Au 촉매를 코팅한 사파이어 기판 상에서 산화아연과 흑연 분말을 혼합한 분말재료를 이용하여 VLS (vapor-liquid-solid) 법으로 산화아연 반도체 나노선을 합성하였다. 제조된 산화아연 나노선은 380 nm에서 근 자외선 영역의 NBE (near-band edge) 발광과 600 nm 부근의 가시광선 영역에서 넓게 퍼져 발광하는 상대적으로 강한 DL (deep level) 발광이 확인되었다($I_{NBE}/I_{DL}$ <1). 산화아연 나노선을 효율적인 단일 파장 자외선 발광체에 적용될 수 있도록 NBE 발광을 극대화함과 동시에 DL 발광을 억제시키기 위하여 본 실험에서는 합성된 산화아연 나노선에 수소 플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리시간이 길어짐에 따라(120초 이상) 발광특성의 향상정도는 점차로 감소하였지만, 수소 플라즈마 처리를 통해 나노선 내부에 존재하는 불순물 제어 등으로 다소 짧은 시간의 플라즈마 처리로(90초 이내) DL발광대비 NBE발광의 세기가 약 4배로 향상됨을 확인 하였다($I_{NBE}/I_{DL}$ ~4).
본 연구에서는 플라즈마 전해산화 처리된 AZ31 마그네슘 합금의 내식성에 봉공처리가 미치는 영향에 대해 알아보았다. 플라즈마 전해산화 공정에 의해 형성된 피막에 대하여 증류수 및 알칼리 수용액에서 봉공처리를 실시하였으며, 개회로 전위 측정, 동 전위 분극실험 및 염수분무실험을 통해 내식성을 평가하였다. 실험 결과 증류수 및 알칼리 수용액에서 모두 봉공처리를 함에 따라 내식성이 향상되었으며, 봉공처리 시간을 증가시킴으로써 AZ31 마그네슘 합금의 내식성을 크게 향상 시킬 수 있었다.
질소제거 하수고도처리공정에서 암모니아산화균은 질소제거에 핵심 역할을 하는 독립영양세균이다. 하수처리 생물반응기에는 다양한 암모니아산화균이 서식하며 군집조성도 시간에 따라 변화한다. 본 연구에서는 생물반응기의 운전인자 및 환경조건이 암모니아산화균 군집구조의 조성과 다양성에 영향을 미친다는 가설을 설정하였다. 이 가설을 검증하기 위해 질산화 반응이 활발한 포항, Palo Alto, Nine Springs, Marshall 하수처리장 활성슬러지 생물반응기로부터 암모니아산화균의 ammonia monooxygenase subunit A 유전자 clone library를 제작하였다. 하수처리 생물반응기에는 Nitrosomonas europaea, N. oligotropha, N.-like, Nitrosospira lineage에 속하는 암모니아산화균이 주로 발견되었으며, N. communis, N. marina, N. cryotolerans lineage에 속하는 암모니아산화균은 주종을 이루지 못했다. 암모니아산화균 군집조성은 하수처리장별로 차이를 보였는데, 포항, Palo Alto, Marshall 하수처리장에서는 N. oligotropha lineage에 속하는 암모니아산화균이 가장 빈번히 발견되었고, Nine Springs 하수처리장에서는 N. europaea lineage에 속하는 암모니아산화균이 주종을 이루었다. 한편, 암모니아산화균 군집조성과 생물반응기 운전인자(HRT, SRT, MLSS) 및 환경조건(온도, pH, COD, $NH_3$, $NO_3{^-}$)의 연관성은 다변수 통계분석법인 Redundancy Analysis 방법을 이용하여 분석하였다. 그 결과, 생물반응조의 COD와 $NO_3{^-}$ 농도가 하수처리 생물반응기에서 암모니아산화균 군집구조를 결정하는 통계학적으로 유의한 변수로 나타났다.
Plasma electrolyte oxidation(PEO) 표면처리된 Mg 합금을 Scanning electron microscopy(SEM) 방법으로 표면에 형성된 산화 막을 조사 분석하였다. 측정은 상온에서 수행하였다. Burning 및 PEO 방식의 표면처리 방법을 통해 제작 된 시료의 산화막을 SEM, EDS 및 I-V 측정을 통해 분석하였다.
본 연구의 목적은 각각 다른 표면처리를 한 지르코니아를 레진시멘트로 접착한 후 전단결합강도를 평가, 비교하는 것이다. 디스크 모양의 산화 지르코늄(3-TZP, Kyoritsu, Tokyo, Japan) 시편 120 개를 다음과 같이 표면처리 하였다. (1)110 ${\mu}m$ 산화 알루미나 분사 처리 (2)Silica coating(RocatecTM, 3M ESPE) (3)처리하지 않음 시편을 한 군당 10 개씩 총 6 개군으로 나누어 두 개의 지르코니아 시편을 자가 접착형 레진 시멘트(RelyX U-200, 3M ESPE)로 합착하였다. (1)처리하지 않음/처리하지 않음 (2)처리하지 않음/110 ${\mu}m$ 산화 알루미나 분사처리 (3)처리하지 않음/Silica coating (4)110 ${\mu}m$ 산화 알루미나 분사 처리/110 ${\mu}m$ 산화 알루미나 분사 처리 (5)110 ${\mu}m$ 산화 알루미나 분사 처리/Silica coating (6)Silica coating/Silica coating. 각 군의 전단결합강도를 만능시험기로 측정하였다. 표면처리에 따른 결합강도의 차이를 살펴보기 위해 일원변량분석(One-way ANOVA)을 이용하고 사후 분석으로 Tukey HSD test를 실시하였다. Silica coating을 한 두 개의 시편을 접착한 군이 가장 높은 결합 강도를 보였다(P<0.05). 표면 처리하지 않은 시편을 접착한 군과 두 개의 시편 모두 알루미나 분사 처리한 시편을 접착한 군은 서로 간에 유의한 차이를 보이지 않았으며, 그 외의 군에 비해서는 유의하게 낮았다(P<0.05). 본 연구의 결과에 따르면 Silica coating은 자가중합형 레진시멘트를 이용하여 접착한 두 지르코니아 간의 결합을 증진시키는데 효과적이었다.
고농도 페놀폐수 전처리 습식산화공정의 반응온도, 초기 pH 및 균일촉매 ($CuSO_4$) 등이 후처리 호기성 생물학적 공정에 미치는 영향을 조사하였다. 습식산화에서의 높은 반응온도와 산성 초기조건이 후처리 생물학적 산화공정에서 높은 산화속도와 최종 COD 제거율을 유발하였다. 습식산화에서 균일촉매를 사용하면 전처리 습식산화반응은 낮은 반응온도에서도 높은 COD 제거속도를 보였으나, 후처리 생물학적 산화공정에서는 낮은 최종 COD 제거율을 나타내었다.
본 연구에서는 흑미 호분을 실험소재로 선택하여, 흑미 호분에 효소(lipase, lecitase, lipopan)를 처리함으로써 산화방지와 항염증활성을 증진하고자 하였다. 항산화 활성을 확인해보고자 DPPH 라디칼 제거능과 ABTS 라디칼 제거능을 실시하였다. 그 결과 효소 처리군이 무 처리군에 비해 산화방지 활성이 증가됨을 확인할 수 있었고, 특히 라이페이스를 처리한 후 추출한 시료에서 산화방지활성 증진이 가장 효과적이었다. 이것은 총 안토사이아노 사이드 함량 측정 결과와 일치한 것을 확인하였다. 이러한 산화방지 활성의 증가에서 라이페이스의 작용이 흑미 호분 겉면의 지방 분해를 도와 산화방지능과 관련된 유효성분들을 효과적으로 추출한 것으로 생각된다. 항염증 활성을 비교하기 위해서는 효소처리한 흑미 호분 추출물(OLAE)과 LPS를 함께 처리하여 RAW 264.7 세포가 생산하는 NO의 양과 염증성 사이토카인의 분비량을 측정해 보았다. 효소 처리를 한 경우, 라이페이스와 lecitase를 연이어 처리한 경우의 시료에서 NO의 생성이 억제되고, 염증성 사이토카인($TNF-{\alpha}$, IL-6)의 분비량이 감소됨을 확인하였다. 항염증 활성의 증진은 두 가지의 효소를 처리하는 과정 중에 일어나는 유효성분의 변화 또는 성분의 전환이 되었기 때문이라 여겨지며, 이를 확인하는 후속연구가 필요하다고 생각된다. 이상의 결과는 부산물로 버려지는 흑미 호분을 효소 처리 과정을 이용하여 만든 흑미 호분층 추출물(OLAE)로 활용하면 유용하고 안정하고 효과적인 산화방지 및 항염증 기능성 식품 소재 개발로 가능함을 제시할 수 있다.
김치 제조시 보다 철저한 재료 세척과 이에 따른 김치제품의 초기 미생물제어를 목적으로 전해산화수를 세척매체로 이용하였다. 원료배추를 전해산화수로 1회 세정한 결과 전해산화수를 사용한 처리구는 수도수 처리에 비해 총 균수 및 대장균수가 약 1/2수준으로 감소됨을 알 수 있었다. 그러나 김치양념에 대한 수도수 및 전해산화수 처리에 따른 미생물수의 차이를 볼 수는 없었으며 이는 주로 양념 중의 고춧가루에 기인하는 것으로 판단되었다. 절임수를 전해산화수로 사용했을 경우 절임수 자체의 총 균수에서는 매우 큰 차이를 나타내어 전해산화수를 사용했을 때가 약 1/270 정도의 수준을 보였다. 절임 배추를 전해산화수로 세정한 경우에는 총 균수가 수도수 처리구에 비해 1/16 수준으로 감소하였고 대장균군 및 대장균은 검출되지 않았다. 절임 전후를 비교했을 때 전해산화수를 사용했을 경우에는 절임후 총 균수가 1/4 수준으로 감소했으며, 대장균군은 거의 완전히 사멸한 것으로 나타난 반면 수도수를 사용한 처리구에서는 총 균수가 오히려 1.7배 정도 증가하였다. 이러한 증가는 제조 공정 중의 2차적인 오염이 그 원인일 것으로 추정되었다. 배추김치의 발효 중 총 균수 변화에 있어서 발효 15일까지는 전해산화수 처리구가 비교적 낮은 총 균수를 나타내었으나 발효 20일경이 지나서는 큰 차이가 없는 것으로 나타났다. 김치 발효 중 pH는 발효 15일까지 다소 차이를 보였으나 20일경 부터는 차이가 매우 미미하였으며, 이러한 경향은 산도에서도 유사하여 발효 20일 부터는 거의 차이를 나타내지 않았다.
VOCs 처리기술로는 촉매연소, 열적처리, 생물학적처리법 등이 있으며, 촉매연소방법의 경우 저온에서 처리가 가능하여 처리비용 절감 등의 효과를 고려할 때 가장 경제적인 방법으로 평가되고 있다(Guisnet, et al., 1999). VOCs 처리에는 대부분 고가의 귀금속촉매를 많이 사용하므로, 경제적 부담을 줄이기 위하여 귀금속을 담체(SiO$_2$, A1$_2$O$_3$, TiO$_2$등)에 담지시켜 활용하거나, 귀금속촉매를 대체하기 위한 Mn, Co, Cu 등의 금속 산화물 촉매에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. (중략)
최근 고집적화된 금속-산화막 반도체 metal oxide semiconductor (MOS) 소자는 크기가 점점 작아짐에 따라 얇은 산화막과 다양한 High-K 물질과 전극에 대하여 연구되고 있다. 이러한 소자의 열적 안정성과 균일성을 얻기 위해 다양한 열처리 방법이 사용되고 있으며, 일반적인 열처리 방법으로는 conventional thermal annealing (CTA)과 rapid thermal annealing (RTA)이 많이 이용되고 있다. 본 실험에서는 microwave radiation에 의한 열처리로 소자의 특성을 개선시킬 수 있다는 사실을 확인하였고, 상대적으로 $100^{\circ}C$ 이하의 저온에서도 공정이 이루어지기 때문에 열에 의한 소자 특성의 열화를 억제할 수 있으며, 또한 짧은 처리 시간 및 공정의 단순화로 비용을 효과적으로 절감할 수 있다. 본 실험에서는 metal-oxide-silicon (MOS) 구조의 capacitor를 제작한 다음, 기존의 CTA나 RTA 처리가 아닌 microwave radiation을 실시하여 MOS capacitor의 전기적인 특성에 미치는 microwave radiation 효과를 평가하였다. 본 실험은 p-type Si 기판에 wet oxidation으로 300 nm 성장된 SiO2 산화막 위에 titanium/aluminium (Ti/Al) 금속 전극을 E-beam evaporator로 형성하여 capacitance-voltage (C-V) 특성 및 current-voltage (I-V) 특성을 평가하였다. 그 결과, microwave 처리를 통해 flat band voltage와 hysteresis 등이 개선되는 것을 확인하였고, microwave radiation 파워와 처리 시간을 최적화하였다. 또한 일반적인 CTA 열처리 소자와 비교하여 유사한 전기적 특성을 확인하였다. 이와 같은 microwave radiation 처리는 매우 낮은 온도에서 공정이 이루어짐에도 불구하고 시료 내에서의 microwave 에너지의 흡수가 CTA나 RTA 공정에서의 열에너지 흡수보다 훨씬 효율적으로 이루어지며, 결과적으로 산화막과 실리콘 기판의 계면 특성 개선에 매우 효과적이라는 것을 나타낸다. 따라서, microwave radiation 처리는 향후 저온공정을 요구하는 nano-scale MOSFET의 제작 및 저온 공정이 필수적인 display 소자 제작의 해결책으로 기대한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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