• Clean Technology
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• v.6 no.1
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• pp.79-84
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• 2000

In this study, to reduce the consumption of chemicals in cleaning processes, Si-wafers contaiminated with metallic impurities were cleaned with electrolyzed water(EW), which was generated by the electrolysis of a diluted electrolyte solution or ultra pure water(UPW). Electrolyzed water could be controlled for obtaining wide ranges of pH and ORP(oxidation-reduction potential). The pH and oxidation-reduction potential of anode water and cathode water were measured to be 4.7 and +1000mV, and 6.3 and -550mV, respectively. To analyze the amount of metallic impurities on Si-wafer surfaces, ICP-MS was introduced. Anode water was effective for Cu removal, while cathode water was more effective for Fe removal.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.40 no.1
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• pp.69-76
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• 2003

For lithium secondary microbattery anode, the tin oxide thin films with Si addition (0, 2, 6, 10, 20 ㏖%) were prepared with R.F. magnetron sputtering at substrate temperature of 30$0^{\circ}C$ and Ar:O$_2$=7:3 atmosphere. As Si addition amount increased, Si-O bonding density increased and Sn-O bonding density decreased. The addition of optimum Si amount led the decrease of Sn oxidation state so that the irreversible capacity reduced and cycle characteristic enhanced during charge-discharge test. SnO$_2$films with 6 ㏖% Si had the highest reversible capacity of 700 mAh/g after 100 cycles.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2012.02a
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• pp.75-75
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• 2012

박막 트랜지스터(TFT: Thin-Film-Transistor)는 미래 산업에 여러 가지로 사용 가능한 소자이기 때문에, 많은 연구가 진행되고 있고 그 성능이 계속 향상되고 있다. 특히, 평판 디스플레이인 AMLCD, AMOLED, 전자 종이 등이 모두 유리 혹은 플라스틱 기판에 향성된 TFT 어레이를 이용하고 있다. 현재 상업화에 응용되는 TFT는 비정질 실리콘과 저온 다결정 실리콘이며, 유기반도체 및 산화물 반도체 TFTs에 대한 연구가 매우 활발히 진행되고 있다. 본 발표에서는 산화물 반도체 TFT와 유기 반도체 TFT 기술 및 AMOLED에의 응용 기술 이슈에 대해 논의할 예정이다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2007.04a
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• pp.14-15
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• 2007

MAHA PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 설비는 반도체 소자업체의 200mm와 300mm 생산 라인에서 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막을 증착하고 있는 (주)아토의 주력 반도체 전공정 설비이다. MAHA PECVD 설비는 2002년 소자업체에서 TEOS 산화막 공정에 대한 양산검증을 확보한 이후 현재까지 64 시스템이 제작되어 소자업체의 생산 라인에서 가동 중에 있다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.1
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• pp.55-62
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• 1993

수소 관련된 species를 포함하지 않고 자기제한특성으로 초박막 성장을 용이하게 제어할 수 있는 N$_{2}$O 가스 분위기에서 실리콘의 산화는 질화된 산화막의 재산화공정 보다 훨씬 간단한 공정이다. N$_{2}$O산화로 형성된 Si-SiO$_{2}$ 계면에서 nitrogen-rich층은 산화막 구조를 강화할 뿐만 아니라 게이트 유전체의 질을 개선하고 산화율을 감소시키는 산화제의 확산 장벽으로 작용한다. 초박막 oxynitride 게이트 유전체가 종래의 열산화 방법으로 제작되었고 oxynitride막의 특성이 AES와 I-V 특성 측정의 결과를 분석하여 연구하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.244.2-244.2
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• 2016

폴리 실리콘 박막은 저온 안정성, 산화 안정성, 가스 투과성 및 전기재료로서의 우수한 물성 때문에 산업에서 계속적으로 넓게 쓰이고 있다. 특히 최근 높은 색 재현율과 고화질로 각광을 받고 있는 능동형 유기발광 다이오드 (AMOLED)를 위한 Thin Film Transistor (TFT)는 신뢰성 및 우수한 특성이 요구되기 때문에 반드시 폴리실리콘 TFT가 적용되어야 한다. 이러한 이유 때문에 아모포스 실리콘을 폴리실리콘으로 결정화 시키는 방법들이 많이 연구 되어져왔다. 이 연구에서는 아모포스 실리콘 박막을 고품질의 폴리실리콘 박막으로 제조하기 위해, 기판에 positive DC 전압을 펄스 형태로 인가함으로써, 기판에 입사되는 전자를 이용한 열처리 방법을 사용하였다. 열처리 온도는 기판에 들어오는 current값을 조절함으로써 제어할 수 있었다. 열처리를 위해 사용 된 수소화 된 아모포스 실리콘은 Low Pressure Chemical Vapor Deposition (LPCVD)장비로 530도에서 증착 되었으며, 이러한 아모포스 실리콘 박막은 공정시간 60 s 이내에 샘플 표면온도가 600도 이상으로 증가함으로써 균일한 폴리실리콘 막으로 제조 되었다.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics D
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• v.35D no.10
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• pp.83-90
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• 1998

The effects of dopant activation anneal on GOI (Gate Oxide Integrity) of MOS capacitor with amorphous silicon gate electrode were investigated. It was found that the amorphous silicon gate electrode was crystallized and the dopant atoms were sufficiently activated by activation anneal. The mechanical stress of gate electrode that reveals large compressive stress in amorphous state, was released with increase of anneal temperature from $700^{\circ}C$ to 90$0^{\circ}C$. The resistivity of gate electrode polycrystalline silicon film is decreased by the increase of anneal temperature. The reliability of thin gate oxide and interface properties between oxide and silicon substrate greatly depends on the activation anneal temperature. The charge trapping characteristics as well as oxide reliability are improved by the anneal of 90$0^{\circ}C$ compare to that of $700^{\circ}C$ or 80$0^{\circ}C$. Especially, the lifetimes of the thin gate oxide estimated by TDDB method is 3$\times$10$^{10}$ for the case of $700^{\circ}C$ anneal, is significantly increased to 2$\times$10$^{12}$ for the case of 90$0^{\circ}C$ anneal. Finally, the interface trap density is reduced with relaxation of mechanical stress of gate electrode.

• Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics T
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• v.35T no.1
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• pp.29-32
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• 1998

The low level leakage currents in silicon oxides were investigated. The low level leakage currents were composed of a transient component and a do component. The transient component was caused by the tunnel charging and discharging of the stress generated traps nearby two interfaces. The do component was caused by trap assisted tunneling completely through the oxide. The low level leakage current was proportional to the number of traps generated in the oxides. The low level leakage current may be a trap charging and discharging current. The low level leakage current will affect data retention in EEPROM.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.16 no.2
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• pp.99-104
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• 2007

Porous silicon exhibiting dual optical properties, both $Febry-P{\acute{e}}rot$ fringe (optical reflectivity) and photoluminescence had been developed and used as chemical sensors. Porous silicon samples were prepared by an electrochemical etch of p-type silicon wafer (boron-doped, <100> orientation, resistivity ; $1-10{\Omega}cm$). Two different types of porous silicon, fresh porous silicon (Si-H terminated) and oxidized porous silicon (Si-OH terminated)by the thermal oxidation, were prepared. Then the samples were exposed to the vapor of various organics, such as methanol, acetone, hexane, and toluene. Both reflectivity and photoluminescence were simultaneously measured under the exposure of organic vapors for sensing VOC's. These surface-modified samples showed unique respond in both reflectivity and photoluminescence with various organic vapors. While polar molecules exhibit greater quenching photoluminescence, molecules having higher vapor pressure show greater red shift for reflectivity.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2010.06a
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• pp.207-207
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• 2010

알루미늄 양극산화 기술은 저가로 공정이 가능하고, 경제적이며 규칙적인 배열의 나노 미터 크기의 미세기공을 형성할 수 있다는 장점을 가지고 있다. 인가전압, 양극산화 용액의 종류, 용액의 농도 및 온도 등의 양극산화 조건을 변화시킴에 따라 나노 기공의 직경 및 길이, 밀도 조절이 용이하다. 알루미늄 판 (aluminum plate)을 이용한 양극산화 기술은 상대적으로 많이 알려져 있으나 알루미늄 박막을 이용한 양극산화기술은 아직도 확립되어 있지 않다. 본 실험에서는 실리콘 기판에 Al을 $5000{\AA}$와 $8000{\AA}$으로 증착시켜서 기판으로 이용하였다. 아주 얇은 두께의 Al은 작은 변화에도 민감하게 반응하기 때문에 공정 변수인 온도와 전압의 정밀한 제어가 되어야 나노 기공의 크기 조절이 가능한 것을 확인하였다.