• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.143-148
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• 1998

Tris(biuret)chromium(III) Perchlorate Monohydrate (Cr(C2H5N3O2)3·(ClO4)3·H2O)의 결정 및 분자구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 결정의 공간군은 P, a=10.486(3) , b=11.371(5) , c=11.485(4) , α=88.70(3)o β=66.85(3)0, γ=67.11(3)o, V=1146.2(7) 3가 Z=2이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Noninus CAD-4 Diffractometer로 얻었으며, MoKα radiation X-선을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 신뢰도 R값은 1528개의 회절반점에 대하여 0.114이었다. Tris(biuret)chromium(III) cation은 octahedral 배열을 하고 있으며, 평균 Cr-O 결합길이는 1.94 이다. 모든 perchlorate anion은 각각 두가지 위치로 disorder되어 있다. 양이온과 음이온들은 물분자들을 포함한 수소결합들로 결합되어 결정을 이루고 있다. 양이온내의 모든 N-H가 모두 수소결합에 참여하고 있다.

• 천문학회보
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• 제44권1호
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• pp.73.1-73.1
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• 2019

성간 물질의 분광선 관측을 통해 측정된 분자들의 기둥 밀도 사이에 상관 관계가 존재하는 것이 알려져 있다. 가령 같은 시선 방향을 따라 측정된 H2, CO, CH 분자의 기둥 밀도가 서로 선형 상관 관계를 갖고 있음이 최근 밝혀졌다. 이러한 분자들의 상관 관계는 분자 구름의 물리, 화학적 기원 및 성질과 관련이 있을 것으로 추측되지만 아직까지 상관 관계를 설명하기 위한 연구는 활발히 이루어지지 않고 있다. 본 연구에서는 성간 물질 혹은 구름 모형의 전산 모사를 통해 이러한 상관 관계를 재현함으로써 성간분자 구름의 물리적 특성, 화학적 조성, 그리고 환경 변수들을 영향을 이해하려고 한다. 성간 분자 구름의 화학적 조성이 시간에 따라 변화하는 것을 계산하기 위해 Astrochem을 이용하였다.

• KASI NEWSLETTER
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• 통권27호
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• pp.1-4
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• 2001

신규 국가지정연구실 선정/충북대와 학.연 석박사과정 협약체결/2001년 개기일식 관측/ 2001년 하계 교원연수/중견연구원과의 간담회 개최/제1회 한.일 VLBI 협력위원회 개최/남아공천문대와 MOU체결/역(曆) 분야의 과학기술 상수목록 데이터베이스 구축/인공위성 상주공간 진단을 위한 태양활동 감시기술 연구/콜로퀴움/은하면 광대역 13CO 분자선 탐사자료 구축

• KASI NEWSLETTER
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• 통권24호
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• pp.1-4
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• 2000

신년사/소행성25개 무더기 발견/2001년 역서 및 천문력 발행/정책 간담회 개최/2001년도 기관고유사업 공개발표회 개최/2001년도 동계 교원 천문연수/충남대와 학연 석박사 과정 협약체결/제2회 한-일 과기포럼 참석/제2회 우주환경 워크샵 개최/콜로퀴움/오리온에서 다수의 미동정 분자선 발견

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2005년도 제29회 학술발표회 초록집
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• pp.184-184
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• 2005

• 한국결정성장학회지
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• 제9권2호
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• pp.207-211
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• 1999

가스원 분자선 에피택시(GS-MBE)로 성장시킨 $Si/Si_{1-x}Ge_x$ MODFET의 미세조직을 투과식 전자현미경과 간섭광학현미경을 이용하여 관찰하였다. 증착온도변화에 따른 불일치전위의 분포에 큰 변화는 없었지만, 증착온도가 높을수록 표면조도가 거칠어졌고 표면 결함이 나타났다. Si 전기활성층 근처에서는 조성경사기능층보다 전위밀도가 상당히 낮았다. 결정성장 온도를 낮춤에 따라 전기이동도는 증가하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.247-247
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• 2011

플라즈마 분자선 에피택시(plasma-assisted molecular beam epitaxy)법을 이용하여 다공질 실리콘(porous silicon)에 ZnO 박막을 성장하였다. 성장 후, 아르곤 분위기에서 10분 간 다양한 온도(500~700$^{\circ}C$)로 열처리하였다. 다공질 실리콘 및 열처리 온도가 ZnO 박막의 특성에 미치는 영향을 scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), photoluminescence (PL)을 이용하여 분석하였다. 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막은 일반적은 섬구조(island structure)로 성장된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 산맥과 같은 구조(mountain range-like structure)로 성장되었다. 열처리 온도가 증가함에 따라 ZnO 박막의 grain size는 증가하였다. 실리콘 기판 위에 성장된 ZnO 박막은 wurtzite 구조를 나타내는 여러 개의 회절 피크가 관찰된 반면, 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막은 c-축 배향성(c-axis preferred orientation)을 나타내는 ZnO (002) 회절 피크만이 나타났다. 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 구조적 및 광학적 특성이 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 특성보다 우수하게 나타났다. 뿐만 아니라, 열처리 온도가 증가함에 따라 다공질 실리콘에 성장된 ZnO 박막의 PL 강도비(intensity ratio)가 실리콘 기판에 성장된 ZnO 박막의 강도비보다 월등하게 증가하였다.

• 한국결정학회지
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• 제6권2호
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• pp.98-102
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• 1995

1-Ethyl-1,4-dihydro-7-methyl-1,8-naphthyridin-4-one-3-carboxylic acid [Nalicixic Acid]의 분자 및 결정구조를 X-선 회절법으로 연구하였다. 이 결정의 분자는 C12H12N2O3, 단사정계이고 공간군은 P21/c이다. 단위포상수 a=8.910(2)Å, b=13.145(3)Å, c=9.370(3)Å 이며, β=100.06(2)°, V=1080.6Å, T=293K, Z=4이다. 구조해석에 사용한 X-선은 CuKα선(λ=1.5418Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종 신뢰도 R값은 [F0>4σ(F0)]인 1555개의 독립회절반점에 대해 R=0.055이었다. 이 분자는 한 개의 내부수소결합 O(17)-H(17)…O(14)를 가지고 있다 [2.525(2)Å, 144.3(10)°].

• 한국결정학회지
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• 제10권2호
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• pp.125-129
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• 1999

X-선 회절법을 이용하여 1-(3 Carbamoyl-3,3-diphenylpropyl)-1-methylhexahydro-1H-azepinium iodide[이하: DIP]의 분자 및 결정구조를 규명하였다. 이 결정의 분자식은 C23H31N2O·I, 결정계는 Monoclinic이며 공간군은 P21이다. 단위포 상수는 a =8.937(1) Å, b=19.522(2) Å, c=6.485(2) Å이며, β= 105.18(2)°, V=1091.9(6) Å3, T=293(2)K, Z=2, Dc=1.45 Mgm-3이다. 회절반점들의 세기는 Enarf-Nonius CAD-4 diffractometer로 얻었으며 Mo Katjs(λ=0.71073 Å)을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 개략적인 분자모델을 설정하고, Fo>4σ(Fo)인 4112개의 독립 회절 데이터에 대하여 최소자승법으로 정밀화하여 최종 신뢰도 값 R=5.23%인 최종적인 분자모형을 구하였다.

• 한국결정학회지
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• 제9권2호
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• pp.120-124
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• 1998

N-tert-Butyl-2-(1-acetoxy-2-fluoro-1-butyl)benzenesulfonamide의 분자 및 결정구조를 X-선회절법으로 연구하였다. 결정의 공간군은 P21/c이고, 단위포 상수는 a=8.583(2) , b=14.674(2) , c=14.703(2) , β=103.23(1)0, Z=4, V=1802.6(5) 3, Dc=1.27 Mgm-3이다. 회절반점들의 세기는 Rigaku AFC-5 Diffractometer로 얻었으며, graphite로 단색화한 Cu-KαX-선을 사용하였다. 분자구조는 직접법으로 풀었으며 최소자승법으로 정밀화하였다. 최종신뢰도 R값은 2472개의 회절반점에 대하여 0.069였다. 분자 내에 N(7)과 O(4)사이에 1개의 수소결합[2.990(4) ]을 갖으며, C(14)와 C(15)는 반대배열을 갖고 있다. 분자간 가장 인접한 거리는 3.465(5) [C(19) O(5)] (symmetry code: -x, y+1/2, -z+1/2)로 분자간 접촉은 van der Waals 힘에 의해 결합되어 있다.