• Proceedings of the Korean Society of Broadcast Engineers Conference
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• 2003.11a
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• pp.149-152
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• 2003

기존의 양안식 스테레오 디스플레이 시스템은 장면 내에 매우 큰 변이를 가지는 물체가 존재 할 경우에 시각피로를 유발하여 오랜 시간동안 시청하기가 어렵게 된다. 본 논문에서는 변이 기반 비대칭 필터링 기법을 제안하고, 이 기법의 시각 피로도에 미치는 영향을 주관적 평가를 통하여 고찰하며, 아울러 교차변이(crossed disparity) 및 비교차변이(uncrossed disparity)에 따른 시각 피로도에 미치는 영향의 변화 또한 고찰하였다. 실험 결과, 변이기반 비대칭 필터링은 시각 피로의 측면에서는 비교차변이만 존재하는 영상의 경우에는 원래의 스테레오 영상에 비해 큰 영향이 없거나, 오히려 필터링 수준에 따라 오히려 시각적 피로가 심하게 되는 결과를 나타내었다. 또한 교차변이의 경우에는 시파피로가 필터링 수준을 높임에 따라 조금씩 시각피로가 개선되는 결과를 나타내었다. 따라서, 비대칭 필터링에 의한 시각피로의 개선효과는 스테레오 영상 내 변이 종류와 그 크기, 시청자의 주시전 등 여러 요인에 따라 달라질 수 있음을 앞 수 있었다.

• Journal of Digital Convergence
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• v.14 no.10
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• pp.521-534
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• 2016

This study examined the neurophysiological mechanisms of exercise deprivation by investigating differences in emotion changes and EEG prefrontal asymmetry in relation with exercise. Twenty male undergraduate university students in the 23-27 age range, amateur marathon runners, were selected as the participants (n=20) and divided into one of two experimental conditions at random: (1) exercise deprivation group (n=10), and (2) non-exercise deprivation group (n=10). PANAS-X measurement and EEG measurement from F3 and F4 scalp sites were performed at pre-test, 3 days after exercise deprivation, and 5 days after exercise deprivation. Results revealed that participants of EDG significantly decreased a positive effect after exercise deprivation on EEG and self-reported measures, and showed an increased negative effect after exercise deprivation on self-reported measures. In contrast, participants of NEDG significantly increased positive feelings after exercise and showed a decreased negative effect after exercise on EEG and self-reported measures. Our results showed that exercise deprivation increasing negative emotion after exercise deprivation. The findings of this study suggest that EEG frontal brain asymmetry can be used as diagnosing method for exercise deprivation.

• Journal of the Korean Ceramic Society
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• v.38 no.1
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• pp.61-67
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• 2001

비대칭 펄스 직류 반응성 스퍼터링을 이용하여 상온에서 Si(100) 기판 위에 AlN 박막을 증착하였다. 100 kHz에서 200 kHz까지 펄스 주파수의 변화 및 70%에서 90%까지 duty cycle의 변화에 따른 아크 발생과 AlN 박막의 결정성 그리고 미세 조직을 관찰하였다. Duty cycle에서 양의 펄스 유지 시간이 증가함에 따라 증착 중에 아크 발생 빈도가 현저히 감소하였고 AlN 박막의 입자 크기와 결정상의 c축 배향성이 증가하였다. 반면에 펄스 주파수 변화에 따른 아크 발생은 일정한 경향을 나타내지 않았지만 전반적으로 많은 아크가 발생했다. 아크 발생 빈도가 늘어남에 따라 c축 배향성이 감소하였다. 양의 펄스 유지 시간과 펄스 주파수가 감소함에 따라 박막의 증착 속도는 증가하였으며 440$\AA$/min의 높은 증착 속도를 나타냈다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2015.10a
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• pp.863-865
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• 2015

본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널 내 도핑농도분포에 대한 드레인유도장벽감소(Drain Induced Barrier Lowering; DIBL)에 대하여 분석하고자한다. DIBL은 드레인 전압에 의하여 소스 측 전위장벽이 낮아지는 효과로서 중요한 단채널 효과이다. 이를 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였으며 전위분포에 영향을 미치는 채널도핑농도의 분포함수변화에 대하여 DIBL을 관찰하였다. 채널길이, 채널두께, 상하단 게이트 산화막 두께, 하단 게이트 전압 등을 파라미터로 하여 DIBL을 관찰하였다. 결과적으로 DIBL은 채널도핑농도분포함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 변화를 나타냈다. 특히 두 변수에 대한 DIBL의 변화는 최대채널도핑농도가 $10^{18}/cm^3$ 정도로 고도핑 되었을 경우 더욱 현저히 나타나고 있었다. 채널길이가 감소할수록 그리고 채널두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였으며 하단 게이트 전압과 상하단 게이트 산화막 두께가 증가할수록 DIBL은 증가하였다.

• Journal of Digital Convergence
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• v.19 no.3
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• pp.127-135
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• 2021

We analyze the information asymmetry in the capital market by examining the long-term performance by the insider's trading behavior in the companies that made investment announcements for the construction of the new office building. The results are summarized as follows. On average, the long-term abnormal returns on share prices of sample firms represent a significant positive value. The regression analysis confirmed that there is a statistically significant positive correlation between the factor of the change in equity of large shareholders and the long-term performance. On the other hand, negative correlation was observed between change in equity of small individual investors and long-term performance. These results mean that an insider can determine the authenticity of a manager's private intention. In other words, it supports that the insider is in a position of information superiority. In addition, it is expected to provide practical usefulness to investors in that the change in equity can be used as a predictor of long-term performance.

• Proceedings of the Korea Committee for Ocean Resources and Engineering Conference
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• 2006.11a
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• pp.426-426
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• 2006

선박이 천 흘수 및 수로를 운항하는 경우 바닥과 벽면의 영향으로 인해 선체침하 및 비대칭적인 힘이 선체 주위에 발생하여 바닥이나 다른 선박 혹은 수로의 벽에 충돌하는 현상이 발생한다. 특히, 수로가 많은 유럽이나 북미를 운항하는 해운회사와 항해사들은 선박의 충돌을 방지하기 위해서 중요한 문제로 다루고 있다. 따라서, 본 연구에서는 선박의 안전한 항해를 위해 수치해석을 이용하여 선박과 벽면 사이에 발생하는 유체역학적 힘, 즉 Sway force와 Yaw Moment를 정성적으로 추정하고자 하였다. 천 흘수 유동 해석용 프로그램을 작성하였으며, 검증을 위해서 Wigley 선형에 적용하여 h/T별로 계산을 수행하여 시험결과와 비교하였다. 그리고, 벽면효과를 해석 할 수 있는 프로그램을 작성하여 실적선인 원유운반선 2척에 대하여 3가지 파라메터, 즉 선속, 수심 그리고 선박과 벽면 사이 거리의 변화에 따른 다양한 계산을 수행하였다. 계산된 결과는 시험결과 및 기 발표된 수치해석 결과와 비교하였다. 기 발표된 논문에서는 시험결과와 계산결과가 상이한 결론을 보여 주었는데, 그 이유는 수치해석에 있어서 자유표면 문제를 선형화된 자유표면 조건식을 사용한 부분을 가장 큰 이유로 언급하였다. 하지만, 본 연구의 결과는 Sway force와 Yaw Moment가 기 발표된 논문의 시험결과와 정성적으로 일치함을 보여 주었다. 본 연구를 통해 수치해석 방법으로 선박에 작용하는 비대칭 유동에 대한 유체역학적인 힘을 정성적으로 추정할 수 있었고, 제한된 수로에서 선박의 조종성 예측 및 수로 설계시 유용한 정보를 제공할 수 있을 것이라고 판단되어 진다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2008.11a
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• pp.1-1
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• 2008

본 연구에서는 비대칭 마그네트론 스퍼터링법을 이용하여 Cr-Zr-N 박막을 합성하였다. Cr-Zr-N 박막의 합성을 위해 사용된 타겟은 Cr 과 Zr의 segments(Cr:Zr= 50:50 vol.%)로 구성된 단일 타겟을 사용하였고, 공정조건 중 질소분압을 변화시켜 Cr-Zr-N 박막을 합성하였다. 또한 질소분압 변화에 따른 박막의 물리적, 기계적, 화학적 특성들의 변화를 분석하였으며, 기 발표된 Cr 타겟과 Zr 타겟을 이용하여 합성된 Cr-Zr-N 박막의 특성들과 비교하였다.

• The korean journal of orthodontics
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• v.39 no.1
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• pp.18-27
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• 2009

Objective: The purpose of this study was to understand the differences in masseter muscle(MM) between the shifted and non-shifted sides in facial asymmetry patients, and the changes shown by MM after mandibular surgery. Methods: Pre- and post-operative CT scans were performed on 12 Class III patients with facial asymmetry who were treated by intraoral vertical ramus osteotomy and 10 subjects with normal occlusion. Using the V-works 4.0 program(Cybermed, Seoul, Korea), 3-dimensional images of the mandible, and MM were reconstructed, and evaluated. Results: In the asymmetry group, the MM angle between the shifted and non-shifted sides was only significantly different(p<0.05). Compared with normal occlusion, the asymmetry group showed a significantly smaller volume and maximum cross-sectional area in both sides of MM(p<0.05). After mandibular surgery, the angle of MM(p<0.01) and differences in angle between the shifted and non-shifted sides of MM(p<0.05) were significantly decreased. The thickness in the maximum cross-sectional area was significantly increased(p<0.01). After surgery, MM in facial asymmetry patients was similarly changed to those in the normal occlusion group except for widths. Conclusions: MM in facial asymmetry was definitely different from those in normal occlusion. However, this study suggests that MM changed symmetrically in conjunction with the mandible after proper mandibular surgery.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.18 no.6
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• pp.1422-1428
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• 2014

This paper has analyzed threshold voltage roll-off for bottom gate voltages of asymmetric double gate(DG) MOSFET. Since the asymmetric DGMOSFET is four terminal device to be able to separately bias for top and bottom gates, the bottom gate voltage influences on threshold voltage. It is, therefore, investigated how the threshold voltage roll-off known as short channel effects is reduced with bottom gate voltage. In the pursuit of this purpose, off-current model is presented in the subthreshold region, and the threshold voltage roll-off is observed for channel length and thickness with a parameter of bottom gate voltage as threshold voltage is defined by top gate voltage that off-currnt is $10^{-7}A/{\mu}m$ per channel width. As a result to observe the threshold voltage roll-off for bottom gate voltage using this model, we know the bottom gate voltage greatly influences on threshold voltage roll-off voltages, especially in the region of short channel length and thickness.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.19 no.2
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• pp.401-406
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• 2015

The change of subthreshold swing for channel length of asymmetric double gate(DG) MOSFET has been analyzed. The subthreshold swing is the important factor to determine digital chracteristics of transistor and is degraded with reduction of channel. The subthreshold swing for channel length of the DGMOSFET developed to solve this problem is investigated for channel thickness, oxide thickness, top and bottom gate voltage and doping concentration. Especially the subthreshold swing for asymmetric DGMOSFET to be able to be fabricated with different top and bottom gate structure is investigated in detail for bottom gate voltage and bottom oxide thickness. To obtain the analytical subthreshold swing, the analytical potential distribution is derived from Possion's equation, and Gaussian distribution function is used as doping profile. As a result, subthreshold swing is sensitively changed according to top and bottom gate voltage, channel doping concentration and channel dimension.