• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1469-1470
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• 2011

본 연구에서는 ZnO 입자 다중 성장을 이용하여 DSC를 제작하여 ZnO DSC의 가능성을 점검하고자 하였다. ZnO 입자 성장은 zinc acetate solution을 이용하여 seed layer를 제작한 후 zinc nitrate와 NaOH 혼합 용액에 다중성장 시킴으로써 완성되며 이를 이용하여 ZnO DSC를 제작하였다. 그 결과 ZnO가 입자형태로 얻어짐을 확인하고 ZnO DSC를 성공적으로 제작할 수 있었으며 ZnO 입자 성장 후 소성을 통해 ZnO DSC의 성능을 0.406%에서 1.385%까지 개선시킬 수 있었다.

• Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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• 2017.11a
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• pp.1075-1075
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• 2017

기업의 성장동력 전략으로 내부 개발역량에 의존하는 자생적/유기적(Organic Growth) 방식과 전략적 제휴나 인수/합병을 통해 외부 자원을 활용하는 비유기적 성장(Inorganic Growth) 방식을 나눌수 있다. 하지만 이러한 혁신전략 안에는 성공과 실패가 공존하고 있으며 특히 최근에는 조직내 혁신을 달성하기 위해 연구 및 개발, 상용화에 이르기까지 혁신 과정을 개방하여, 외부 자원을 적극활용함으로써 혁신의 비용을 줄이고 성공가능성을 높여 부가가치 창출을 극대화하는 혁신활동중 하나로 개방형혁신(Open innovation)을 많이 활용 하고 있다. 하지만 더 나아가 사업의 지속 가능한 성장을 위해서는 External Organic Innovation을 같이 활용하는 새로운 혁신전략 활동 전개가 필요하다. 그래서 본 연구에서는 이러한 혁신 전략들의 성공-실패 사례분석을 통해 4차 산업혁명시대에 맞는 혁신전략을 살펴보고자 한다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.16 no.5 s.71
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• pp.125-135
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• 2001

본 고는 정보통신산업의 성장.발전에 중.단기적으로 영향을 미치고 있는 영향요인들을 살펴본 후, 2001년부터 2005년까지의 정보통신산업 성장전망을 분석해 보기 위하여 작성되었다. 특히, 본 고는 최근 들어 정보통신산업의 새로운 성장엔진으로 부각되고 있는 인터넷, 이동통신, 디지털방송, 정보보호, 정보가전 등 신기술산업들의 성장세를 바탕으로 현재의 IT 경기 침체가 2002년을 고비로 회복세로 전환될 것이라는 다소 낙관적인 전제 하에 향후의 정보통신산업 발전가능성을 모색해 보았다. 향후의 정보통신산업 발전전망을 정확히 예측한다는 것은 어려운 일이지만, 현재의 상황을 정확히 파악함으로써 적시에 적절한 대책을 마련하여 추진하는 것은 국가 경쟁력 향상을 위해 매우 긴요한 일이 될 것이다. 마지막으로 본 고에서는 최근 발생한 미국 테러사태의 충격이 장기화하지 않을 것이라는 전제에도 불구하고 2001년도 정보통신산업의 생산시장 증가율이 1% 수준 이하에 그칠 것이라는 점을 지적하였다.

• 해운
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• s.88
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• pp.12-20
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• 2012

2011년 건화물선 운임지수 평균값은 1,549p를 기록, 2010년 2,758p 대비 44% 가량 낮은 수준을 기록한 동시에 1,137p를 기록했던 2002년 이후 9년여만에 가장 낮은 수준을 기록하였다. 작년 9월 국제통화기금(IMF)에서 발표한 World Economic Outlook 기준 2012년 세계 경제 성장률은 4.0% 성장으로, 중국과 인도, 브라질 등 개도국들의 강한 성장이 미국과 유럽의 저성장을 상쇄할 것이라고 발표하였다. 그러나 IMF는 세계 경제가 유럽위기로 위험한 상황에 처해 있으며 중국 등의 이머징 국가도 위기의 영향을 받고 있다고 경고하며 올해 세계 경제 성장률이 하향 조정될 가능성이 있는 것으로 전망되고 있다. 그러나, 2012년 케이프선형을 둘러싼 수급여건은 다소 개선될 것으로 전망됐다. 다음은 캠코 선박운용 주식회사에서 발표한 "2012년 건화물선 시황전망"의 주요 내용을 요약정리한 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.344-344
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• 2010

그라핀 나노리본은 독특한 전기적 특성으로 인하여 차세대 나노 소자용 신소재로 주목을 받고 있으며 리본의 폭과 가장자리 구조에 따라 여러 가지 다른 특성을 나타낸다고 알려져 있다. 우리는 Scanning Tunneling Microscopy(STM) 실험을 통하여 기울어진 6H-SiC(0001) 면 위에서 그라핀 나노리본의 성장 가능성을 조사하고 성장된 그라핀 나노구조의 가장자리에서 나타나는 구조에 대하여 연구하였다. 그라핀 성장의 초기 단계에서는 리본 형태의 그라핀 나노 구조를 볼 수 있었으나 그라핀 성장 과정을 거치면서 SiC 기판의 잘 정렬된 계단 구조가 망가져서 그라핀 나노리본 배열의 형성에는 한계가 있음을 확인할 수 있었다. 원자 수준의 STM 이미지를 통해서 그라핀 나노 구조의 가장자리에서 큰 육각형 형태의 양자 간섭 무늬를 관찰하였는데 이러한 형태는 흑연 위의 그라핀 나노 조각에 대한 연구에서 관찰된 것과 동일한 것으로 Armchair 형태의 가장자리 구조의 경우에 형성된다고 알려져 있다.[1] 이로부터 SiC(0001) 표면위에 형성된 그라핀 나노 구조의 경우에도 Armchair 형태의 가장자리 구조가 더 안정적임을 알 수 있었다. 이러한 구조의 국소 전자 구조에 대하여 알아보기 위하여 Scanning Tunneling Spectroscopy 측정도 함께 수행하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.2-2
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• 2010

텐덤형 태양전지는 다양한 에너지 대역을 동시에 흡수할 수 있도록 제작할 수 있어 단일접합 태양전지에 비해 높은 에너지변환효율을 기대할 수 있다. 본 연구에서는 GaAs를 기반으로 양자점 혹은 양자우물 구조를 이용한 고효율 텐덤형 태양전지를 설계하고, 완충층 및 활성층의 특성을 분석하였다. 분자선 단결정 성장 장비를 이용하여 GaAs 기판 위에 메타모픽 (metamorphic)성장법을 이용하여 convex, linear, concave 형태로 조성을 변화시켜 $In_xAl_1-_xAs$ 경사형 완충층을 성장한 후 그 특성을 비교하였다. 또한, 최적화된 경사형 완충층 위에 1.1 eV와 1.3 eV의 에너지 대역을 각각 흡수할 수 있는 적층 (5, 10, 15 층)된 InAs 양자점 구조 또는 InGaAs 양자우물구조를 삽입하여 p-n 접합을 성장하였다. 그리고 GaAs/AlGaAs층을 이용한 터널접합에서는 GaAs층의 두께 (20, 30, 50 nm)에 따른 터널링 효과를 평가하였다. 그 결과, 경사형 완충층을 통해 조성 변화로 인한 결함을 최소화하여 다양하게 조성 변화가 가능한 고품위의 구조를 선택적으로 성장할 수 있었으며, 적층의 양자점 구조 및 양자우물 구조를 이용해 고효율 텐덤형 태양전지의 구현 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2011.05a
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• pp.35.1-35.1
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• 2011

수열합성법으로 제작된 ZnO 나노와이어는 저온 MBE (Molecular Beam Epitaxy) 방식과 달리 Ti, Au와 같은 촉매로 부터 성장이 끝난뒤 나노와이어 끝에 남는 촉매를 제거해야할 필요가 없으며, 저온에서 합성이 가능하기 때문에 현재 연구가 많이 되고 있는 방법중에 하나이다. 본 연구에서는 수열 합성법을 이용하여 금속촉매 또는 AZO로 seed를 형성한 후 기판 위에 균일한 크기의 ZnO 나노막대를 성장시키고 성장밀도 및 길이의 간편한 제어를 하였다. 이를 위해 계면활성제인 PEI (Polyethyleneimine) 첨가 및 Chloride ($Cl_-$)를 조절하여 ZnO 나노와어의 성장밀도를 조절 하고자 하였다. 실험방법으로는 전구체인 Zn(NO3)2${\cdot}$6H2O와 HMT에 Chloride 계열인 Ammonium chloride 와 Kcl 의 몰농도를 각각 조절하고 PEI를 첨가하여, ZnO 나노와이어를 성장하였다. 성장된 ZnO 나노와이어의 특성을 평가하기 위해 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)을 이용하여 광학적인 특성을 측정하였으며, 결정성을 조사하기 위해 X-ray diffraction (XRD)을 이용하여 분석하였다. 또한 scanning PL 장비를 통해 photoluminescence양을 측정하고 ZnO 나노와이어의 응용 가능성을 평가하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.226-226
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• 2013

GaN는 III-V족 물질로 밴드갭이 3.4 eV으로 가시광선 영역에서 투명하며 우수한 전기적 특성으로 인해 여러 반도체 분야에서 응용되고 있는 물질이다. GaN 박막의 성장 방법으로는 molecular beam epitaxial 방법과 metal organic chemical vapor deposition 방법이 있지만 고비용인 단점이 있다. 이에 비해 sputtering 방법으로 성장시킨 GaN 박막은 비용이 적게 들고 저온에서 성장이 가능하다는 장점이 있다. 이 연구에서는 radio frequency sputter를 사용하여 GaN 박막을 성장하여 구조적, 광학적 특성을 분석하였다. GaN 박막은 각각 단일층의 그래핀과 c-축 사파이어 기판에 증착 하였으며, 이때 기판온도는 $25^{\circ}C$, $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$로 변화를 주었고, N2 분압은 2 sccm, 5 sccm, 10 sccm으로 변화를 주었다. 그래핀과 사파이어 기판에 성장된 각각의 GaN 박막의 결정성을 투과전자현미경 이미지로 측정하여 비교하였다. $4{\times}10^{-3}$ Torr 진공도와 50 W의 방전 전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 20 min 동안 증착된 GaN 박막 두께는 70 nm정도를 가지는 것으로 확인하였다. X-ray Diffraction 측정으로 사파이어 기판 및 (002) 방향으로 성장된 GaN의 피크를 확인하였다. 추가적으로 Photoluminescence 스펙트럼은 N2 분압의 변화와 yellow luminescence 영향을 받는 것을 확인하였다. 본 연구를 통하여, 증착된 기판온도와 N2 분압의 변화에 따른 그래핀 및 사파이어 기판에 증착된 GaN 박막의 특성을 비교하였으며, sputtering 방법으로 고품질의 GaN 박막을 성장시킬 수 있는 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korea Technology Innovation Society Conference
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• 2017.08a
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• pp.84-100
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• 2017

제1차 벤처붐을 겪은 이후 후기에 안정된 기업에 투자를 선호하는 벤처투자방식의 변화가 나타나고 있다. 기업성장단계에서 초기에서 중기에 있는 기업의 경우 자금의 부족을 경험하며, 지속적인 성장을 위해서 정부 R&D자금 지원을 받고 있다. 하지만 정부의 R&D자금 지원이 과연 지속가능성 측면에서 경쟁력이 있는 기업에게 지원되고 있는가에 대한 우려의 목소리가 있다. 본 연구는 제조업에 속하는 벤처기업을 대상으로 DEA 효율성 분석을 실시하였다. 이를 통하여 제조업에 속한 핵심 산업인 ICT제품과 같은 첨단제조와 기계, 자동차와 같은 일반제조에 속한 벤처기업의 효율성을 살펴보고, R&D지원을 받는 벤처기업과 그렇지 않은 기업을 비교분석한다. 추가로 두 집단 간의 특성(혁신성, 성장성, 수익성, 안전성)이 1년간 어떻게 변화하였는지 분석한다. 실증 분석결과, 제조업에 속한 R&D자금을 지원받는 벤처기업의 경우 그렇지 않은 기업보다 효율성이 낮은 것으로 나타났다. 이는 지원을 받은 벤처기업이 지속가능한 측면에서 비지원기업 보다는 경쟁력이 낮음을 시사한다. 그리고 1년간의 여러 특성의 변화를 살펴본 결과, 혁신성에서는 지원기업이 높은 성과를 창출하였지만, 수익성에 있어서 비지원기업 보다 저조한 것으로 나타났다. 따라서 정부의 R&D지원이 지속가능성 측면에서 경쟁력이 있는 기업에게 지원되기 위해서는 기술력뿐만 아니라 경영 효율성을 고려하는 시도가 필요하다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.211.2-211.2
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• 2013

ITO (indium tin oxide)는 스마트폰을 비롯한 여러전자제품의 터치패널 투명전극으로 가장 많이 쓰이고 있는 물질이다. 산화 인듐(In2O3)과 산화 주석(SnO2)의 화합물로 우수한 전기적 특성과 광학적 특성을 지녀 태양전지 분야에서도 그 활용가능성이 높다. 또한 최근 고효율 태양전지인 HIT (heterojunction with intrinsic thin layer) solar cell의 경우 Si 기판의 두께가 얇고, 소자의 양면에서 태양광을 흡수하여 효율을 증가 시키데, 특히 투명 전극의 물리적 특성들과 계면의 트랩의 상태가 효율에 영향을 미친다. 본 연구에서는 HIT Si 기판의 태양전지 구조에 전극으로 쓰일 ITO 박막을 sputtering 방법으로 증착하여 물리적 특성을 연구하였다. ITO 타겟을 활용한 radio frequency magnetron sputtering 방법으로 Si 기판에 ITO 박막을 증착하였다. 50W의 방전전력과 Ar 10 sccm 분위기에서 성장시킨 ITO 박막을 Transmission Electron Microscope 로 측정하였다. X-ray Diffraction 측정으로 ITO 결정의 방향성을 확인하고 Photoluminescence 측정으로 성장된 ITO 박막의 밴드갭 에너지를 확인하였다. $100^{\circ}C$, $200^{\circ}C$, $300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$에서 후열처리한박막의 광 투과율, 비저항, 이동도를 측정 비교하여 적절한 후열처리 온도를 찾는 연구를 진행하였다. Sputtering 방법으로 성장시킨 ITO 박막의 전기적, 광학적 특성을 측정하여 HIT solar cell에 활용될 가능성을 확인하였다.