노선(nanorod)이 제안되고 있다. 나노선의 경우 나노스케일의 dimension, 앙자 제한 효과, 탁월한 결정성, self-assembly, internal stress등 기존의 벌크형 소재에서 발견할 수 없는 새로운 기능성이 나타나고 있어서 바이오, 에너지, 구조, 전자, 센서 등의 분야에서 활용되고 있다. 현재 국내외적으로 널리 연구되고 있는 나노선으로는 Si 및 Ge, $SnO_2$, SiC, ZnO 등이 있으며 특히, ZnO는 우수한 물리적 전기적 특성과 함께 나노선으로의 합성이 비교적 쉬워 주목받고 있는 재료이다. ZnO의 합성방법으로는 thermal CVD, MOCVD, PLD, wet-chemistry 등 다양한 방법이 사용되고 있다. 특히 MOCVD 법은 수직 정렬된 ZnO 나노막대를 합성하기가 매우 용이하다. 본 실험에서는 자체개발된 MOCVD 장비를 이용한 일차원 ZnO 나노선을 성장하였다. 이러한 ZnO 나노선의 성장은 사파이어 기판과 실리콘 기판 위에서 이루어졌으며 기판의 종류와 격자상수 불일도에 따른 상이한 성장과정을 온도에 따른 나노선 성장에서 관찰할 수 있었다. 사파이어 기판의 경우, 240도의 온도에서는 박막형상을 지닌 ZnO가 온도가 320도 이상으로 상승하면서 나노선으로 변함을 보였고, 실리콘 기판의 경우 380도 이상에서 기울기률 가진 나노선을 관찰하였으며, 420도에서는 나노선을 관찰 할 수 없었다. 또한 PL 장비를 이용한 PL 강도와 성장과정을 연관하여 생각하였을 때, 나노선의 기물기가 PL 강도비과 연관성을 가진다는 것을 측정을 통해 확인하였다.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.8 no.3
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• pp.474-477
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• 1998

We discuss the surface diffusion process of an adsorbed gas molecules by the method of Markoff probability process and give a relationship between the surface diffusion length and the surface coverage of an adsorbed molecule.

• Journal of the korean Society of Automotive Engineers
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• v.14 no.2
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• pp.5-26
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• 1992

본 연구는 "교통부문의 연료소비와 대기오염저감을 위한 연구"의 일환으로 승용차부문에 있어서 연료소비 절감을 위한 기술을 도출하여, 장랴 우리나라 혹은 개발도상국에서의 교통부문의 에너지 소비에 대한 영향을 최소화할 수 있는 정책을 고안연구하는데 있다. 이를 위하여 우리나라의 과거 30년간의 자동차공업의 성장과정과 기술개발 과정 및 국산 승용차에 대한 연료소비에 관련된 항목들의 개선사항을 구체적으로 살펴보고, 그외 연비향상을 위한 차량기술에 대해 조사하여 앞으로 국산승용차에 채택 가능한 기술들을 도출하여 보고자 한다.하여 보고자 한다.

• Journal of the Korean Society for information Management
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• v.11 no.2
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• pp.111-130
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• 1994

Comprehensive and historical development including important technological components of online information systems is described. Growth of database and online information service identified in the worldwide statistics is analyzed. Development and present state of database and online services in Korea are outlined. Based on the above historical conditions the future trend of online system is presented.

• Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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• 2002.11a
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• pp.137-138
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• 2002

입자상 물질은 자연적 또는 인위적인 오염원에 의해 직접 대기로 배출되거나 가스상 물질의 전환 과정을 통해 생성된다. 서울을 비롯한 우리나라 시정(visibility)은 맡은 부분이 가스상 물질의 전환을 통해 생성된 미세 입자에 영향을 받고 있기 때문에 미세 입자의 생성(formation)과 성장(growth) 변화를 연구하는 것은 시정(visibility)의 원인을 밝히는 중요한 과정이라고 할 수 있다. (중략)

• Journal of Life Science
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• v.28 no.12
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• pp.1469-1476
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• 2018

Occurrence of the Warburg effect in solid tumors causes resistance to cancer chemotherapy, and targeting energy metabolisms such as aerobic glycolysis is a potential strategy for alternative treatment. Dichloroacetate (DCA), an inhibitor of pyruvate dehydrogenase kinase (PDK), shifts glucose metabolism from aerobic glycolysis to oxidative phosphorylation (OxPhos) in many cancers. In this study, we investigated the anticancer effect of DCA on a human anaplastic thyroid cancer (ATC) cell line, 8505C. We found that DCA selectively inhibits cell proliferation of the 8505C line but not of a normal thyroid line. In 8505C, the cell cycle was arrested at the G1/S phase with DCA treatment as a result of decreased antiapoptotic proteins such as $HIF1{\alpha}$, PDK1, and Bcl-2 and increased proapoptotic proteins such as Bax and p21. DCA treatment enhanced the production of reactive oxygen species which consequently induced cell cycle arrest and apoptosis. Interestingly, DCA treatment not only reduced lactate production but also increased the expression of sodium-iodine symporter, indicating that it restores the OxPhos of glucose metabolism and the iodine metabolism of the ATC. Taken together, our findings suggest that PDK inhibitors such as DCA could be useful anticancer drugs for the treatment of ATC and may also be helpful in combination with chemotherapy and radiotherapy.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.4 no.3
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• pp.275-282
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• 1995

III족 원료 가스로 triethylgallium(TEGa)과 trimethylindium(TMIn)을 사용하고 V족 원료 가스로 사전 열 분해하지 않은 arsine(AsH3)과 monoethylarsine(MEAs)을 사용하여 ultrahigh vacuum chemical vapor deposition(UHVCVD)법으로 Si3N4로 패턴된 GaAs(100)기판 위에 GaAs와 InGaAsqkr막을 선택적으로 에피택시 성장을 하였다. V족 원료 가스를 사전 열 분해하지 않으므로 넓은 성장 온도 구간과 V/lll 비율에서도 선택적으로 박막이 성장되었다. 또한 선택 에피택시의 성장 메카니즘을 규명하기 위하여 다양한 filling factor(전체면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 면적중 opening된 면적의 비율)를 가지는 기판을 제작하여 성장에 사용하였다. UHVCVD법에서는 마스크에 입사된 분자 상태의 원료 기체가 탈착된 후 표면 이동이나 가스 상태의 확산과정 없이 마스크로부터 제거되므로 패턴의 크기와 모양에 따른 성장 속도의 변화나 조성의 변화가 없을 뿐만 아니라 chemical beam epitaxy(CBE)/metalorganic molecular beam epitaxy(MOMBE)법에서 알려진 한계 성장온도 이하에서 선택 에피택시 성장이 이루어졌다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.15 no.4
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• pp.69-112
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• 1993

최근 한국(韓國)을 비롯한 동(東)아시아지역(地域) 몇 나라들의 성공적인 성장업적(成長業績)에 자극되어 이들 국가들의 성공사례를 모형내(模型內)에서 이론적으로 설명해 보려는 노력이 활발히 진행되고 있다. 이 글에서는 최근의 이러한 노력의 일환으로 개발되고 있는 '내생적(內生的) 성장이론(成長理論)'을 개관하고 그 함의(含意)와 한계점(限界點)을 정리해 보았다. 먼저 내생적(內生的) 성장모형(成長模型)의 비판대상이 되고 있는 신고전파(新古典派) 성장모형(成長模型)의 한계점(限界點)을 요약하고 대체모형(代替模型)으로 제시되고 있는 몇 가지의 대표적인 신성장모형(新成長模型)을 그 특성별로 구분하여 정리하였다. 성장(成長)의 기본적 동인(動因)이라고 할 수 있는 기술진보(技術進步)나 인적자본(人的資本)의 축적(蓄積)을 내생화시키고 이를 통해 국가간(國家間) 성장률(成長率) 격차(隔差)를 모형내(模型內)에서 설명하려고 시도하는 등 여러 가지 새로운 이론적(理論的) 혁신(革新)이 이루어지고 있으나, 아직 비현실적인 수학적(數學的) 가정에 의존하고 있고 모형(模型)의 경직성으로 인하여 성장과정(成長過程)의 설명에 필수적인 주요 이슈들이 간과되어 있다는 점 등을 지적하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.485-485
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• 2013

Plasma-assisted molecular beam epitaxy법으로 자가 형성되는 InN 박막을 활용하여 GaN 박막의 결함밀도를 감소시키는 성장 구조 조건에 대하여 연구하였다. Sapphire 기판 위에 저온에서 GaN 핵층을 3 nm 두께로 성장하고, 그 위에 InN 박막을 성장 한 후, 고온에서 GaN을 성장하였다. InN박막의 성장 온도는 $450^{\circ}C$이고, 성장 시간을 30초에서 1분 30초까지 각각 달리 하였다. 실험결과 InN 층이 삽입된 GaN 박막이 상대적으로 고른 표면이 형성되는 과정을 reflection high energy electron diffraction로 관측하였고, atomic force microscope를 측정하여 표면 거칠기의 개선을 확인하였다. InN 성장시간 변화에 따른 결정학적, 광학적 특성 변화를 x-ray diffraction, photoluminescence 이용하여 조사하였고, 본 연구를 통해 InN박막을 활용한 양질의 GaN 박막 성장 가능성을 확인하였다.

• KDI Journal of Economic Policy
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• v.16 no.3
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• pp.147-178
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• 1994

우리나라 경제(經濟)는 1960년대초 이후 거의 지속적(持續的)인 고도성장(高度成長)을 이룩하여 왔다. 이와 같은 고도성장(高度成長)이 가능하였던 원인(原因)으로서는 1960년대초 이후 수출주도형(輸出主導型) 공업화정책(工業化政策)의 계속적이고 성공적인 추진을 들 수 있으며, 또한 정치적(政治的), 사회(社會) 경제적(經濟的) 여건과 요인들도 고도성장(高度成長)에 기여(寄與)했을 것이다. 본고(本稿)는 인적(人的) 및 물적(物的) 부존자원조건(賦存資源條件)과 그에 따른 자원(資源)의 배분(配分) 및 생산성변화(生産性變化)등과 관련된 우리나라 경제성장요인별(經濟成長要因別) 기여도(寄與度)를 Edward F. Denison의 접근방법에 의해서 추정했으며 1963~92년간을 분석대상으로 하였다. 이 접근방법으로 추정한 1963~82년간에 대한 Kim and Park(1985) 의 측정결과를 수정발표된 국민계정자료(國民計定資料)에 의해서 1972년부터 수정하고 1992년까지 연장추정하였다. 추정결과는, 과거 우리나라의 고도성장요인(高度成長要因)이 구체적으로 무엇이었던가 하는 문제에 대한 해답과, 선진국가(先進國家)의 성장요인(成長要因)과의 비교분석을 통하여 일반적(一般的)인 경제성장과정(經濟成長過程)의 보다 확실한 이해를 위한 자료로서, 또는 우리나라의 장내(將來) 성장잠재력(成長潛在力)을 전망(展望)하는 데 유용한 자료로서 이용될 수 있을 것으로 기대한다.