• 제목/요약/키워드: 성능향상 패키지

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RtMLF(Routable Molded Lead Frame) 패키지 소개 및 응용 (Introduction of Routable Molded Lead Frame and its Application)

  • 김병진;방원배;김기정;정지영;윤주훈
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제22권2호
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    • pp.41-45
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    • 2015
  • 리드프레임의 우수한 열적/전기적 특성을 유지하면서 많은 I/O수를 수용할 수 있는 구조, 그리고 라미네이트의 디자인 팬인(Fan-in) 및 팬아웃(Fan-out) 설계 유연성을 유지하면서 가격경쟁력을 향상 시킬 수 있는 몰딩기판(Molded substrate)을 기반으로 한 RtMLF(Routable Molded Lead Frame) 패키지를 개발하였다. 개발된 패키지의 구조적 특징을 이용하여, 열적 전기적 성능의 우수성을 시뮬레이션을 통해서 확인하였으며, 제조 및 신뢰성 분석을 수행하여 생산 적용 가능성을 확인하였다.

패키지 명을 이용한 안드로이드 애플리케이션 자동 분류 체계 (The System of Automatic Classify Android System Using Package Name)

  • 문상훈;유인경
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2015년도 추계학술발표대회
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    • pp.1042-1044
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    • 2015
  • 나날이 향상되고 있는 디바이스 성능과 기능에 따라 사용자가 활용할 수 있는 App의 수가 증가하고 있다. 이로 인해 사용자 입장에서 유지 및 관리해야 하는 App이 점차 많아지고 있지만 사용자의 편의성을 위해 효율적으로 분류하기 위한 연구는 많지 않다. 본 논문에서는 App을 좀 더 효율적으로 관리하기 위한 분류 방법을 제안한다.

마이크로 전자패키지용 Substrates 원자재에 대한 기술동향 및 특성 (Recent Technical Trend and Properties on Raw Materials of Substrates for Microelectronic Packages)

  • 이규제;이효수;이근희
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제10권3호
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    • pp.43-55
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    • 2003
  • 최근 IT산업의 발달과 그에 따른 전자부품기술의 발전이 가속화됨에 따라, 전자부품의 경박 단소화 및 고성능에 대한 요구는 전자패키지 (electronic package) 및 반도체기판(PKG substrate) 업체들로 하여금 고밀도의 입출력(I/O)과 우수한 열적, 전기적 특성을 보유하면서 높은 양산수율로 제품이 가격경쟁력을 갖도록 유도하고 있다. 이러한 경향에 따라 세계적인 반도체 회사(chip-maker)들은 더욱 혹독한 조건의 신뢰성 표준을 마련하여 제반 산업에 전반적인 적용을 요구하고 있으며, 환경친화 및 고주파, 고성능의 특성을 지닌 새로운 소재를 개발하도록 촉구하고 있는 실정이다. 반도체기판은 구성소재에 따라 구현되는 특성의 범위가 매우 크므로 우수한 특성의 소재를 반도체기판에 적용할 때 고객의 요구조건에 충분히 만족시킬 수 있을 것으로 기대된다. 따라서, 기판업계에서는 우수한 특성을 나타내는 원자재의 개발 및 수급이 절실하게 되었으며 급변하는 원자재의 기술 동향에 대한 분석은 향후 전자패키지 및 기판제품의 경쟁력을 향상시킬 수 있을 것이므로 본 연구에서는 최신 반도체기판 원자재의 기술 동향과 원자재의 특성을 분석하고자 하였다.

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봉지막이 박형 실리콘 칩의 파괴에 미치는 영향에 대한 수치해석 연구 (Effects of Encapsulation Layer on Center Crack and Fracture of Thin Silicon Chip using Numerical Analysis)

  • 좌성훈;장영문;이행수
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제25권1호
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    • pp.1-10
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    • 2018
  • 최근 플렉서블 OLED, 플렉서블 반도체, 플렉서블 태양전지와 같은 유연전자소자의 개발이 각광을 받고 있다. 유연소자에 밀봉 혹은 봉지(encapsulation) 기술이 매우 필요하며, 봉지 기술은 유연소자의 응력을 완화시키거나, 산소나 습기에 노출되는 것을 방지하기 위해 적용된다. 본 연구는 봉지막(encapsulation layer)이 반도체 칩의 내구성에 미치는 영향을 고찰하였다. 특히 다층 구조 패키지의 칩의 파괴성능에 미치는 영향을 칩의 center crack에 대한 파괴해석을 통하여 살펴보았다. 다층구조 패키지는 폭이 넓어 칩 위로만 봉지막이 덮고있는 "wide chip"과 칩의 폭이 좁아 봉지막이 칩과 기판을 모두 감싸고 있는 "narrow chip"의 모델로 구분하였다. Wide chip모델의 경우 작용하는 하중조건에 상관없이 봉지막의 두께가 두꺼울수록, 강성이 커질수록 칩의 파괴성능은 향상된다. 그러나 narrow chip모델에 인장이 작용할 때 봉지막의 두께가 두껍고 강성이 커질수록 파괴성능은 악화되는데 이는 외부하중이 바로 칩에 작용하지 않고 봉지막을 통하여 전달되기에 봉지막이 강하면 강한 외력이 칩내의 균열에 작용하기 때문이다. Narrow chip모델에 굽힘이 작용할 경우는 봉지막의 강성과 두께에 따라 균열에 미치는 영향이 달라지는데 봉지막의 두께가 작을 때는 봉지막이 없을 때보다 파괴성능이 나쁘지만 강성과 두께의 증가하면neutral axis가 점점 상승하여 균열이 있는 칩이 neutral axis에 가까워지게 되므로 균열에 작용하는 하중의 크기가 급격히 줄어들게 되어 파괴성능은 향상된다. 본 연구는 봉지막이 있는 다층 패키지 구조에 다양한 형태의 하중이 작용할 때 패키지의 파괴성능을 향상시키기 위한 봉지막의 설계가이드로 활용될 수 있다.

미래사회를 지탱하는 파워디바이스 기술의 진전

  • 대한전기협회
    • 전기저널
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    • 통권323호
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    • pp.69-75
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    • 2003
  • 불투명한 경제정세의 와중에서도 전기에너지를 지탱하는 근간이 되는 파워 일렉트로닉스 분야는 확실히 그 기술개발을 향상시켜 오고 있다. 특히 파워디바이스는, 지구환경과 생활환경을 보다 쾌적하게 하기 위하여 인버터 장치 등의 각종 전력절약기기와 풍력$\cdot$태양광$\cdot$연료전지 등 클린에너지의 전력제어장치에 없어서는 안되는 반도체디바이스로 성장했다. 파워디바이스 중에서도 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)의 기술혁신은 요 20년 사이에 비약적인 성과를 거두었다. 1980년대에 제품화된 IGBT는, 반도체메모리의 초미세가공기술을 도입하면서 $5{\mu}m$에서 서브미크론의 디자인툴로 발전하여, 2000년대에 들어 칩의 전류밀도는 약 2배, 포화전압은 약 $65\%$까지 개량되었다. 이와 같은 IGBT의 변천은, 전력손실을 대폭적으로 저감시켜 에너지절약기기의 전력변환효율 향상에 공헌하고 있다. 파워디바이스의 기술진보에서 또 한 가지 잊지 말아야 할 것은 주변회로의 집적화(集積化)에 의한 고성능$\cdot$고기능화이다. 최근의 인버터용 파워디바이스로 가장 많이 사용되고 있는 파워모듈은, IGBT등의 파워칩과 그 주변회로와의 컬래버레이션에 의한 제품이다. 다시 말하면 구동회로, 전류$\cdot$전압$\cdot$온도센서 및 그것들의 보호회로가 IC(집적회로)에 편입되어 고기능$\cdot$소형화를 촉진시키고 있다. 구동회로는 LVIC (저전압집적회로)에서 HVIC(고전압집적회로)로 발전하여 전류$\cdot$온도 등의 각종 센서도 동일 칩에 설계할 수 있게 되었다. 또 센싱이나 보호기능뿐만이 아니라 출력전류의 제어를 위한 연산기능과 di/dt의 제어기능이 내장되도록 되어 있어 보다. 고성능의 인텔리전트 파워모듈(IPM)이라고 불리우는 새로운 개념의 파워디바이스가 실현되었다. 또한 패키지 기술도 내부배선 인덕턴스의 저감과 트랜스퍼 몰드패키지의 개발로, 소형화뿐만이 아니라 파워칩의 성능$\cdot$기능을 충분히 발휘할 수 있도록 개발이 적극적으로 추진되고 있다.

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Through Silicon Via 고주파 모델링 기술

  • 안승영;김기범
    • 한국전자파학회지:전자파기술
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    • 제27권2호
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    • pp.39-46
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    • 2016
  • 저전력화, 고성능화, 경박단소화로 발전해 나가는 전자산업의 트렌드에 부합하는 기술로 TSV는 진보된 3D IC에서 널리 사용되어질 가장 잠재력이 큰 기술이다. 미세공정의 한계에 근접하고 있는 만큼 그동안 전 세계 유수의 반도체 업체들과 연구소들이 TSV의 공정기술 및 전기적 성능을 향상시키기 위한 많은 노력을 기울이고 있다. 이러한 노력은 차원 Scaling의 한계 극복한 차세대 전자패키지 및 모듈 기술 분야의 원천 기술을 확보함으로써 관련 산업 분야의 기술 선도가 가능하고 초소형/고성능 시스템 및 부품 개발로 관련 지적 재산 획득이 가능하며, 국제적 전자산업 경쟁 우위를 유지하고, 새로운 시장 창출 및 시장 선점하기 위한 것이다. 본 글에서 기본적인 TSV 형성을 위한 공정기술에 대해 소개하였고, TSV를 등가회로로 표현하고, 전기적 성능을 빠르게 예측하기 위한 내용을 언급하였다. 또한 TSV 기술의 국내외 연구동향을 소개하면서 향후 반도체 시장에서 TSV 기술이 시장의 주도권을 쥔다고 할 수 있을 만큼, 앞으로도 3D 패키징에 대한 연구개발이 지속적일 것으로 기대한다.

TSOP(Thin Small Outline Package) 열변형 개선을 위한 전산모사 분석 (Numerical Analysis for Thermal-deformation Improvement in TSOP(Thin Small Outline Package) by Anti-deflection Adhesives)

  • 김상우;이해중;이효수
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.31-35
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    • 2013
  • TSOP(Thin Small Outline Package)는 가전제품, 자동차, 모바일, 데스크톱 PC등을 위한 저렴한 비용의 패키지로, 리드 프레임을 사용하는 IC패키지이다. TSOP는 BGA와 flip-chip CSP에 비해 우수한 성능은 아니지만, 저렴한 가격 때문에 많은 분야에 널리 사용되고 있습니다. 그러나, TSOP 패키지에서 몰딩공정 할 때 리드프레임의 열적 처짐 현상이 빈번하게 일어나고, 반도체 다이와 패드 사이의 Au 와이어 떨어짐 현상이 이슈가 되고 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서는 리드프레임의 구조를 개선하고 낮은 CTE를 갖는 재료로 대체해야 한다. 본 연구에서는 열적 안정성을 갖도록 리드프레임 구조 개선을 위해 수치해석적 방법으로 진행하였다. TSOP 패키지에서 리드프레임의 열적 처짐은 반도체와 다이 사이의 거리(198 um~366 um)에서 안티-디플렉션의 위치에 따라 시뮬레이션을 진행하였다. 안티-디플렉션으로 TSOP 패키지의 열적 처짐은 확실히 개선되는 것을 확인 했다. 안티-디플렉션의 위치가 inside(198 um)일 때 30.738 um 처짐을 보였다. 이러한 결과는 리드프레임의 열적 팽창을 제한하는데 안티-디플렉션이 기여하고 있기 때문이다. 그러므로 리드프레임 패키지에 안티-디플렉션을 적용하게 되면 낮은 CTE를 갖는 재료로 대체하지 않아도 열적 처짐을 향상시킬 수 있음을 기대할 수 있다.

팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지 공정 중 재료 물성의 불확실성이 휨 현상에 미치는 영향 (Effect of Material Property Uncertainty on Warpage during Fan Out Wafer-Level Packaging Process)

  • 김금택;강기훈;권대일
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제26권1호
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    • pp.29-33
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    • 2019
  • 전자패키지 크기의 소형화와 전자기기의 성능 향상이 함께 이루어지면서 높은 입출력 밀도 구현이 중요한 요소로서 평가받고 있다. 이를 구현하기 위해 팬아웃 웨이퍼 레벨 패키지(FO-WLP)가 큰 주목을 받고 있다. 하지만 FO-WLP는 휨(Warpage) 현상에 취약하다는 약점이 있다. 휨 현상은 생산 수율 감소와 더불어 패키지 신뢰성 하락에 큰 원인이므로 이를 최소화하는 것이 필수적이다. 유한요소해석을 이용한 재질의 물성 등 FO-WLP의 휨 현상과 연관된 요소에 대한 많은 연구가 진행되어 왔지만, 대부분의 연구는 이러한 요소들의 불확실성을 고려하지 않았다. 재질의 물성, 칩의 위치 등 패키지의 휨 현상과 연관된 요소들은 제조 측면에서 보았을 때 불확실성을 가지고 있기 때문에, 실제 결과와 더 가깝게 모사하기 위해서는 이러한 요소들의 불확실성이 고려되어야 한다. 이번 연구에서는 FO-WLP 과정 중 칩의 탄성 계수가 정규 분포를 따르는 불확실성을 가졌을 때 휨 현상에 미치는 영향을 유한요소해석을 통해 알아보았다. 그 결과 칩의 탄성 계수의 불확실성이 최대 von Mises 응력에 영향을 미치는 것을 확인하였다. Von Mises 응력은 전체 패키지 신뢰성과 관련된 인자이기 때문에 칩의 물성에 대한 불확실성 제어가 필요하다.

광반응 재료가 코팅된 단주기 광섬유격자 기반 자외선센서의 광민감도 향상 연구 (Improving the Sensitivity of an Ultraviolet Optical Sensor Based on a Fiber Bragg Grating by Coating With a Photoresponsive Material)

  • 김우영;김찬영;김현경;안태정
    • 한국광학회지
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    • 제26권2호
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    • pp.83-87
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    • 2015
  • 본 논문은 자외선 광학센서 개발에 관한 것이다. 기존에 반도체 기반 자외선 센서를 대체하기 위해 개발된 단주기 광섬유격자기반 자외선 센서에 대한 측정 민감도를 향상시키기 위한 다양한 장치들을 설계하고 실험을 통해 성능을 확인하였다. 최근 연구를 통해 자외선 흡수에 따라 인장력이 유도되는 아조벤젠 폴리머 재료와 장력에 따른 광섬유격자 특성 변화를 조합하여 새로운 자외선 센서의 개념이 제시되었다. 본 연구에서는 광섬유격자 기반 자외선 센서에서 흡수하지 못하고 통과되는 자외선 잔광을 반사판을 이용해서 다시 반사시켜 센서에서 재흡수되는 원리로 센서의 민감도를 향상시켰다. 본 논문에서는 반사판의 종류를 선정하고 반사판의 곡률반경을 최적화하였다. 또한 기존의 원통형 집광렌즈를 이용한 민감도 향상 기술을 접목 시켜 아무런 장치가 없을 때와 비교해서 약 15배의 성능을 향상시키는 결과를 얻었다. 또한 외부 환경 효과를 줄이기 위한 패키지 모듈을 제작하여 적용하고 그 특성을 분석하였다.

NDK 기반 공개키 암호를 위한 곱셈기 구현 및 분석 (Implementation and Analysis of Multi-precision Multiplication for Public Key Cryptography Based on NDK)

  • 서화정;김호원
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제16권11호
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    • pp.2347-2354
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    • 2012
  • 안드로이드 상에서의 프로그램 개발은 JAVA SDK를 통해 이루어진다. 하지만 JAVA의 사용은 virtual machine 상에서의 동작으로 인해 기존의 C언어에 비해 성능이 떨어지는 단점을 가진다. 최근에는 이러한 문제점을 해결하기 위해 NDK를 이용한 최적화 프로그램 개발이 사용되고 있다. 해당 기법은 안드로이드 프로그램을 C언어로 작성하여 연산을 효율적으로 수행한다. 본 논문에서는 안드로이드 상에서의 공개키 기반 암호화를 비교 분석하기 위해 NDK와 SDK를 사용하여 곱셈을 구현한다. SDK의 구현에는 BigInteger 패키지를 사용하였으며 NDK의 구현에는 Comb method를 사용하였다. 또한 안드로이드 상에서의 사칙연산, 조건문 그리고 호출문의 연산 수행 결과를 비교하여 NDK를 통한 성능향상에 대해 알아본다.