• Title/Summary/Keyword: 봉우리

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Reaction Mechanism of Photo-Induced Etching of Single-Layer MoS2

  • Choe, Yu-Na;An, Gwang-Hyeon;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.194.1-194.1
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    • 2014
  • 기저면에 구조적 결함을 도입함으로써 그래핀과 $MoS_2$와 같은 이차원 결정의 물리, 화학, 전기 및 기계적 성질을 제어하려는 연구가 폭넓게 수행되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 속의 산소 래디컬을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 단일층 그래핀과 $MoS_2$ 표면에 구조적 결함을 유도하고 제어하는 방법을 개발하였다. 라만 및 광발광 분광법을 통해 생성된 결함 밀도를 측정하고 전하 밀도 등의 화학적 변화를 추적하였다. 그래핀의 경우 산소 플라즈마 처리 시간에 따라 결함(defect)의 정도를 보여주는 라만 D-봉우리의 높이와 넓이가 커짐을 확인하였고 이를 G-봉우리의 높이와 비교하여 정량하였다. $MoS_2$의 경우 $E{^1}_{2g}$$A_{1g}$-봉우리의 높이가 점점 감소하고 광발광의 세기 또한 감소함을 확인하였다. 또한 본 연구에서는 기판의 편평도가 결함 생성 속도에 미치는 영향을 비교 및 분석하여 반응 메커니즘을 제시하고자 한다.

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Raman and Photoluminescence Studies of Plasma-Induced Defects in Graphene and MoS2

  • Na, Yun-Hui;Go, Taek-Yeong;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.194.2-194.2
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    • 2014
  • 기저면에 구조적 결함을 도입함으로써 그래핀과 $MoS_2$와 같은 이차원 결정의 물리, 화학, 전기 및 기계적 성질을 제어하려는 연구가 폭넓게 수행되고 있다. 본 연구에서는 플라즈마 속의 산소 래디컬을 이용하여 기계적 박리법으로 만들어진 단일층 그래핀과 $MoS_2$ 표면에 구조적 결함을 유도하고 제어하는 방법을 개발하였다. 라만 및 광발광 분광법을 통해 생성된 결함 밀도를 측정하고 전하 밀도 등의 화학적 변화를 추적하였다. 그래핀의 경우 산소 플라즈마 처리 시간에 따라 결함(defect)의 정도를 보여주는 라만 D-봉우리의 높이와 넓이가 커짐을 확인하였고 이를 G-봉우리의 높이와 비교하여 정량하였다. $MoS_2$의 경우 $E{^1}_{2g}$$A_{1g}$-봉우리의 높이가 점점 감소하고 광발광의 세기 또한 감소함을 확인하였다. 또한 본 연구에서는 기판의 편평도가 결함 생성 속도에 미치는 영향을 비교 및 분석하여 반응 메커니즘을 제시하고자 한다.

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Origin of New Broad Raman D and G Peaks in Graphene Annealed under Oxygen-Free Atmosphere

  • Hong, Jin-Pyo;Park, Min-Gyu;Lee, Eun-Jeong;Hwang, Dong-Seok;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.610-610
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    • 2013
  • 그래핀을 구성하는 탄소 원자는 모두 표면에 존재하기 때문에, 맞닿아 있는 물질에 따라 그래핀의 물리적 특성에 민감한 영향을 미치기도 한다. 본 연구에서는 라만분광법과 원자 힘 현미경(atomic force microscopy, AFM)을 이용하여 통상적인 열처리 조건에서 그래핀에 탄화수소가 흡착될 수 있는 가능성을 탐구하였다. 산소가 없는 조건에서 열처리된 그래핀으로부터 D, G, 2D 봉우리와 겹쳐지는 폭이 넓은 새로운 라만 봉우리들이 관찰되었다. 열처리 시간, 온도 및 진공도에 따른 라만 스펙트럼의 변화와AFM에 의해 확인된 표면의 구조 변화로부터 새로이 관찰된 라만 봉우리는 탄화수소의 탄화에 의해 그래핀의 표면에 형성된 비결정성 탄소물질(amorphous carbon)임을 확인하였다. 기계적 박리법과 화학기상증착법으로 시료를 준비할 때 사용된 폴리머 잔유물이 열처리 과정에서 탄화수소를 배출하는 것으로 판단된다. 이 연구는 그래핀 소자의 작동에 있어서 환경적인 효과를 이해하고 탄화에 의해 그래핀 표면에 만들어진 비결정질 탄소를 정량화하는데 도움을 줄 것이다.

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Growth and Opto-electric Characterization of ZnSe Thin Film by Chemical Bath Deposition (CBD(Chemical Bath Deposition)방법에 의한 ZnSe 박막성장과 광전기적 특성)

  • Hong, K.J.;You, S.H.
    • Journal of Sensor Science and Technology
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    • v.10 no.1
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    • pp.62-70
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    • 2001
  • The ZnSe sample grown by chemical bath deposition (CBD) method were annealed in Ar gas at $45^{\circ}C$. Using extrapolation method of X-ray diffraction pattern, it was found to have zinc blend structure whose lattice parameter $a_o$ was $5.6687\;{\AA}$. From Hall effect, the mobility was likely to be decreased by impurity scattering at temperature range from 10 K to 150 K and by lattice scattering at temperature range from 150 K to 293 K. The band gap given by the transmission edge changed from $2.700{\underline{5}}\;eV$ at 293 K to $2.873{\underline{9}}\;eV$ at 10 K. Comparing photocurrent peak position with transmission edge, we could find that photocurrent peaks due to excition electrons from valence band, ${\Gamma}_8$ and ${\Gamma}_7$ and to conduction band ${\Gamma}_6$ were observed at photocurrent spectrum. From the photocurrent spectra by illumination of polarized light on the ZnSe thin film, we have found that values of spin orbit coupling splitting ${\Delta}so$ is $0.098{\underline{1}}\;eV$. From the PL spectra at 10K, the peaks corresponding to free bound excitons and D-A pair and a broad emission band due to SA is identified. The binding energy of the free excitons are determined to be $0.061{\underline{2}}\;eV$ and the dissipation energy of the donor -bound exciton and acceptor-bound exciton to be $0.017{\underline{2}}\;eV$, $0.031{\underline{0}}\;eV$, respectively.

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Reduction of Pitch Searching Range in CELP vocoder (CELP 부호화기에서 피치검색범위의 단축)

  • 임재열;배명진;안수길
    • The Journal of the Acoustical Society of Korea
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    • v.12 no.2E
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    • pp.33-37
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    • 1993
  • 부호여기선형예측 형태의 음성 부호화기에 있어서주된 단점은 요구되는 계산량이많다는 것이다. 본 논문에서는 음질의 저하없이 자기상관에 근거한 피치예측기에서 피치 찾는 시간을 줄이는 간단한 방법을 제안한다. 기본적인 발상은, 피치찾는 과정에서 나타나는 자기상관 함수의 특성에 근거하여, 음의 봉우리의 폭을 이전 양의 봉우리의 폭을 이용하여 추정하여 건너 뜀으로써 피치 찾는 범위를 자기상관함수의 양의 값쪽으로 제한하는 것이다. 이렇게 피치찾는 구간에 제약을 가함으로써 요구되는 계산량은 감소하게 된다. 제안된 방법을 적용한 결과, 평균 약 40%의 계산량 감소를 음질의 저하없이 얻을 수 있다.

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Interpreting Mixtures Using Allele Peak Areas (Mixture에서 봉우리 면적을 활용한 유전자 증거의 해석)

  • Hong, Yu-Lim;Lee, Hyo-Jung;Lee, Jae-Won
    • The Korean Journal of Applied Statistics
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    • v.23 no.1
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    • pp.113-121
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    • 2010
  • Mixture is that DNA profiles of samples contain material from more than one contributor, especially common in rape cases. In this situation, first, the method based on enumerating a complete set of possible genotype that may have generated the mixed DNA profile have been studied for interpreting DNA mixtures. More recently, the methods utilizing peak area information to calculate likelihood ratios have been suggested. This study is concerned with the analysis and interpretation of mixed forensic stains using quantitative peak area information and the method of forensic inference for extension of material from more than or equal to three contributors. Finally, the numerical example will be outlined.

Analysis of Arsenic(III) by the Cathodic Stripping Voltammetry (음극 벗김 전류법을 이용한 비소(III) 분석에 관한 연구)

  • Yun, Young Ja;Lee, Hyung Sook;Ko, Weon Bae;Kim, Chung Hee
    • Analytical Science and Technology
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    • v.5 no.4
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    • pp.417-423
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    • 1992
  • The effects of metal ions on the arsenic(III) stripping peak were examined by the cathodic stripping voltammetry. The reduction stripping peak potential and current of arsenic(III) value were -0.79V(vs. Ag/AgCl). $0.86{\mu}A$ by using 0.1N-hydrochloric acid solution. When 10 times of Cu(II) was added to the solution, the reduction stripping peak potential of arsenic(III) was the value of -0.84V(vs. Ag/Cl), which showed a good agreement with theoretical value -0.84V(vs. Ag/Cl) by using 0.1N hydrochloric acid solution. Lead(II) and copper(II) increased the stripping peak heigh of arsenic(III), Among them, the copper(II) extremely enhanced it.

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Effect of High Pressure on Voltammetric Parameters of Bilirubin (Bilirubin의 전압전류법적 파라미터에 미치는 압력의 영향)

  • Bae, Jun Ung;Lee, Heung Rak;Kim, Gyeong Ho;Park, Tae Myeong
    • Journal of the Korean Chemical Society
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    • v.34 no.4
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    • pp.340-344
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    • 1990
  • The pressure effect of voltammetric parameters for the oxidation of Bilirubin in 0.1 M TEAP-DMSO solution at micro Pt electrode has been investigated. With increasing the pressure from 1 to 1,800 bars, the peak potential of oxidation wave shifted to the more positive potential. The peak current becomes considerably smaller with increasing the pressure. The oxidation currents of Bilirubin was found to be diffusion controlled over all pressure ranges. The reversibility of oxidation step did not change with increasing pressure. The linear relationships were observed over all pressure ranges (1-1,800 bars).

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Charge Doping Revealing Molecular Diffusion of Sulfuric Acid and Water through a Graphene-Silica Interface

  • An, Gwang-Hyeon;Lee, Dae-Eung;Ryu, Sun-Min
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2014.02a
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    • pp.197.2-197.2
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    • 2014
  • 그래핀(graphene)의 라만 스펙트럼은 전하밀도(charge density)와 기계적 변형(strain)에 민감하여 연구에 널리 활용되고 있다. 본 연구에서는 기계적 박리법으로 만든 그래핀에 황산 수용액으로 p-형 화학도핑(chemical doping)을 유발시키고 전하밀도의 변이에 따른 라만 스펙트럼의 변화를 조사하였다. 이러한 변화를 통해 황산과 물 분자의 계면 확산을 이해하고, $SiO_2/Si$ 기판의 화학적 특성이 미치는 영향을 파악하고자 하였다. 분자의 효율적인 계면 확산을 위해 고온 산화반응을 이용하여 그래핀의 기저면에 나노공(nanopore)을 만든 후, 액상에서 라만 스펙트럼을 측정하였다. 증류수 속에 담궜을 때 물 분자가 그래핀-기판 계면 사이로 확산되면서 열처리에 의해 유발된 정공이 사라짐을 확인하고, D-봉우리의 가역적인 변화로부터 그래핀의 구조적 변화를 유추하였다. 황산 농도를 증가시켰을 때 G와 2D-봉우리의 진동수가 상호간에 일정한 비율로 증가하여 정공의 밀도가 증가함 알 수 있었다. 동일한 시료에 대해 황산의 농도를 감소시킴으로써 p-형 도핑을 제거하고 동일한 반응을 가역적으로 반복할 수 있었다. 상기한 분자의 2차원 확산 현상은 나노공의 유무와 기판의 전처리 조건에 따라 크게 달라진다는 사실을 확인 할 수 있었다. 또한 여러 파장에서 측정된 전하밀도와 기계적 변형에 의한 G와 2D-봉우리의 진동수 변화로부터 다른 연구자들이 활용할 수 있는 검정곡선을 제시하였다.

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A Study on Thermally Stimulated Luminescence and Exoelectron Emission Phenomena of MgO Single Crystals (MgO 단결정의 열자극 발광 및 Exo전자 방출 현상에 관한 연구)

  • Doo, Ha-Young;Sim, Sang-Hung;Kim, Hyun-Suk
    • Journal of Korean Ophthalmic Optics Society
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    • v.11 no.3
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    • pp.165-172
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    • 2006
  • On the MgO single crystals doped artificially with Cr, Cu, Fe we observed thermally stimulated luminescence(TSL) glow curves and spectra, and analyzed them in the temperatures range from at liquid nitrogen temperature(77K) to about 500K after excitation with UV or X-ray irradiation. TSL glow curves obtained from these samples show five peaks at 136.5K, 223.5K, 360K, 390K, 440K, and their estimated activation energies are 0.27eV, 0.63eV, 1.08eV, 1.08eV, 1.19eV, and 1.33eV, respectively. When we measured TSL spectrum at the range of 200nm to 650nm on the MgO single crystals. we also analyzed the peak wavelength which obtained at 345nm, 375nm, and 410nm from measurement of TSL spectrum and described their luminescence mechanisms. TSL spectrum peaks emitted from MgO:Cr, MgO:Cu, and MgO:Fe appear at the wavelengths of 345nm, 360nm, and 375nm, respectively.

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