Cathodic oxygen reduction kinetics on $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$ electrode have been examined at $700-900^{\circ}C$ under various oxygen partial pressures. AC impedance and current interruption techniques were employed for the determination of charge transfer resistances for electrochemical oxygen reduction. The $R_{ct}$ values obtained from two different methods were very close each other for $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$ electrode. Activation energy for the electrochemical oxygen reduction was found to be 174kJ/mol under atmospheric oxygen pressure. $R_{ct}$ measurements as a function of oxygen partial pressure indicate that the rate-determining step for the electrochemical oxygen reduction on $La_{0.9}Sr_{0.1}MnO_3$ electrode is the charge transfer process.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.386-386
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2010
최근 널리 보급되고 있는 치과용 임플란트는 티타늄(Ti) 또는 티타늄 합금(Ti-6Al-4V) 보철과 크라운을 연결하여 사용하고 있다. 티타늄은 생체 친화성이 우수하나, 생체 활성도가 없어 치유기간이 긴 단점이 있다. 이를 보완하기 위해 인체 경조직과 유사한 수산화아파타이트(hydroxyapatite, $Ca_{10}(PO_4)_6(OH)_2)$를 티타늄 임플란트 표면에 코팅하는 방법이 연구되고 있으나 수산화아파타이트 코팅은 티타늄과의 접착성이 나쁘기 때문에 시술 및 사용과정에서 코팅층이 임플란트로부터 박리되는 문제점이 있다. 본 연구에서는 티타늄과 수산화아파타이트 사이에서 접착력을 향상시키는 buffer layer로서 지르코니아(8YSZ, 8mol% Yttria-stabilized zirconia)를 연구하였다. 지르코니아는 고온에서 안정하며, 티타늄 합금과 수산화아파타이트 사이의 반응을 방지하며, 박막밀도와 기계적 강도가 좋은 생체세라믹스이다. 지르코니아 박막을 펄스 레이저 증착법을 이용하여 증착 온도 $600^{\circ}C$, 레이저 fluence $2\;J/cm^2$에서 산소($O_2$) 분압을 바꿔 가며 증착하였다. 그 위에 수산화아파타이트 박막을 역시 펄스 레이저 증착법으로 증착하였다. Scratch test와 Pull-off test를 통해 접착력을 평가한 결과 지르코니아 buffer layer 삽입에 의해 티타늄 합금과 수산화아파타이트 사이의 접착력이 향상되었음을 확인하였다. 또한 산소분압이 박막의 특성 및 접착력에 미치는 영향을 고찰하였다.
Indium tin oxide (ITO) thin films (170 nm) were grown by DC magnetron sputtering deposition on Coming glass substrates without a post annealing. The electrical transport and optical properties of the films have been investigated as a function of deposition temperature $T_{s}$ (10$0^{\circ}C$$\leq$$T_{s}$$\leq$35$0^{\circ}C$) and oxygen partial pressure $P_{o_{2}}$, (0 $P_{o_{2}}$$\leq$ 10$^{-5}$ torr). Films were deposited from a high density (99% of theoretical density) ITO target (I $n_2$$O_3$: Sn $O_2$= 90 wt% : 10 wt%) made of ITO nano powders. With an increase of $T_{s}$ the electrical resistivity p of ITO thin films was found to decrease, but the mobility $\mu$$_{H}$ was found to increase. The carrier density nu shows the maximum value of 6.6$\times$10$^{20}$ /㎤ at $T_{s}$ = 30$0^{\circ}C$. At fixed Is, with an increase of the oxygen partial pressure, $n_{H}$ and $\mu$$_{H}$ were found to decrease, but p was found to increase. The minimum resistivity and maximum mobility values of the ITO films were found to be 0.3 mΩ.cm and 39.3 $\textrm{cm}^2$/V.s, respectively. The visible transmittance of the ITO films was above 80%.. 80%..
Postoperative brain damage is one of most serious complications of cardiopulmonary bypass (CPB). To prevent brain damage during CPB, adequate cerebral perfusion for cerebral oxygen demand should be maintained. This study monitored jugular venous oxyhemoglobin saturation ($SjO_2$), which reflects the overall balance of cerebral oxygen supply and demand, intermittently in 10 patients undergoing cardiac surgery. At the initiation of CPB, in spite of a significant decrease in mean arterial pressure, $SjO_2$ did not change, and it was stable during the hypothermic period of CPB. But a significan reduction in $SjO_2$ was observed during the rewarming period, and $SjO_2$ had an inverse linear correlation with esophageal temperature. Furthermore, the percent decrease of $SjO_2$ was related to rewarming speed. Therefore, therapeutic approaches for $SjO_2$ desaturation include slower rewarming, increasing cerebral blood flow, decreasing the cerebral metabolic rate for oxygen, increasing oxygen content, and increasing perfusion flow rate.
$YMnO_3$thin films are deposited on Si(100) and $Y_2O_3/Si(100)$ substrate by radio frequency sputtering. The deposition condition of oxygen partial pressure and annealing temperature have significant influences on the preferred orientation of $YMnO_3$film and the size of memory window. The results of x-ray diffraction show that the film deposited in the oxygen partial pressure of 0% is highly oriented along c-axis after annealing at $870^{\circ}C$ for 1 hr in oxygen ambient. However, the films deposited on Si and $Y_2O_3/Si$ in the oxygen partial pressures of 20% show $Y_2O_3$ peak, the excess $Y_2O_3$ in the $YMnO_3$film suppresses the c-axis oriented crystallization. Especially memory windows of the $Pt/YMnO_3/Y_2O_3/Si$ capacitor are 0.67~3.65 V at applied voltage of 2~12 V, which is 3 times higher than that of the film deposited on $Y_2O_3/Si$ in 20% oxygen (0.19~1.21 V) at the same gate voltage because the film deposited in 0% oxygen is well crystallized along c-axis.
본연구에서는 n-type 세라믹 초전도체인 Nd2-xCexCuO4상의 산소함량에 따른 \ulcorner기적저항의 변화를 고찰하고자 하였다. 일반적인 소결과 어닐링과정을 결쳐 제조된 Nd1.85Ce0.15CuO4-x 시편을 여러 온도와 산소분압의 분위기하에서 어닐링시킴으로써 산소의 함유량이 다른 시편들을 준비하였고 각각의 시편의 산소함량은 TGA(Thermogravimetric Analysis0에 의해 측정하였다. Nd1.85Ce0.15CuO4-x시편의 전기적 저항 측정은 표준 4-탐침방법을 이용하여 액체헬륨을 주입시켜 상온으로부터 4K까지 측정하였다. Nd1.85Ce0.15CuO4-x시편의 산소함량, 3.96$\leq$4-x$\leq$4.0의 범위에서 전기적저항을 측정한 결과 초전도특성이 나타나기 시작한 임계산소함량은 4-x=3.990이었고 이때의 임계온도 Tc=12K이었다. 또한 임계온도, Tc는 산소함량 4-x=3.96에서 24K로 측정되었다. 특이할 만한 현상은 CuO/Cu2O 열역학적 상전이가 일어나는 조건이 Nd1.85Ce0.15CuO4-x 시편의 초전도가 일어나는 임계와 일치하였다. 즉, Cu2O가 안정한 영역에서는 초전도특성이 나타났고 CuO가 안정한 영역에서는 초전도특성이 나타나지 않았다.
The Hanae deposit is located within the Cretaceous Gyeongsang Basin. The Cu-bearing hydrothermal quartz vein formed by narrow open-space filling along fracture in the sedimentary rocks as Jindong Formation. The Hanae Cu-bearing hydrothermal deposit shows a paragenetic sequence of pyrrhotite-pyrite $\rightarrow$ pyrite-chalcopyrite-sphalerite(${\pm}$Bi-bearing tellurides) $\rightarrow$ Ag-bearing telluride mineralization $\rightarrow$ secondary mineralization. Fluid inclusion data indicate that the Hanae Cu-bearing hydrothermal mineralization occurred from dominantly aqueous fluids at temperatures of $400^{\circ}C-200^{\circ}C$. Equilibrium thermodynamic interpretation of the mineral paragenesis and assemblages combined with fluid inclusion data indicate that early main Cu-bearing ore mineralization in the vein starts at about $350^{\circ}C$ which corresponds to sulfur fugacity from about $10^{-9.2}$ to $10^{-8.7}bar$ with oxygen fugacity of about $10^{-32.1}$ to $10^{-29.8}bar$. Late main Cu-bearing ore mineralization in the vein occurs at about $250^{\circ}C$ which corresponds to sulfur fugacity from about $10^{-13.5}$ to $10^{-11.7}bar$ with oxygen fugacity of about $10^{-38.4}$ to $10^{-35.2}bar$. The late Ag-bearing telluride mineralization in the Hanae hydrothermal system occurs at about $200^{\circ}C$ which corresponds to minium Tellirium fugacity value of about $10^{-18}bar$ with sulfur fugacity of about $10^{-14.0}$ to $10^{-10.9}bar$.
2세대 바이오연료 생산에 적용되는 미세 조류의 열화학적 전환 특성을 열천칭 반응기를 이용하여 고찰하였다. 반응 온도 (500 - $800^{\circ}C$)와 수분 함량 (0-60wt.%)을 변수로 하였으며 미세조류로서 가장 널리 이용되는 클로렐라를 이용하였다. 대표적인 열화학적 전환 반응인 열분해, 부분 산화 (5%), 연소 반응을 고찰하였으며 실험 영역에서 반응온도 및 산소의 분압이 증가함에 따라 탄소 전환율이 증가하였으며 Shrinking-core model을 사용하여 반응 차수를 구하였다. 가스화 영역인 부분 산화 (5%) 조건에서의 activation energy와 frequency factor 값은 각각 19.60 kJ/mol, $2.47{\times}10-1\;s^{-1}$ 이었으며 산소 분압에 의한 반응 차수는 0.209 임을 확인하였다. 수분 함량에 따른 클로렐라의 반응 특성을 살펴보면, 수분 함량이 증가함에 따라 탄소 전환율과 반응성이 감소하는 경향이 발견되었다. 열분해의 경우, 건조 시료에 비하여 수분 함량이 늘어남에 따라 탄소 전환율과 반응성이 급격하게 감소하는 경향을 보였다. 반면, 부분 산화(5%) 및 연소의 경우에는 건조 시료, 수분 함량 20, 40% 시료의 탄소 전환율과 반응성은 거의 일정하였다. 그러나 수분 함량이 60%가 되면서 탄소 전환율 및 반응성이 급격히 떨어졌다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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