• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2009년도 정보통신설비 학술대회
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• pp.253-257
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• 2009

정보가 가역적으로 숨기어 졌다는 말은, 숨기고자 하는 정보가 삽입된 컨텐츠에서 비밀 정보를 찾아내고 또한 원본 컨텐츠를 완벽하게 복구할 수 있다는 말이다. 여러 가지 컨텐츠에 정보를 숨길 수 있으나 그 중에서 특히 이미지에 정보를 숨기고자 할 때는 두 가지 목표가 있다. 첫째는, 숨기고자 하는 데이터의 용량을 극대화 시키는 것이고 둘째는, 정보를 숨긴 다음에 생긴 이미지와 원본 이미지와의 차이를 줄이는 것이다. 본 논문은 데이터를 삽입시키는 차분값으로서 예측 오류 값을 이용하여 정보를 숨기는 개선된 방법을 제안하려고 한다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2003년도 하계학술발표회
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• pp.112-113
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• 2003

광통신 시스템에는 다양한 광소자들이 삽입되어 사용된다. 특히 보다 많은 정보의 전송을 위하여 WBM 소자들이 흔히 사용되고 있다. 이와 같이 data 처리용량 및 속도 증가에 대응하기 위한 광섬유의 개발이 활발하게 연구되고 있으며 data 전송용량이 증가되면 channel 파장 대역폭이 좁아지게 되고 전송 속도가 증가되면 색분산 등 광섬유의 비선형성에 의한 영향이 크게 나타나게 된다. 또한 장거리 통신망 등에서는 온도 변화에 의해 분산 기울기 변화가 전송 제한 요인이 된다. (중략)

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.147-148
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• 2014

1990년에 Sony사는 탄소 음극과 리튬 코발트 산화물($LiCoO_2$) 양극을 함유하는 최초의 상용 리튬이온 전지를 발표하였다. 이후, 전지 성분을 변형하여 안전성과 전기화학적 용량을 향상시키고 비용을 줄이기 위한 연구가 수행되었다. 이러한 관심의 대부분은 양극 용량이 전지 용량을 한정하고 전지 비용의 40%까지 양극 원재료 비용에서부터 비롯되었기 때문에 양극 대체기술 개발에 집중되었다. 리튬이온 전지는 현재 휴대용 전자 기기 시장을 좌우하고 있다. 또한 온실가스 배출의 감소를 요구하는 환경보호에 대한 관심에 대한 새로운 시장 기회가 조성되었다. 1990년대 이후, 비독성의 저가 재료를 사용하여 환경 영향과 비용을 최소화 하려는 노력을 경주하면서 에너지 밀도를 극대화하고, 리튬 삽입과 추출의 유용 범위를 확대하여 용량을 극대화하고 있다.

• 인터넷정보학회논문지
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• 제8권5호
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• pp.141-150
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• 2007

본 논문에서는 VoIP(Voice over IP) 통신에서 효율적으로 사용할 수 있는 Low bit Encoding에 의한 새로운 스테가노그라피 모델을 제안한다. Low bit Encoding 방법을 사용하는 대부분의 스테가노그라피 모델은 비밀 메시지 삽입 용량에 제한이 있다는 것과 비밀 메시지 위치를 쉽게 인지할 수 있다는 문제점을 가지고 있다. 이러한 문제점을 개선하였고 사람의 가청구간을 벗어나는 영역에 1 비트 이상의 비밀 메시지를 삽입하여 커버 데이터에 숨길 수 있는 메시지의 삽입 용량을 향상시켰다. 은닉 위치는 삽입 메시지 길이를 시드로 가지는 의사난수를 이용하여 선택하여, 공격자가 은닉된 비밀 메시지를 쉽게 공격할 수 없도록 하였다. 제안된 모델은 VoIP환경 하에서 적합하도록 구현하였으며, 웨이브파일에 정보은닉을 하여 전송할 수 있을 뿐만 아니라 사용자에 대한 기본정보 및 인증 시스템에서 다양한 정보를 은닉 하는데 활용할 수 있다.

• 한국콘텐츠학회:학술대회논문집
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• 한국콘텐츠학회 2006년도 추계 종합학술대회 논문집
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• pp.250-253
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• 2006

본 논문은 컬러 이미지에서 비트플레인의 복잡도를 이용한 적응적 스테가노그라피 방법을 제안하였다. 기존에 비트플레인을 이용한 스테가노그라피 방법들은 대용량의 데이터를 삽입하기 위해 고정 임계값과 가중치를 사용하거나 비트플레인에 따라 가변 크기를 구하여 정보를 삽입하는 반면에 본 논문에서는 컬러이미지에서, 각 커버이미지의 비트플레인의 블록별 복잡도와 삽입할 데이터의 복잡도, 유사도를 측정하고, 비교분석 하여 가장 적합한 비트플레인 블록에 정보를 삽입하는 방법을 제안하였다. 실험 결과 제안 방법은 기존의 방법보다 화질과 삽입 용량 면에서 보다 향상된 결과를 얻을 수 있었다

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 하계학술대회 논문집
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• pp.369-370
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• 2009

전력선 통신용 접촉식 커플러의 제조 방법 확립과 응용 가능성을 파악하기 위해 440V이하의 저압용 3상 4선식 접촉식 커플러를 설계 및 제조하였다. 60Hz의 교류 전압 신호를 차단하는 캐패시터의 용량이 증가할수록 삽입 손실의 증가하였으며, 68nF의 캐패시터를 적용하여 90~450kHz, 2~30MHz의 전력선통신 주파수 대역에서 최소 삽입 손실 특성을 얻었다. 커플링 트랜스의 권선수 증가는 전자계 결합계수의 상승으로 자기유도 효율이 증가하여 삽입 손실 특성이 증가하였으며. 6턴 이상의 권선수에서는 거의 일정한 삽입 손실 특성을 나타내었다. 설계 완료된 접촉식 커플러를 이용하여 전력선 통신 주파수인 90~450kHz, 2~30MHz 대역에서 $-2\pm1dB$의 삽입 손실 특성을 얻었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.209-209
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• 2011

플라즈마 공정에 있어 챔버 및 웨이퍼의 표면 상태변화는 공정 결과에 큰 영향을 끼치게 된다. 챔버 표면에 대한 연구는 많이 진행되어 있지만 대부분의 연구가 챔버 표면에서 일어나는 화학적 반응에 초점을 맞추고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 상태 변화에 따른 챔버 표면물질의 전기적 특성 변화를 관찰하였다. 프로브 표면에 Al2O3로 코팅을 하고 플라즈마에 삽입 후 AC 하모닉법을 이용하여 실시간으로 표면의 축전용량을 측정하였다. 그 결과 표면의 축전용량은 플라즈마에 인가한 전력과 표면이 플라즈마에 노출된 시간에 따라 변하는 것이 관찰되었다. 플라즈마에 인가된 전력이 증가되면 처음에는 급격이 축전용량이 증가하였고, 그 후 시간이 지날수록 천천히 수렴되었다. 유전물질의 축전용량은 그 물질의 온도와 연관이 있다. 실험 결과로 미루어 보았을 때, 플라즈마에서의 표면의 축전용량의 변화는 플라즈마로부터 표면으로의 열전달에 의한 표면의 온도 변화에 의한 것으로 이해할 수 있다. 특히, 쉬스에서 가속되는 이온의 포격에 의해 표면 격자가 크게 진동하면서서 일반적인 온도 변화에 의한 축전용량의 변화보다 더 큰 변화가 일어난 것으로 추정된다. 공정에 사용되는 많은 챔버의 표면이나 전극의 표면은 유전체로 코팅되어 있다. 이 유전체의 특성이 온도에 의해 변하게 되면 챔버의 전기적인 특성이 변하게 되어 임피던스 매칭 조건에 변화를 가져온다. 그 결과 플라즈마의 특성도 바뀌게 되어 공정 결과에 영향을 미치게 된다. 그러므로 챔버 표면의 유전특성을 관찰하고 제어하는 것이 플라즈마의 특성을 유지시키는데 중요하다고 할 수 있다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권3호
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• pp.274-279
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• 2001

Pt/Ti/Si 기판 위에 성장시킨 박막 전지용 비정질 산화 바나듐 박막에 고상 전해질 박막 LiPON을 이용하여 전고상형 박막전지를 제작하여 충-방전 시험을 시행하였다. 이렇게 제작된 전고상형 박막전지는 500 사이클 이상까지 평균 15$\mu$Ah의 방전용량을 나타내었으나 초기 사이클 영역부터 방전 용량의 감소가 일어나기 시작했다. 박막 전지의 방전 용량 감소에 따른 비정질 산화 바나듐 박막의 구조적 특성 변화를 관찰하기 위하여 고분해능 현미경 분석을 시행하였다. 충-방전을 하지 않은 초기의 산화 바나듐 박막은 입계를 갖지 않고 다결정 특성을 보이지 않는 완전한 비정질 특성을 보였고 이는 TED 결과와 일치하였다. 그러나 450번의 반복적인 충-방전을 시행한 후의 비정질 산화 바나듐 박막 내에는 microcrystalline 형태의 산화 바나듐의 형성됨을 고분해능 전자 현미경 분석을 통해 발견할 수 있었다. 비정질 산화바나듐 박막의 방전 용량 감소의 원인인 Li의 비가역적 탈-삽입은 비정질 내에 형성된 microcrystalline에 의해 유발된다고 사료된다. 또한 LiPON 전해질 박막과 산화 바나듐 박막사이의 계면에 Li 이온과 산화바나듐과의 반응에 의해 형성된 계면 층에 발견할 수 있었는데 이러한 계면 층 역시 Li 확산과 계면 저항에 영향을 주어 방전 용량 감소에 원인으로 작용한다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제46권11호
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• pp.50-55
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• 2009

본 논문에서는 분포정수 회로합성을 이용하여 최적의 정전용량 흡수 능력을 갖는 분포증폭기를 설계한다. 증폭기를 구성하는 여파기의 전달함수는 저역통과 Chebyshev 근사로 합성하며, 이의 정전용량 흡수 능력은 최소 삽입손실(MIL)과 리플의 함수로 계산한다. 분포증폭기의 능동 소자는 S-퍼래미터를 이용하여 등가회로로 모델링하며, 이의 정전용량은 전달함수의 MIL과 리플을 적절히 조정함으로써 여파기 구조로 흡수한다. 이의 응용 예로써, 0.1~7.5GHz의 주파수 대역에서 약 12.5dB의 이득을 갖는 분포증폭기를 설계하며, 실험을 통하여 정전용량 흡수 능력을 고려한 분포정수 회로합성이 분포증폭기의 설계에 유용하게 이용될 수 있음을 입증한다.

• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.235-238
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• 2013

본 논문에서는 기존의 QMSA의 구조를 변형하여 용량을 장하한 변형된 'ㄷ'자형 MSA구조를 제안했다. 변형된 'ㄷ'자형 MSA구조는 3개의 유전체를 적층시켜 상 하부 유전체의 방사패치와 접지면을 접어 올린 좌 우측 평행평판과 방사패치 사이 용량을 장하하고, 상 하부 유전체 사이에 유전율 2.55인 유전체를 삽입하여 가변시킴으로써 주파수를 시프트 하였다. 설계된 'ㄷ'자형 MSA구조는 삽입된 유전체 길이 L1을 1mm~22mm까지 가변시켜 중심주파수가 3.65GHz~3.84GHz대에서 이동하였다. 또한 설계된 'ㄷ'자형 MSA는 최대이득 1.95dBi와 1.61%~3.64%의 대역폭을 고찰하였다.