열증착법을 이용하여 copper(II) phthalocyane (CuPc)의 박막을 제작하였다. 기판의 예열 온도를 달리하여 제작된 CuPc의 박막을 x-ray diffraction, SEM, UV visible absorption spectra의 변화를 통해 관찰한 결과 결정의 구조에 따라 ${\alpha}$-phase와 ${\beta}$-phase로 구분할 수 있었다. 이러한 결정 구조의 변화는 CuPc 박막의 전기전도 특성에 영향을 달리하여 유기발광 소자에 응용이 가능할 것으로 예상된다.
The GaAs semiconductor whispering gallery modes, produced in the peripheral Rayleigh band region of W/sub Rayleigh/ = (${\Phi}$/2)( 1-n/sub eff/n), exhibit novel properties of ultralow thresholds open to nano-ampere regime associated with photonic quantum ring (PQR) production (Fig 1 (a)). The PQR phenomena are associated with a photonic field-driven phase transition of quantum well(QW)-to-quantum wire (QWR) and hence the photonic (non-de Broglie) quantum corral effects, on the Rayleigh cavity confined carriers in dynamic steady state, occur as schematically shown in Fig 1. (omitted)
일반적으로 페로브로스카이트 구조의 망간 산화물에서 많이 관찰되어온 초거대 자기 저항 현상은 임계점 (큐리온도) 부근에서 온도 변화에 의한 상자성-강자성 상전이와 동반한 전기 전도 기수 변화에 따른 급격한 저항 변화와 매우 밀접한 광계가 있다. 본 논문에서는 이러한 전기 저항-온도 거동을 모사하기 위해, 온도에 따른 상분율 변화 함수를 유효매질 이론(effective media theory)을 이용하여 모형식을 마련하엿다. 미 모형식은 실제 La0.7Ca0.3MnO3의 저항-온도 거동을 매우 정확하게 모사하였다.
본 연구에서는 상변화 메모리 소자의 상변화 재료의 두께에 따른 열전달 현상과 지우기 전류의 변화량을 3차원 유한요소 해석 도구를 이용하여 해석하였다. 상변화 메모리의 하부전극과 상변화 소자의 접촉 부분에서 발생한 주울열은 상변화재료를 통해 상부전극 텅스텐으로 전달되어 외부로 빠져나간다. 상변화 재료 박막의 두께가 $200[{\AA}]$인 경우는 상부전극을 통해 빠져나가는 열이 커지게 되어 상전이를 일으키는 지우기 전류가 크게 증가하는 특성을 보인다.
이 논문에서는 vinylidene fluoride(VDF), trifluoroethylene(TrFE), chlorotrifluoroethylene(CTFE)을 사용하여 3성분계 고분자를 합성하였으며, 저온 개시제 di-tertiary-butylperoxide(DTBP)를 사용하여 현탁중합하였다. NMR, FT-IR을 통해 3성분계 고분자 사슬의 미세구조, 사슬형태의 변화에 대해 알 수 있었다. CTFE mol%가 증가할수록 $\beta$ 상태는 점차적으로 감소하고 $\gamma$ 상태는 증가하는 것을 알 수 있었다. DSC 분석결과, CTFE mol%가 증가할수록 상전이 온도($T_c$)는 상온으로 낮아지며 그 곡선은 점차 작아지고 넓게 퍼지는 현상을 확인하였다. 활성화 에너지는 Freeman-Carroll법에 의해 계산되었다.
층상 구조의 유기-무기 페로브스카이트 복합 소재 $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ (n=6, 8, 10, 12)을 합성하였다. $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ 화합물에서 긴 사슬의 양성자화된 알킬 암모늄 이온은 기울어진 이중층의 구조로 $CuCl_6$ 팔면체의 구석을 공유하고 있는 페로브스카이트형의 층들 사이에의 삽입되었다. 페로브스카이트 층상 화합물에서의 3개의 고체상을 HT-XRD와 DSC를 사용하여 조사하였다. $(C_nH_{2n+1}NH_3)_2CuC1_4$ 화합물은 단계적인 층간거리의 증가와 함께 고체-고체 상전이 현상을 보여준다 3개의 다른 구조는 긴 사슬의 양성자화된 알킬 암모늄 이온의 형태 변화로 설명하였다.
인공치아용 3Y-TZP와 (Y,Nb)-TZP/$Al_2O_3$ 복합체를 유사 구강분위기인 인공타액 하에서 500-3000N의 하중 조건으로 $10^6$ 횟수까지 헤르찌안 반복하중 피로특성을 조사하였다. 500N의 하중에서 $5{\times}10^5$까지 반복피로 실험결과, 강도 저하 및 균열 현상은 관찰되지 않았다. 피로특성은 SY-TZP가 (T,Nb)-TZP/$Al_2O_3$ 복합체보다 상전이에 의한 응역회복 때문에 우수하였다. 하중값이 증가함에 따라 링 균열에서 방사상 균열로 전이되었을 때 급격한 강도 저하 현상이 발생하였다. 강도 저하 현상은 유사 구강 분위기하에서 반복 하중 접촉 시 발생한 균열을 통해 침투한 인공타액의 화학적 침식으로 더욱 가속화 되었다.
가유 고무에 대변형의 반복왜를 외부자극으로서 부여하면 초기에는 대폭의 응력의 변화현상이 보여져 서서히 일정응력치에 접근하여 파단에 이른다. 이 응력의 변화현상과 피로수명(파단하기까지의 회수)이 여하한 기계적 화학적 인자의 영향을 받는가를 천연고무의 순고무 가유물로 검토했다. 그 결과 실온으로 고무에 반복신장피로를 부여하면 가교구조, 망목밀도 및 신장률이 응력변화의 대소, 피로수명의 증감에 영향을 주었다. 고온으로 고무에 반복신장피로를 주면 열산화에 의하여 어느 온도로부터 현저한 응력연화(화학응력연화) 현상이 보였다. 연이나 고무에 열화방지제를 첨가하면 고온에 있어서의 산화반응이 억제되기 때문에 무첨가의 경우와 달라서 파단이나 현저한 응력연화가 일어나지 않았다. 피로수명(F)와 파괴신장(εb),반복신장률(ε)사이에 F=A(εb-ε)n 의 관계가 성립함이 인정되었다. An은 고유의 파라메에터어이며 천연고무의 순고무가유물로서 n은 4.0~4.5의 거의 일정치를 표시했다.
중국의 정보통신분야 표준화 역량의 추이를 보고 있노라면 상전벽해, 괄목상대, 일취월장이라는 세 단어가 저절로 떠오른다. 3세대 이동 통신 분야의 표준화가 서서히 ITU에서 시작되던 1992~96년 무렵만 하더라도 ITU-R에서는(당시에는 TG 8/1(Task Group 1 of Study Group 8) 일부 정부관료와 국책연구소 관계자만 고개를 내밀었을 뿐 기업체 관계자는 보기 어려웠다. 보다 기술적인 표준화 작업이 시작되던 1997~98년의 ETSI SMG 5(Special Mobile Group) 회의만 하더라도 중국계 해외기업 기술자는 많이 있었지만 정작 중국기업 참여자는 거의 없었다. 이런 현상은 1998~99년 중국이 3GPP에 가입하고 TD-SCDMA를 본격적으로 추진하면서 서서히 변화되어 갔다. 본 고에서는 중국의 정보통신 표준화 역량의 추이를 살펴보고 우리가 참고해야 할 교훈에 대해서 정리해 본다.
이산화바나듐($VO_2$)는 써모크로믹(thermochromic) 물질로서 온도변화에 따른 구조적 상전이에 의해 전기적, 광학적 특성을 스위칭 할 수 있는 매력적인 소재이며, 최근 신소재로써 그 연구가 활발한 그래핀 역시, 전기적으로나 광학적으로 그 특성이 우수하여 투명전극에 관한 연구가 아주 활발하게 진행되고 있다. 이에 우리는 $VO_2$와 그래핀 두 가지 소재를 접목했을 경우 나타나는 현상을 그래핀의 층 수와 온도를 변수로 하여 형성된 박막의 구조와 광학적 특성을 측정하고 분석하였다. 본 연구 결과에 따르면 그래핀 필름이 전사된 사파이어 기판 위에 형성된 $VO_2$ 박막의 표면구조 및 특성이 bare 사파이어 기판 위의 $VO_2$ 박막보다 그레인이 작고 밀도가 높아 균일하였으며, IR 영역에서의 광투과도 역시 그래핀 필름이 있을 경우 ~10% 정도 개선됨을 확인하였다. 아울러 평균상전이 온도를 낮출 수 있으며, 상전이 히스테리시스 변화폭 또한 좁아지는 것을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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