• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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• pp.76-76
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• 2000

최근 비정질 SiC 박막은 열과 광안정도면에서 비정질 Si 박막에 비해 우수하며 공정변수들을조절함으로써 비교적 쉽고 다양하게 광학적.전기적 특성을 얻을 수 있고, 낮은 광흡수계수 및 105($\Omega$cm)1 이상의 높은 전도도를 가지고 있어 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD)을 통해 가전자제어 (Valency electron control)가 가능한 비정질 SiC 박막이 제작된 이래 대한 많은 연구가 진행되고 있다. 결정성이 없는 비정질 물질은 상대적으로 낮은 온도에서 성장이 가능하며, 특히 glow-sidcharge 방식으로 저온에서 성장시킬 수 있음에 따라 유리등과 같은 다른 저렴한 물질을 기판으로 이용, 넓은 면적의 비정질 SiC 박막을 성장시켜 여러 분야의 소자에 응용되고 있다. 비정질 SiC 박막이 넓은 에너지띠 간격을 갖는 물질이라는 점과 화학적 안정성 및 높은 경도, 비정질성에 기인한 대면적 성장의 용이성 등의 장점이외에, 원자의 성분비 변화에 의해 에너지띠 간격(1.7~3.1eV)을 조절할 수 있다는 점은 광전소자의 응용에 큰 잠재성이 있음을 나타낸다. PECVD 방식으로 성장된 비정질 SiC 박막은 태양전지의 Window층이나 발광다이오드, 광센서, 광트랜지스터 등에 응용되어 오고 있다. 본 연구에서는, RF-PECVD(ULVAC CPD-6018) 방법에 의하여 비정질 Si1-xCx 박막을 2.73Torr의 고정된 압력에서 RF 전력(50~300W), 증착온도(150~30$0^{\circ}C$), 주입 가스량 (SiH4:CH4)등의 조건을 다양하게 변화시켜가며 증착된 막의 특성을 평가하였다. 성장된 박막을 X-ray Photoelectron Spectroscopy(XPS), UV-VIS spectrophotometer, Ellipsometry, Atomic Force Microscopy(AFM)등을 이용하여 광학적 밴드갭, 광흡수 계수, Tauc Plot, 그리고 파장대별 빛의 투과도의 변화를 분석하였으며 각 변수가 변화함에 따라 광학적 밴드갭의 변화를 정량적으로 조사함으로써 분자결합상태와 밴드갭과 광 흡수 계수간의상관관계를 규명하였고, 각 변수에 따른 표면의 조도를 확인하였다. 비정질 Si1-xCx 박막을 증착하여 특성을 분석한 결과 성장된 박막의 성장률은 Carbonfid의 증가에 따라 다른 성장특성을 보였고, Silcne(SiH4) 가스량의 감소와 함께 박막의 성장률이 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 둔화됨을 볼 수 있다. 또한 Silane 가스량이 적어지는 영역에서는 가스량의 감소에 의해 성장속도가 줄어들어 성장률이 Silane가스량에 의해 지배됨을 볼 수 있다. UV-VIS spectrophotometer에 의한 비정질 SiC 박막의 투과도와 파장과의 관계에 있어 유리를 기판으로 사용했으므로 유리의투과도를 감안했으며, 유리에 대한 상대적인 비율 관계로 투과도를 나타냈었다. 또한 비저질 SiC 박막의 흡수계수는 Ellipsometry에 의해 측정된 Δ과 Ψ값을 이용하여 시뮬레이션한 결과로 비정질 SiC 박막의 두께를 이용하여 구하였다. 또한 Tauc Plot을 통해 박막의 optical band gap을 2.6~3.7eV로 조절할 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제6권4호
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• pp.436-445
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• 1996

비정질 실리콘박막의 고상결정화 특성에 대한 비정질 박막의 증착방법, 수소화 정도, 표면결정 활성화 에너지 변화 및 열처리 환경 영향을 X선 회절, EDAX, Raman 분광 분석으로 조사하였다. 저온(58$0^{\circ}C$)열처리 corning 시료에서 기판 barium(Ba), aluminum(AI) 성분의 막내 확산 임계열처리시간 및 확산에 기인 한 불안정 결정화 특성을 관찰하였다. 화학기상증착 석영 수소화 시료에서 hard damage 기계적 활성화 효과로 얻어진 조대결정립 결정화 특성을 X선 회절의 (111) 배향 상대강도 변화로 관찰 할 수 있었으며, 이는 활성화 효과에 의한 고상 결정화 시 핵생성과 성장속도변화로 다결정 실리콘의 전기적물성 향상 가능성을 보여주었다. Soft damage, bare 활성화 처리 수소화막의 결정화는 비정질 상의 혼재, 박막 응력등의 저품위 입계특성 및 미세결정립 성장 특성으로 관찰되었으나, 활성화 전처리에 의한 저온 및 고온(875$^{\circ}C$)단시간(30분) 결정화는 확인 되었다. 스퍼터링 비수소화 막의 결정화는 상변태 상태의 Raman 결정피크로 분석 되었으며, 결정화 거동에 선행막의 스퍼터링 및 비수소화 영향은 활성화효과에 관계없이 불완전 저품위 결정특성으로 확인되었다. AFM 표면형상은 3차원 island 성막특성을 보여주었고 표면거칠기정도는 높은 것으로 관찰되었다.

• 자원환경지질
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• 제45권4호
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• pp.385-396
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• 2012

옥천변성대의 남서부에 위치하는 전라북도 진안군 신보광산과 그 동부지역에서 고품위 우라늄 지화학 이상대가 보고된 바가 있다. 본 논문은 선캠브리아기 변성퇴적암류(규암, 변성이질암, 변성사질암)와 이를 관입하는 시대미상의 페그마타이트와 백악기 반암류 등이 분포하는 신보광산 동부지역에서 이들 구성암류가 경험한 변형작용과 변성광물의 성장 사이의 상대적인 시간관계에 대한 미구조의 연구결과를 보고하고, 기존 연구결과를 종합하여 광화작용의 상대적인 시기를 고찰하였다. D1 변형작용은 홍주석 반상변정 내에서 주로 신장된 석영, 흑운모, 불투명광물 등으로 정의되는 직선 형태의 내부엽리 Si 를 형성시켰다. Si 엽리를 미습곡시키고 S2 파랑엽리를 형성시키는 D2 변형작용은 전기 파랑습곡작용과 후기 파랑습곡작용으로 구분된다. 전자는 홍주석의 맨틀부에서 곡선 형태의 Si 를 형성시켰다. 후자는 홍주석을 포획하며 그 외부에서 S1-2 복합엽리를 형성시켰다. 홍주석 반상변정은 직선 Si 엽리에 해당하는 S1 엽리가 형성된 이후의 비변형작용 조건하에서 출현하여 후기 파랑습곡작용 이전까지 성장하였다. 시대미상의 페그마타이트는 D2 변형 이후에 관입하여 S1-2 복합엽리를 무질서하게 덮는 섬유상 규선석을 성장시켰다. D3 변형작용은 S1-2 복합 엽리와 D2 파랑습곡 그리고 섬유상 규선석을 미습곡시키는 F3 습곡을 형성시켰다. 이는 섬유상 규선석의 성장과 관련된 페그마타이트의 관입은 D2 변형과 D3 변형 사이의 비변형조건하에서 발생하였음을 지시한다. 흑운모의 녹니석화작용과 홍주석 반상변정 내부에서 S1-2 복합엽리와 F3 습곡축면에 평행한 두 방향의 벽개 라멜라에 의해 인지되는 후퇴변성작용은 각각 D2 후기변형과 D3 변형과 함께 발생하였다. 따라서 우라늄의 초생적 근원암을 페그마타이트로 간주하는 기존 연구결과를 고려해 볼 때, 시대미상의 페그마타이트는 지각이 상승하는 후퇴변성작용 동안에 해당하는 D2 변형과 D3 변형 사이의 비변형조건하에서 관입하여 신보광산 주변지역에 우라늄 광화대를 형성시킨 것으로 고찰된다.

• 아시안잔디학회지
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• 제7권2_3호
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• pp.95-101
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• 1993

1992년 6월부터 1993년 9월 동안에 서울에서 이루어진 바랭이와 잔디의 분지형(branching pattern)과 유효엽면적(effective leaf area)에 대한 정량적 연구 결과는 다음과 같다. 1. 분지 끝 지점의 2차원적인 위치는 수학적 방식을 이용한 이론적 모델에 의해 분지사이의 각과 분지 길이들이 상대적인 비를 이용하여 계산할 수 있다. 2. 분지각과 분지길이의 상대적인 비는 바랭이나 잔디의 개체와 군락의 전체적인 구조를 효과적으로 분석하는데 있어 매우 적절하게 사용될 수 있다. 3. 시간에 따라 변화되는 분지형을 명확히 분석하기 위해 positive feedback theory를 성장 분석 모델로 적용하였다. 4. 분지의 마디 배열은 봄에서 여름에 이르는 생장 기간동안에 변화됨을 나타내었다. 주지(mother branch)와 복지(daughter branch)사이의 각은 적정치에 수렴하는 양상을 보였으며 그 평균값은 바랭이가 50도, 잔디가 59도임을 알 수 있었다. 5. 야외에서 관찰된 실험적 측정치아 모식적 구성을 통해서 최대 물질 생산과 연관된 햇빛 흡수와 수용의 극대화를 위한 분지형과 최대 유효엽면적의 상관 관계를 분석하였다. 6. 따라서 수학적 모식을 이용한 분지형 분석은 실험적 측정치와 잘 일치하며, 이런 수관형의 형성은 유전적 요소와 환경적 요소에 의해 영향을 받을 뿐만 아니라 식물의 적응적 중요성을 지니는 유효잎면적, 관수용 및 광합성과 물질생산의 극대화를 분석하는데도 유효하게 쓰일 수 있다.

• 암석학회지
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• 제7권3호
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• pp.190-206
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• 1998

북부 소백산육괴의 중남부에 위치한 장군봉지역의 고생대 변성퇴적암류(조선누층군과 평안층군)에 대한 미구조와 변형작용과 변성광물들 성장(변성작용) 사이의 상대적인 시간관계를 연구하였다. 첫 번째 변성작용은 스태크상 클로리토이드 및 조립 흑운모와 안구상 홍주석 광물들의 결정화작용과 관련된 저압형 변성작용으로 인지된다. 이러한 변성작용은 동-서향의 등사 향사습곡(장군봉 습곡)과 그 축면엽리에 해당하는 S1 엽리면 형성과 관련된 D1 변형 이전의 비변형조건하에서 발생하는 고생대 변성퇴적암류에 광역적인 동-서향의 광물분대를 형성시켰다. 두 번째 변성작용은 직선 내지 곡선 형태의 내부엽리 Si를 갖는 십자석과 석류석 반상변정들의 성장과 관련된 중압형 변성작용이다. 이러한 변성작용은 장군봉 습곡 구성지층들의 부분적인 결손을 초래하는 동-서향 드러스트들의 발달과 관련된 D1 변형 이후의 비변형조건하에서 발생하였고, 동-서향의 예천전단대 형성과 관련된 D2 변형 동안에 계속 발생하여 고생대 변성퇴적암류에 역시 광역적인 동-서향의 광물분대를 형성시켰다. 세 번째 변성 작용은 팻치상 홍주석과 주상 내지 섬유상 규선석 그리고 조립 석류석 광물들의 성장과 관련된 쥬라기 춘양화강암에 의한 접촉변성작용이다. 이러한 접촉변성작용은 S3 파랑엽리면 형성과 관련된 D3 변형 이전의 비변형조건하에서 발생하였고, D3 변형의 전기단계 동안에 계속 발생하여 춘양화강암체의 근접부에 제한된 남-북향의 광물분대를 형성시켰다.

• KSBB Journal
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• 제13권3호
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• pp.251-258
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• 1998

Scutellaria baicalensis. G. 식물 세포의 현탁 배양에서 세포의 성장과 flavonoid glycosides 생산에 관한 구조적 성장 모텔 을 제안하였다 제안된 모델식은 현탁 배양의 형광을 측정함으 써 결정될 수 있는 세포 생존도와 세포 활동도 등플 세포의 생리학적 변수로서 고려하였다. 제안된 모델식에서는 세포의 상태에 따라 세포블 크게 생존 세포와 비생존 세포로 나누고 생존 세포를 분화 가능한 생존 세포와 비분화 생존 세포로 나누어 각 각의 모델을 구성하였다. 이 중 생존 세포 중량은 광섬유 형광 센서로 측정한 상대 형광 세가로부터 결정될 수 있었다. Flavonoid 배당체의 생산 속도는 분화 가능한 생존 세포와 바 분화 생존 세포에 의해 지배되며, 배양액의 삼투압에 의한 서l포 팽창과 세포내 생성불절의 방출은 비생존 세포에 의해 이루어진다고 가정하였다. 종속변수는 가칠농도(포도당), 세포 중량(건조 세포중량과 생체중량), 대사산물농도(flavone glycosides), 활동도와 생존도플 포함한다 Scutellaria baicalensis. G. 식물 세포 의 푹라스크 배양으로부터 모델과 실험결과가 잘 일치함을 알 수 있었다. 제시된 모델은 세포의 성장, flavone glycosides 및 중간매개체 합성을 예측할 수 있다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.231-231
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• 2010

GaN는 상온에서 3.4 eV의 넓은 밴드갭을 갖는 직접천이형 반도체로 우수한 전기적/광학적 특성 및 화학적 안정성으로 발광 다이오드 및 레이저 다이오드 등과 같은 광전소자 응용을 위한 소재로 많은 연구가 진행되어왔다. 특히, GaN 나노구조의 경우 낮은 결함밀도, 빠른 구동 및 고집적 특성 등을 가지기 때문에 효과적으로 소자의 광학적/전기적 특성을 향상시킬 수 있어 나노구조 성장을 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. 최근에는 Metal organic vapor deposition (MOCVD), hot filament chemical vapor deposition (CVD), molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE) 등 다양한 방법을 통해 성장된 GaN 나노구조가 보고되고 있다. 하지만 고가 장비 사용 및 높은 공정 온도, 복잡한 공정과정이 요구되며 크기조절, 조성비, 도핑 등과 같은 해결되어야 할 문제가 여전히 남아있다. 본 연구에서는 나노구조를 형성하기 위하여 보다 간단한 방법인 전기화학증착법을 이용하여 GaN 나노구조를 ITO 및 FTO가 증착된 전도성 glass 기판 위에 성장하였고 성장 메커니즘 및 그 특성을 분석하였다. GaN 나노구조는 gallium nitrate와 ammonium nitrate가 혼합된 전해질 용액에 Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판을 1cm의 거리를 유지하도록 담가두고 일정한 전압을 인가하여 성장시켰다. Pt mesh 구조 및 전도성 glass 기판은 각각 상대전극 (counter electrode) 및 작업전극 (working electrode)으로 사용되었고 전해질 용액의 농도, 인가전압, 성장시간 등의 다양한 조건을 통하여 GaN 나노구조를 성장하고 분석하였다. 성장된 GaN 나노구조 및 형태는 field emission scanning electron microscopy (FE-SEM)를 이용하여 분석하였고, energy dispersive X-ray (EDX) 분석을 통하여 정량 및 정성적 분석을 수행하였다. 그리고 성장된 GaN 나노구조의 결정성을 조사하기 위해 X-ray diffraction (XRD)을 측정 및 분석하였다. 또한, photoluminescence (PL) 분석으로부터 GaN 나노구조의 광학적 특성을 분석하였다.

• 자원ㆍ환경경제연구
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• 제12권3호
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• pp.515-529
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• 2003

본 연구는 자본과 노동의 요소투입물의 증가가 환경오염의 증가를 유발한다는 Byrne (1997)모형과 기술축적도 환경오염을 유발하는 Bovenberg and Smulders (1995)모형을 혼합한 이론적 모형을 구축하고 경제성장률 제약조건식을 도출하여 경제성장과 환경오염관련 변수 간의 관계를 실증분석하였다. 도출된 경제성장률 조건식에서 경제성장률은 상대적인 소비와 오염의 비효용이 감소할수록, 할인율이 감소할수록, 오염저감기술수준이 증가할수록, 기술생산성 파라메타가 증가할수록 증가함을 보였다. OECD 20개국 패널자료를 이용한 실증분석에서 노동생산성이나 총고정자본, 기술이전과 같은 성장관련 주요 변수들은 모두 유의한 것으로 나타나 경제성장 관련 기존의 연구결과와 다르지 않았다. 그러나 경제성장에 대한 환경오염변수의 추정계수가 유의한 값으로 나타나지 않아 이론적으로 도출한 경제성장률조건식의 설명에 한계가 있으나 오히려 환경쿠즈네츠곡선가설의 존재여부를 판단할 수 있는 실증분석 연구과제를 남기는 데 의미가 있다고 본다.

• 환경생물
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• 제37권2호
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• pp.217-227
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• 2019

본 연구에서는 쏙류의 고밀도 서식 때문에 2008년 이후 피해가 급격히 증가하고 있는 한국 서해안 갯벌의 패류양식장에서 착저 초기에 쏙과 가시이마쏙의 초기 성장, 서식 깊이, 상대성장 특성을 구명하여 물리적 제거 또는 포획에 관한 기초적 생태자료를 확보하고자 하였다. 5월 초순에 갯벌에 착저한 어린 쏙은 8월 이후에 두흉갑장이 10 mm 이상으로 성장하였고, 갯벌에 착저 후 1년 경과 시 두흉갑장(CL)과 전장(TL)이 각각 14.21 mm, 42.28 mm까지 성장하였으며, 주 성장 시기는 4~10월이었다. 당년산 어린 쏙의 서식 깊이는 성장과 더불어 착저 후 약 6개월 경과시까지 빠르게 증가하였다(7월 5 cm, 9월 12.5 cm, 11월 28 cm). 어미 쏙(평균 두흉갑장 28.50 mm)의 연중 서식 깊이는 10~93 cm이었다. 쏙의 두흉갑장(CL)-전장(TL), 두흉갑장-습전중량(TWW) 간 상대성장을 분석한 결과, 두흉갑장 26~35 mm 크기에서는 쏙의 습중량이 천수만 입구의 주교 갯벌에 비해 천수만 내측의 사호리 갯벌에서 1.2~4 g 더 무거운 것으로 예측되었다. 본 연구에서 밝혀진 당년산 어린 쏙의 착저 후 초기 성장과 서식 깊이의 증가 특성으로 볼 때, 어린 쏙이 바지락 양식장 등에 정착하여 피해를 주는 것을 줄이기 위해서는 5~6월경에 쏙의 착저 여부를 주의해서 관찰해야 하며, 다량의 쏙 서식이 확인되면 갯벌 속에 30 cm 보다 얕게 굴을 파고 서식하는 8월부터 12월 사이에 어린 쏙을 제거하기 위한 다양한 노력을 기울일 필요가 있을 것으로 판단된다. 또한 보령지역 어미 쏙의 시기별 평균 서식 깊이 면에서 볼 때 1차 제거 적기는 쏙들이 표층에 가장 가까워지는 3월부터 5월 초순, 2차 적기는 10월 중순부터 12월 초순으로 판단된다. 쏙은 갯벌양식장에서 공간점유와 먹이 경쟁 등 인간의 경제활동에는 부정적인 영향을 주지만, engineering species로서 갯벌에 수많은 구멍을 깊게 뚫어줌으로써 다양한 생태계적 순기능도 수행하고 있으므로 친환경적이며 합리적인 대응 방안을 지속적으로 모색할 필요성이 있을 것으로 판단된다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2017년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.161.2-161.2
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• 2017

희토류계 영구자석은 대부분의 전기, 전자 제품의 핵심부품이며 높은 보자력, $BH_{max}$를 가지고 있어 자기기록저장매체, MEMS(엑츄에이터), 소형센서, 소형모터 등의 응용 분야에 적용시키기 위해 다양한 연구들이 진행되고 있다. 그러나 영구자석에 들어가는 희토류계 원소의 수급의 어려움 및 가격의 문제점으로 친환경 자석으로의 전환 및 희토류나 중희토류를 사용하지 않는 비희토류계 영구자석을 제조 및 개발하는데 많은 연구가 이루어지고 있다. 이 중 Fe-N 계 자성물질인 $Fe_{16}N_2$는 포화 자화 값이 현재까지의 비희토류계 자성물질 중 가장 높은 값(240emu/g)을 나타내며 상대적으로 높은 결정자기이방성 상수를 가지고 있어 비희토류계 영구자석 물질 중 하나로 주목받으며 연구되어지고 있다. 본 연구에서는 $Fe_{16}N_2$ 박막을 얻기 위해 DC Magnetron Sputtering 방법을 이용하여 Si wafer 위에 박막을 증착하고 증착시간에 따라 두께를 제어하여 제조한 후 박막의 미세구조, 상 분석, 자성 특성을 관찰을 통해 최적의 공정 조건을 찾고자 하였다. 증착 시간에 따른 박막의 성장 속도는 일정하게 증가하였으며, 증착 시간의 증가에 따라 박막 내 $Fe_{16}N_2$의 상대적인 분율은 감소하였다. 모든 공정 조건에서 $Fe_3N$, $Fe_4N$, $Fe_{16}N_2$ 상들이 섞여 성장하였으며 XRD를 통한 상분석과 더불어 VSM을 통한 자성 특성을 분석해본 결과 $Fe_{16}N_2$의 분율을 가장 높게 성장된 공정 조건은 증착 시간이 10분이며 박막의 두께가 ${\sim}1{\mu}m$ 일 때, 최적의 조건을 얻을 수 있었으며, 이 때의 자성 특성을 분석한 결과 ~2.45T의 포화 자화 값과 ~1.41T의 잔류 자화 값을 얻을 수 있었다.