Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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2003.11a
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pp.281-282
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2003
Olfactometer를 이용한 악취평가방법은 1986년 미국에서 표준방법(ASTM)으로 인정된 후 유럽 공동체(prEN 13725), 독일(VDI), 네덜란드(NVN2820) 등 여러나라에서 표준방법으로 다양하게 활용되고 있다. Olfactometer의 개발은 초기에 가축사육시설 부근의 냄새 유발에 따른 냄새의 정량화와 냄새 제어를 목적으로 발전하였으나, 근래에는 공업화와 산업화에 따른 산단지역에서의 냄새 배출원평가와 관리 및 부지경계에서의 냄새 농도평가의 필요성에 따라 많은 개발과 발전을 이루어왔다. (중략)
Secondary ion mass spectrometry (SIMS) uses focused high-speed primary ions to produce secondary ions from sample surface that are analyzed through a mass filter. SIMS is often called as ion microprobe, since it offers a micrometer-scale spatial resolution. Although the precision and accuracy of SIMS are not as good as many conventional mass spectrometers, it has several advantages such as small sample-size requirement, high spatial resolution and capability of in-situ analysis. In the field of geochemistry/cosmochemistry, SIMS is widely used for (1) stable isotope geochemistry of H, C, O, S, etc., (2) geochronology of U/Th-bearing minerals, (3) lateral distribution of trace elements in a mineral, and (4) discovery of presolar grains and investigation of their isotopic compositions.
Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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2003.05b
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pp.364-365
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2003
모델에 입력되는 지형자료의 형태는 좌표별 고도가 체계적으로 정리된 DEM(Digital Elevation Model)형태를 사용할 수 있으며, 과거에는 이러한 지형자료를 얻기 위해 대상지역의 지형도 중 등고선을 대상으로 좌표별 고도수치를 정리하여 구축하거나, 섬세한 지형자료를 구축하고자 할 경우 각 고도별 등고선자료를 scan한 후에 각 등고선별 고도자료의 위상관계를 설정해 주는 작업을 진행하였으나, 두 방법 모두 상당량의 수정작업과 반복작업이 요구되는 단점을 갖고 있었다. 그러나 국립지리원 주도로 1998년 9월부터 시작된 NGIS(National Geogralhic Information Sydtem)사업에 의해 구축된 수치지도를 이용하여 등고선별 고도자료를 추출하고, 이를 가공하여 모델의 입력자료로 활용하는 방법이 최근에 소개되고 있으며, 지형자료의 구축에 소요되는 시간 및 정확한 자료를 구축할 수 있다. (중략)
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.96-96
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2003
벌크 형태의 CaN 단결정 성장은 매우 곤란한 관계로 아직까지 관련 기술의 개발이 미흡한 실정이다 오랜 기간동안 승화 (sublimation)법으로 대구경 벌크 GaN 단결정을 성장시키고자 하는 노력이 지속되었지만 최근까지도 만족할 만한 결과가 보고되지 않고 있다. 본 논문에서는 종래의 방법과는 달리 출발물질로서 GaOOH 분말을 채택하고, 이를 NH$_3$ 분위기에서 가열 반응시켜 GaN 결정을 성장시켰다. 반응온도와 반응시간 및 NH$_3$ 유량 등의 성장조건에 따른 GaN 결정의 성장거동과 광학적 특성을 조사하였다. 원료인 GaOOH 분말 1g을 석영 용기에 담아 직경이 35mm인 석영 보호관에 위치시키고, 1000~l17$0^{\circ}C$의 온도에서 NH$_3$ 가스를 100~1000 sccm으로 공급하면서 96시간 동안 반응시켰다. 실험이 종료되면 전기로의 온도를 상온까지 냉각시킨 후 석영 보호관 내벽에 성장된 Ga 결정을 채집하였다. 이와 같이 채집된 결정의 형태와 크기를 광학현미경을 사용하여 조사하였고, 결정표면의 상태를 전자현미경을 사용하여 관찰하였다. 시료의 결정성을 알아보기 위하여 X선 회절 분석을 하였고, 저온에서의 광루미네센스 (PL; photoluminescence) 특성을 조사하였다.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.03a
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pp.95-95
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2003
최근, 대면적 평판표시소자 제작을 위한 전기발광 (EL; electroluminescence)소자용 소재로서 GaN 분말을 적용하고자 하는 연구가 진행되고 있다. 이와 같이 GaN 분말을 EL 소재로 사용하기 위해서는 원하는 파장의 빛을 발광할 수 있도록 특정의 불순물을 첨가하여야 할 필요가 있다. Mg이 첨가된 GaN 분말의 합성과 특성에 대한 연구가 있었으며, 희토류 원소가 첨가된 GaN 분말의 특성이 보고된바 있다. 본 논문에서는 GaOOH 분말을 출발물질로 채택하여 Zn가 첨가된 GaN 분말을 합성하고 광학적인 특성을 조사하였다. Zn가 첨가된 GaN 분말을 합성하기 위하여, 우선 CaOOH 분말 1g과 일정량의 ZnO 또는 Zn(NO$_3$)$_3$를 함께 섞어 유발에서 습식 혼합한 후 건조시켰다. Ga에 대한 Zn의 몰 비는 0.1부터 30 까지 변화시켰다. 반응온도는 900~110$0^{\circ}C$의 범위에서 변화시켰고, 반응시간은 1~4시간 범위에서 변화시켰으며, NH$_3$의 유량은 400 sccm으로 하였다. X선 회절분석장치를 사용하여 결정구조를 확인하였고, Zn의 첨가에 따른 광학적 특성은 10 K의 온도에서 광루미네센스(PL; photoluminescence)를 측정하여 평가하였다.
인후두 이상감각을 주소로 내원한 환자들에서 주요한 원인 중의 하나로 위식도 역류가 관련되어 있다고 보고되고 있다. 이에 저자들은 이학적 검사 및 Esophagogram을 시행하여 기질적 원인을 배제한 후 인두신경증으로 진단받은 50명과 정상 대조군 30명을 이용하여 다음과 같은 결과를 얻었다. 1) 식도내압 검사상 상부식도압과 하부식도압에서 인두신경중 환자군과 대조군에서 유의한 차이는 없었다(UES : P = 0.56, LES P = 0.98). 2) 24시간 보행성 식도 pH검사에서 환자군과 대조군에서 앙와위시와 기립시 각각의 총역류 횟수, pH 4 미만으로 내려가는 역류횟수, 백분율, 5분이상 지속된 역류횟수, 최장역류시간 등을 비교한 바 양군간의 유의한 차이를 발견할 수 있었다(P<0.05). 3) 50명의 인두신경증 환자중 DeMester Scoring에 의해 의식도 역류 질환으로 진단받은 사람은 12명(24%)으로 위식도 역류가 인두신경증의 중요한 원인이 될 수 있음을 보여주었다.
액상의 Ga으로부터 공급되느 기체상태의 Ga과 $NH _3$를 $1050~1150^{\circ}C$의 온도범위에서 직접 반응시켜 사파이어 기판위에 직경이 5~27$\mu\textrm{m}$이고, 높이가 $2~27\mu\textrm{m}$인 육각기둥 형태의 GaN 결정을 성장하였다. GaN 결정의 성장 초기에는 c-축 방향으로 우선 성장된 후 성장시간과 성장온도 및 $NH_3$의 유량이 증가함에 따라 기체상태의 Ga공급이 제한됨으로써 성장률이 둔화됨과 동시에 $\alpha$-축 방향으로 우선 성장되었다. GaN 결정의 크기가 증가함에 따라 결정의 품질이 개선되어 X-선 회절강도와 중성도너에 구속된 엑시톤 관력 발광밴드 (I\ulcorner)의 강도가 증가하고, I\ulcorner 발광밴드의 반치폭이 감소하였다.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2016.11a
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pp.180-180
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2016
보론이 도핑된 $3{\times}3cm$ 크기의 p 형 다결정 실리콘 기판의 표면을 경면연마한 후, 다이아몬드 입자의 seeding을 위해 슬러리 중 다이아몬드 분말의 입도를 5 nm로 고정하고 초음파 전처리 공정을 진행한 후, 다이아몬드 박막을 증착하였다. 다이아몬드 증착은 Microwave Plasma Chemical Vapor Deposition 장비를 이용하였으며, 공정 조건은 초기 진공 $10{\times}10^{-3}Torr$, 공정 가스 비율 $Ar:CH_4=200:2$, 가스 유량 202 sccm, 공정압력 90 Torr, 마이크로웨이브 파워 600 W, 기판 온도 $600^{\circ}C$이었다. 기판에 DC bias 전압을 인가하는 것을 공정 변수로 하여 0, -50, -100, -150, -200 V로 변화시켜가며, 0.5, 1, 2, 4 h 동안 증착을 진행하였다. 주사전자현미경과 XRD, AFM, 접촉각 측정 장비를 이용하여 증착된 다이아몬드 입자와 막의 특성을 분석하였다. 각 bias 조건에서 초기에는 다이아몬드 입자가 형성되어 성장되었다가 시간이 증가될수록 연속적인 다이아몬드 막이 형성되었다. Table 1은 각 bias 조건에서 증착 시간을 4 h까지 변화시키면서 얻은 다이아몬드 입자 또는 박막의 높이(두께)를 나타낸 것이다. 2 h까지의 공정 초기에는 bias 조건의 영향을 파악하기 어려운데, 이는 bias에 의한 과도한 이온포격으로 입자가 박막으로의 성장에 저해를 받는 것으로 사료된다. 증착시간이 4 h가 경과하면서 -150 V 조건에서 가장 두꺼운 막이 성장되었다. 이는 기판 표면을 덮은 다이아몬드 박막 위에서 이차 핵생성이 bias에 의해 촉진되기 때문으로 해석된다. -200 V의 조건에서는 오히려 막의 성장이 더 느렸는데, 이는 Fig. 1에 보이듯이 과도한 이온포격으로 Si/diamond 계면에서 기공이 형성된 것과 연관이 있는 것으로 보인다.
This paper was performed to investigate the propensity of the diameter of maximum distended urethra from urethra to os penis in mature male dogs of 25 male dogs of different breeds. The measured sites of urethras were divided into 7 regions, i.e. prostate, membrane, isthmus, perineum, scrotum, prescrotum and os penis. By using the inflated balloon catheter filled with contrast medium, the maximum diameter of the distended urethras of each region was recorded and compared among regions. The mean diameter of the lumen from the prostatic urethra to the os penis urethra was gradually narrowed except for the isthmus portion, with a sense of resistance for retraction being noted at the level of ischiatic arch in 22 dogs. Proposed results from this should be utilized as a predictor of a treatment plan for the removal of urethroliths using an urohydropropulsion.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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