• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2005.02a
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• pp.156-157
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• 2005

Monte Carlo photon simulation 기법을 사용하여 광추출효율 관점에서 InGaN LED를 분석하였다. InGaN/sapphire 칩의 경우, AlInGaP나 InGaN/SiC 칩에서와는 달리, 칩의 측벽면을 기울여 주는데서 오는 광추출효율 개선 효과는 매우 미미하였다. 이는 InGaN/sapphire 칩의 경우 사파이어 기판의 굴절률 상대적으로 작아서 활성층으로부터 생성된 광자들의 상당량이 기판으로 넘어갈 때 전반사현상으로 말미암아 기판으로 넘어가지 못하고 상대적으로 두께가 매우 얇은 에피택시 층에 갇히기 때문으로 파악되었다. 이와 같은 효과는 epitaxial side down mount의 광추출효율이 크게 개선되지 못하는 원인으로도 작용하게 되는데, epitaxial side down mount의 잠재력을 살릴 수 있는 방안의 하나는 texture된 기판위에 결정층을 성장시키는 것이라고 할 수 있다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.69-69
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• 2011

다이아몬드는 절연 물질이지만, 합성 다이아몬드를 생성할 때 결정 내에 도핑(doping) 과정을 통해 불순물을 혼입함으로써 반도체 성질을 가지게 된다. 본 연구에서는 마이크로웨이브 CVD 장치를 이용하여 다이아몬드 박막의 생성 조건을 최적화하고 여기에 다이아몬드 박막 생성시 디보란(Diborane, B2H6)을 주입하여 전기적 특성을 갖는 보론-도핑 된 다이아몬드 박막을 생성하였다. 실험 조건으로는 방전전력 1.4 Kw, 진공압력 40 Torr의 상태에서 디보란의 주입량을 각각 다르게 하여 실험을 진행하였다. 이 때 사용된 기판으로는 전기적 특성이 서로 다른 사파이어($Al_2O_3$), Si, Ti 기판을 사용하여 박막과 기판과의 연관성도 조사하였다. 각각의 보론-도핑 농도와 기판에 따른 다이아몬드 결정구조를 Micro Raman, SEM으로 분석하였고, 다이아몬드 박막의 I-V특성을 통해 다이아몬드의 전기적 특성을 조사하였다.

• Korean Journal of Crystallography
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• v.4 no.2
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• pp.92-99
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• 1993

ZnO thin films were depositsd by Plasma enhanced CVD (PUW) using Diethylzinc and N2O gas, and micro-structue of ZnO thin films were investigated ZnO thin films composed of micro-crystallites was deposited at the substrate of loot. However, highly c-axis oriented ZnO thin films were deposited on the glass substrates above 200℃. TEM analysis revealed that an epitaxial (002) ZnO thin film was deposited on c-plane sapphire substrate at the substrate temperature of 350℃, and More patterns showing partial dislocation were observed at the grain boundary.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.6 no.4
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• pp.318-323
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• 1993

본 연구에서는 rf magnetron 스퍼터링으로 (100) 사파이어 기판에 퇴적시킨 YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$박막을 열처리하기 위하여 급속 열처리 방법을 사용하였다. XRD, AES, 그리고 4단자 비저항 측정법을 사용하여 급속 열처리로 형성시킨 초전도체 박막과 기판사이의 상호확산을 조사하였다. 제조된 박막은 91K에서 Tc(onset)를 80K에서 Tc(zero)를 나타내었다. AES 분석 결과, 급속 열처리 방법의 경우 YBa$_{2}$Cu$_{3}$$O_{7-x}$ HTS 박막과 기판사이의 계면에서 항호확산이 감소되는 것을 확인하였다. XRD 분석 결과, 급속 열처리에 의해 형성된 HTS 박막은 주로 c-축이 기판의 표면에 수직인 구조를 가지고 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.230-230
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• 2010

질화갈륨 기반의 III족-질화물 계열의 반도체 물질은 녹색-자외선 영역의 발광다이오드에 응용되어 왔으며 고효율, 고휘도 발광소자의 구현 및 성능 향상을 위해 많은 연구가 진행되었다. 일반적으로 널리 사용되어온 c축 방향으로 성장된 질화갈륨 기반 발광다이오드에서는 활성층의 에너지 밴드구조가 내부전기장에 의해 변형되어 전자와 정공의 재결합 확률이 저하된다. c축 방향으로 형성되는 내부전기장은 축방향으로의 자발적 분극화와 높은 압전 분극 현상에 기인한다. 이와 같은 분극 성장에서의 내부양자효율 저하 현상을 해결하기 위하여 내부 전기장이 존재하지 않는 a축과 m축과 같은 무분극 방향으로의 성장이 집중적으로 연구되고 있다. 현재 사파이어 기판위에서 무분극 성장된 박막은 높은 밀도의 결함이 발생하여 고품위의 발광다이오드 동작에 어려움을 겪고 있다. 최근 결함 밀도를 낮추고 높은 결정성을 갖는 무분극 질화갈륨 박막을 성장하기 위하여 2-단계 성장 방법, 나노구조층 삽입, 산화규소 마스크 패턴 등 다양한 성장 방법들이 연구되어 주목할 만한 연구 결과들이 보고되고 있다. 다양한 성장 방법들에 의해 성장된 박막들은 고유한 특성들을 보이는데, 특히 박막 성장방법에 따라 박막 내부에 형성되는 깊은 준위의 특성들은 발광다이오드의 소자 특성에도 큰 영향을 미치게 되므로 무분극 박막에서의 깊은 준위에 대한 연구가 필요하다. 본 연구에서는 금속-유기 화학기상증착 방법으로 r면의 사파이어기판 위에 a면의 질화갈륨을 성장시켰다. 고품질의 결정성을 구현하기 위해 저온 핵형성층, 3차원 성장층, 2차원 중간온도 성장층, 2차원 성장층의 4개 버퍼층을 사용하였으며, 질화규소 나노구조층을 삽입함으로써 고품 위의 a면 질화갈륨 박막을 구현하였다. 성장된 a면 질화갈륨 박막에 형성된 깊은 준위들은 접합용량과도분광법을 이용하여 분석되었으며 질화규소 삽입층의 유무에 따른 깊은 준위의 특성 차이에 대한 연구를 수행하였다.

• Tribology and Lubricants
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• v.32 no.4
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• pp.119-124
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• 2016

In the sapphire wafering process, lapping is a crucial operation in order to reduce the damaged layer and achieve the target thickness. Many parameters, such as pressure, velocity, abrasive, slurry and plate, affect lapping characteristics. This paper presents an experimental investigation on the effect of the plate groove on the material removal rate and roughness of the wafer. We select the spiral pattern and rectangular type as the groove shapes. We vary the groove density by controlling the groove shape dimension, i.e., the groove width and pitch. As the groove density increases to 0.4, the material removal rate increases and gradually reaches a saturation point. When the groove density is low, the pressing load is mostly supported by the thick film, and only a small amount acts on the abrasives resulting to a low material removal rate. The roughness decreases on increasing the groove density up to 0.3 because thick film makes partial participations of large abrasives which make deep scratches. From these results, we could conclude that the groove affects the contact condition between the wafer and plate. At the same groove density, the pitch has more influence on reducing the film thickness than the groove width. By decreasing the groove density with a smaller pitch and larger groove width, we could achieve a high material removal rate and low roughness. These results would be helpful in understanding the groove effects and determining the appropriate groove design.

• Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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• v.11 no.5
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• pp.218-223
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• 2001

The chemical-mechanical polishing process was carried out for 2"-dia. sapphire wafer grown by horizontalBridgman method on the urethane lapping pad with the silica sol. The polished wafer shows the full-width at halfmaximum of 200~400 arcsec in double-crystal X-ray diffraction, indicating that the slicing, grinding and lapping processes before the polishing process affected the crystalline structural property of the wafer surface by the mechanical residual stress. For the inclusion of surface treatments after chemical-mechanical polishing such as the thermal annealing at the temperature of $1,200^{\circ}C$for 4 hrs. and chemical etching, the crystalline quality was sigdicantly enhanced with the reduced full-width at half maximum up to 8.3 arcsec.arcsec.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2012.05a
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• pp.85-85
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• 2012

NiO는 니켈 공공과 침입형 산소 이온에 의한 비화학적양론 특성 때문에 자발적으로 p-형 반도체 특성을 나타내는 것으로 알려져 있다. NiO는 3.7 eV 의 넓은 밴드갭을 가지고 있어 투명소자를 위한 hole injection layer 나 hole transport layer로 사용하기 위한 연구가 많이 이루어지고 있다. 또한, 안정적인 p-형 반도체 특성은 n-형 산화물 반도체와의 접합을 통해 복합소자의 구현이 용이하기 때문에, ZnO 등과의 접합을 통한 소자 구현이 가능하다.[1] 하지만, 기존의 많은 연구에서는 내부의 결함이 많이 존재하는 다결정 박막을 사용하였기 때문에, 전하의 이동에 제한이 발생해, 충분한 소자 특성을 나타내지 못하였다. 최근 Dutta의 연구에 의하면, 결정질 사파이어 기판위에 박막을 성장할 경우 [111] 방향으로 우선 배향성을 가진 NiO 박막을 얻을 수 있다고 알려져 있다.[2] 본 실험에서는 NiO 박막을 이용한 PN 접합소자 구현을 위해 사파이어 위에 p-NiO 박막을 에피택셜하게 성장한 후 구조적 특성을 분석하였으며, n-ZnO 박막을 그 위에 성장하여 소자를 제작하였다. 그 결과 ZnO 또한 에피택셜한 성장을 하는 것을 확인할 수 있었다. 성장순서에 따른 PN 접합구조 특성을 확인하기 위해 사파이어 위에 ZnO 를 성장시킨 후 NiO 를 성장시킨 결과 NiO 박막의 우선성장 방향이 [100]으로 변하는 것을 확인할 수 있었다.

• The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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• v.16 no.6
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• pp.1095-1100
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• 2021

In this study, ITZO thin films were deposited on glass, sapphire, and PEN substrates by RF magnetron sputtering, and their electrical and optical properties were investigated. The resistivity of the ITZO thin film deposited on the glass and sapphire substrates was 3.08×10-4 and 3.21×10-4 Ω-cm, respectively, showing no significant difference, whereas the resistivity of the ITZO thin film deposited on the PEN substrate was 7.36×10-4 Ω-cm, which was a rather large value. Regardless of the type of substrate, there was no significant difference in the average transmittance of the ITZO thin film. Figure of Merits of the ITZO thin film deposited on the glass substrate obtained using the average transmittance in the absorption region of the amorphous silicon thin film solar cell and the absorption region of the P3HT : PCBM organic active layer were 10.52 and 9.28×10-3 Ω-1, respectively, which showed the best values. Through XRD and AFM measurements, it was confirmed that all ITZO thin films exhibited an amorphous structure and had no defects such as pinholes or cracks, regardless of the substrate type.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2009.06a
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• pp.142-142
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• 2009

Zinc Oxide (ZnO)는 wurtzite 결정구조를 가지고 있으며, 밴드갭 에너지가 약 3.4eV인 산화물 반도체 이다. GaN가 도핑된 ZnO 박막을 Pulsed Laser Deposition (PLD) 법을 이용하여 사파이어 기판과 실리콘 기판에 각각 증착하였다. $500^{\circ}C$의 증착온도에서 1at%~10at%까지의 GaN 도핑농도에 따른 ZnO 박막의 결정성, 성분 분석을 비롯한 전기적 특성을 조사하였다. 첨가된 GaN의 농도에 따라 ZnO 박막의 결정성이 변화하였으며, 농도 변화에 상관없이 ZnO(002) 방향으로 성장함을 알 수 있었다. 또한 실리콘 기판에 증착한 GaN-doped ZnO 박막은 5at%에서 $9.3\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$, 10at%에서 $9.2\;{\times}\;10-3{\Omega}cm$의 비저항 값을 가지며 각각 p-type 특성을 나타내었다.