• 한국진공학회지
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• 제15권3호
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• pp.280-286
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• 2006

디지털 합금 (digital-alloy) 성장방법을 사용한 AIGaAs층을 이용하여 $1.3{\mu}m$ vertical cavity surface emitting laser (VCSEL)에 사용될 수 있는 AlGaAs/GaAs distributed Bragg reflector (DBR)를 분자선 에피탁시 (molecular beam epitaxy) 방법을 통해 제작하였다. 3인치 1/4 크기의 기판에 디지털 합금 AlGaAs층을 사용한 DBR을 성장하고 기판 여러 부분에서의 반사율을 측정하여 각 부분 간의 반사율 편차가 0.35%이내임을 확인하였다. TEM 사진을 통한 계면분석을 통해 디지털 합금 AlGaAs층의 조성과 두께가 균일함을 확인하였는데, 이는 디지털 합금 AlGaAs층의 성장시 기판 표면의 온도가 불균일하더라도 크게 영향을 받지 않음을 보여준다. 이를 통해 DBR의 균일성에 따라 소자의 특성에 큰 영향을 받는 InAs 양자점을 활성층으로 사용하는 VCSEL의 수율을 향상시키는데 디지털 합금 AlGaAs층을 이용한 DBR이 응용될 수 있음을 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제18권2호
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• pp.62-67
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• 2008

유기금속 화합물 $C_{12}H_{20}B_{10}S_2Co_2$를 o-carborane으로 출발하여 $Cp^*Co(S_2B_2B_{10}H_{10})$을 합성하고, $BH_3{\cdot}THF$를 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $C_{12}H_{20}B_{10}S_2Co_2$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 monoclinic, space group Cc, a=15.981(4) ${\AA}$, b=15.478(17) ${\AA}$, c=12.0562(17) ${\AA}$, ${\beta}=115.063(16)^{\circ}$, Z=4, V=9683(4) ${\AA}^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 완전행렬최소자승법을 정밀화 하였으며 9948개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0630인 분자모형을 구하였다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권4호
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• pp.10-18
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• 2002

본 논문에서는 IPS모드의 액정 셀에서 전압에 따른 액정 거동을 수치 해석적으로 계산하는 방법을 보고한다. 액정 거동을 해석하기 위해 복잡한 구조에 적용이 용이한 3차원 유한 요소법을 사용하여 액정 셀 내부의 전압 분포와 전계 분포를 계산하였다. 전기 에너지와 액정 분자의 탄성 에너지로 이루어지는 액정 셀 내부의 자유에너지 밀도를 고려하였으며, 에릭슨-레슬리(Ericksen-Leslie) 방정식과 라플라스(Laplace) 방정식을 해석함으로서 액정 셀의 스위칭 특성을 계산하였다. 24㎛×12㎛×4.5㎛ 사이즈의 IPS 모드 액정 셀에 대하여 1,859개의 노드와 8,640개의 사면체 요소를 생성하여 16ms까지 과도 해석하였다. 그 결과, 전극 위 부분을 제외한 영역에서 횡방향의 전계가 형성되었고, 전극 위 영역에서 전경선(disclination)이 발생하는 것을 확인하였다.

• Journal of Plant Biology
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• 제24권4호
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• pp.191-216
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• 1981

단풍나무과의 16종, 14변종, 1품종의 분포도를 UTM grid map에 작성하였다. A. okamotoanum과 A. takesimense는 특산종으로 울릉도에 분포하나 A. takesimense만은 제주도, 완도, 흑산도 등에도 분포한다. A. palmatum var. nakaii는 난대 중북부에 분포하고 A. micro-sieboldianum과 A. nudicarpum은 중부에만 분포하는 특산종이다. A. barbinerve와 A. tegmentosum은 북방분자로서 분포 남한선이 지리산 산정이고 북부에는 낭림산, 백두산 등에 분포한다. A. ginnala와 A. mono는 중국의 요동반도와 산도반도 및 남만주 등에 공통 분포하고 A. barbinerve, A. lobulatum, A. mandshuricum, A. pseudo-sieboldianum, A. tegmentosum, A. triflorum, A. tschonoskii var. rubripes, A. ukurunduense 중은 남만주 및 북만주와 공통 분포하는 만주계 식물이다. A. japonicum, A. mono var. ambiguum, A. mono var. savatieri, A. palmatum var. matsumurae, A. ukurunduense var. pilosum 등은 한일분자이다.

• Applied Microscopy
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• 제35권4호
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• pp.74-83
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• 2005

인삼의 소포자 발달에 따라 화분벽의 형성과정을 밝히고자 소포자 4분자 시기부터 화분이 성숙되기까지의 전 과정을 투과 및 주사 전자현미경으로 관찰하였다. 화분벽의 발달은 감수분열이 끝나고 소포자 4분자가 callose에 둘러싸여 있을 때 시작된다. 화분벽 발달 초기에는 원형질막이 두터워지고 구불구불해지며 원형질막 바깥쪽에 섬유성 구조물이 나타나기 시작하고 이 섬유성 구조물은 점점 뚜렷하게 나타나고 premexine으로 발달한다. 원형질막의 함입으로 형성된 돌출부와 premexine이 연결되어 단간이 발달하고 성숙화분에서는 endexine에 일시적으로 흰색의 선이 관찰되었다. 표벽발달이 완료되면 hypertrophic Golgi에서 형성되는골지소낭에 의하여 내벽이 발달하고 발아구 부위에서는 내벽이 비후되어 나타났다. 성숙한 인삼화분은 3구형 화분으로서 약 $20{\mu}m$ 크기이며 표벽무늬는 세망상형을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.332-332
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• 2012

분자선 에피탁시(molecular beam epitaxy)를 이용하여 GaAs 기판에 성장한 InAs 양자점(QDs: quantum dots)은 성장 온도, 압력, As/In의 공급비 등의 성장 조건에 따라 다른 변수(parameter)를 갖는다. 따라서 성장변수에 따라 양자점의 모양과 크기, 밀도가 달라져 균일한 양자점 형성에 어려움이 있어 많은 연구가 진행되고 있다. 예를 들면 In-interruption 법으로 성장한 양자점의 특성이 S-K mode (Stranski-Krastanov mode)로 성장한 양자점에 비해 광학적 특성이 향상되었다. 본 연구에서는 In pre-deposition (IPD) 법으로 성장한 InAs/GaAs 양자점의 광학적 특성을 PL(photoluminescence)와 TRPL (time-resolved PL)을 이용하여 분석하였다. InAs QDs 시료들은 In과 As 공급시간을 각각 1초와 19초 (QD1), 2초와 18초 (QD2), 3초와 17초 (QD3)로 조절하여 성장하였으며, In이 공급되는 시간 동안 As shutter를 차단하여 As 공급을 중단하였다. In과 As의 차단 없이 S-K mode로 성장한 시료를 기준시료로 사용하였다 (QD0). AFM (atomic force microscope) 측정결과, In 공급시간이 1초에서 2초로 증가할 때, 양자점의 밀도와 종횡비(aspect ratio)가 증가하였고, 양자점의 균일도가 증가하였다. 그러나 QD3 시료는 QD1 시료에 비해 밀도와 종횡비, 균일도가 감소하였다. 10 K에서 PL 피크는 In 공급 시간이 증가할 때, 970 nm에서 1020 nm로 적색편이 하였고 반치폭 (FWHM: full width at half maximum)은 75 meV에서 85 meV로 증가하였다. QD2 시료의 PL 피크 에너지가 가장 낮았고, 가장 강한 PL 세기를 보였다. IPD 시간이 증가함에 따라 PL 피크에서 측정한 PL 소멸은 점차 빨라졌다. IPD 기법으로 성장한 양자점의 빠른 PL 소멸은 양자점 밀도와 종횡비 향상에 의한 파동함수 중첩의 증가와 구속 에너지 증가에 의한 것으로 설명된다.

• 한국재료학회지
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• 제19권5호
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• pp.281-287
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• 2009

ZnO thin film was grown on a sapphire single crystal substrate by plasma assisted molecular beam epitaxy. In addition to near band edge (NBE) emissions, both blue and green luminescences are also observed together. The PL intensity of the blue luminescence (BL) range from 2.7 to 2.9 eV increased as the amount of activated oxygen increased, but green luminescence (GL) was weakly observed at about 2.4 eV without much change in intensity. This result is quite unlike previous studies in which BL and GL were regarded as the transition between shallow donor levels such as oxygen vacancy and interstitial zinc. Based on the transition level and formation energy of the ZnO intrinsic defects predicted through the first principle calculation, which employs density functional approximation (DFA) revised by local density approximation (LDA) and the LDA+U approach, the green and blue luminescence are nearly coincident with the transition from the conduction band to zinc vacancies of $V^{2-}_{Zn}$ and $V^-_{Zn}$, respectively.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.83-87
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• 2004

유기금속 착화합물 $Me_2Pt(PPh_2CH_2C(t-Bu)=N-N=CMe(2-py)-\kappa^2N,P)$을 phosphino hydrazone $Ph_2PCH_2C(t-Bu)=NNH_2$와 2-acetylpyridine와 $[PtMe2({\mu}-SMe_2)]_2$를 사용하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 이 화합물의 분자 구조를 규명하였다. 이 백금 화합물의 결정학적 자료는 monoclinic, space group $P2_1/n,\;a=11.6926(7)\;{\AA},\;b=15.6607(19)\;{\AA},\; c=14.6125(6)\;{\AA},\;\beta=93.018(4)^{\circ},\;Z=4,\;V=2672.0(4)\;{\AA}^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 5238개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0363인 분자 모형을 구하였다.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.88-92
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• 2004

유기금속 화합물 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$를 o-carborane으로부터 출발하여 closo-1-[(methoxyl) methyl]-o-carborane$(HCab^o)$를 합성하고, $SnMe_2Br_2$을 가하여 합성하였다. X-선 회절법을 이용하여 $(C_{16}H_{21}B_{10}BrOSn)$ 화합물의 분자구조를 규명하였다. 이 화합물의 결정학적 자료는 orthorhombic, space group Pna2, a =17.9292(15)$\AA$, b= 7.2066(4)$\AA$, c=13.0582(10)$\AA$, Z=4, V=1687.2(2)$\AA^3$이다. 결정 구조는 직접법으로 해석하였으며, 1724개의 회절 반점에 대하여 최종 신뢰도 인자 R=0.0574인 분자 모형을 구하였다.

• 한국결정학회지
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• 제15권2호
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• pp.99-103
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• 2004

X-선 회절법을 이용하여 $C_{16}H_{19}O_2N_3CuCl_2\;{\cdot}\;H_2O$의 분자 및 결정구조를 해석하였다. 이 결정의 결정계는 Triclinic이고 공간군은 Pl이며, 단위포 상수는 $a=7.6202(9)\;{\AA},\;b=8.5943(7){\AA},\;c= 8.6272(6){\AA},\;\alpha=67.518(6)^{\circ},\; \beta= 68.043(8)^{\circ},\;\gamma=74.370(8)^{\circ},\;V=478.89(8)\;{\AA}^3,\;T=295K,\; Z=1,\;D_c=1.504Mgm^{-3}$이다. 회절반점들의 세기는 Enraf-Nonius CAD-4 Diffractometer로 얻었으며 graphite로. 단색화한 $MoK{\alpha}$,$(\alpha=0.7107\;\AA)$을 사용하였다. 분자구조는 Direct method로 풀었으며, $F_0>4\sigma(F_0)$인 1659개의 독립회절데이터에 대하여 최소 자승법으로 234개의 변수를 정밀화하여 최종 신뢰도 값 $R=2.47\%$를 얻었다.