• Title/Summary/Keyword: 본딩제

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Chemical compatibility of interim material and bonding agent on shear bond strength (임시수복 재료와 본딩제의 화학적 호환성이 전단결합강도에 미치는 영향)

  • Lee, Jonghyuk
    • Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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    • v.32 no.4
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    • pp.293-300
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    • 2016
  • Purpose: The purpose of this study is finding proper bonding agents to be used when adding bis-acryl composite provisional materials. Materials and Methods: Three bonding agents with different chemical compositions were included in this study. Forty disk shaped specimens of bis-acryl composite provisional material were prepared and divided into 4 groups according to the bonding agents. Control group didn't have bonding agent. Through the Teflon mould with 4.0 mm diameter hole with 4.0 mm thickness the same bis-acryl composite provisional material was added on the disks after the surface of each specimen was treated with designated bonding agent according to the manufacturer's instructions. Shear bond test was performed and the fractured surfaces were inspected with a microscope. One-way analysis of variance was conducted and the result was further analysed with Turkey post hoc test at the significance level of 0.05. Results: The highest strength was acquired from the specimens bonded with chemical cure system and it was statistically significant (P < 0.05). This group showed 100% cohesive failures. The lowest bonding strength was recorded from the specimens used conventional light cure bonding agent, and this group's result was similar with the control group. The group used a light cure bonding agent claiming improved compatibility revealed significantly higher bond strength to the traditional light cure bonding agent group in a statistically significant way (P = 0.043). Conclusion: According to the bonding agent used the shear bond strength was significantly affected. Therefore the choice of proper bonding agent is important when hiring a bonding agent to add bis-acryl composite provisional materials.

A Study on the Bond Strength of BCB-bonded Wafers (BCB 수지로 본딩한 웨이퍼의 본딩 결합력에 관한 연구)

  • Kwon, Yongchai;Seok, Jongwon;Lu, Jian-Qiang;Cale, Timothy;Gutmann, Ronald
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.45 no.5
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    • pp.479-486
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    • 2007
  • Four point bending is used to study the dependences of bond strength of benzocyclobutene(BCB) bonded wafers and BCB thickness, the use of an adhesion promoter, and the materials being bonded. The bond strength depends linearly on BCB thickness, due to the thickness-dependent contribution of the plastic dissipation energy of the BCB and thickness independence of BCB yield strength. The bond strength increases by about a factor of two with an adhesion promoter for both $2.6{\mu}m$ and $0.4{\mu}m$ thick BCB, because of the formation of covalent bonds between adhesion promoter and the surface of the bonded materials. The bond strength at the interface between a silicon wafer with deposited oxide and BCB is about a factor of three higher than that at the interface between a glass wafer and BCB. This difference in bond strength is attributed to the difference in Si-O bond density at the interfaces. At the interfaces between plasma enhanced chemical vapor deposited (PECVD) oxide coated silicon wafers and BCB, and between thermally grown oxide on silicon wafers and BCB, 12~13 and $15{\sim}16bonds/nm^2$ need to be broken. This corresponds to the observed bond energies, $G_0s$, of 18 and $22J/m^2$, respectively. Maximum 7~8 Si-O $bonds/nm^2$ are needed to explain the $5J/m^2$ at the interfaces between glass wafers and BCB.

COG 플립칩 본딩 공정조건에 따른 Au-ITO 접합부 특성

  • Choe, Won-Jeong;Min, Gyeong-Eun;Han, Min-Gyu;Kim, Mok-Sun;Kim, Jun-Gi
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 2011.05a
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    • pp.64.1-64.1
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    • 2011
  • LCD 디스플레이 등에 사용되는 글래스 패널 위에 bare si die를 직접 실장하는 COG 플립칩 패키지의 경우 Au 범프와 ITO 패드 간의 전기적 접속 및 접합부 신뢰성 확보를 위해 접속소재로서 ACF (anisotropic conductive film)가 사용되고 있다. 그러나 ACF는 고가이고 접속피치 미세화에 따라 브릿지 형상에 의한 쇼트 등의 문제가 발행할 수 있어 NCP (non-conductive paste)의 상용화가 요구되고 있다. 본 연구에서는 NCP를 적용한 COG 패키지에 있어서 온도, 압력 등의 열압착 본딩 조건과 NCP 물성이 Au-ITO 접합부의 전기적 및 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. NCP는 에폭시 레진과 경화제, 촉매제를 사용하여 다양하게 포뮬레이션을 하였고 DSC (Differential Scanning Calorimeter), TGA (Thermogravimetric Analysis), DEA (Dielectric Analysis) 등의 열분석장비를 이용하여 NCP의 물성과 경화 거동을 확인하였다. 테스트 베드는 면적 $5.2{\times}7.2\;mm^2$, 두께 650 ${\mu}m$, 접속피치 200 ${\mu}m$의 Au범프가 형성된 플립칩 실리콘 다이와 접속패드가 ITO로 finish된 글래스 기판을 사용하였다. 글래스 기판과 실리콘 칩은 본딩 전 PVA Tepla사의 Microwave 플라즈마 장비로 Ar, $O_2$ 플라즈마 처리를 하였으며, Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 사용하여 본딩하였다. 본딩 후 접합면의 보이드를 평가하고 die 전단강도로 접합강도를 측정하였다.

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Study of Epoxy Bonding Film Process Condition on Micro-pattern Formation (에폭시계 본딩 필름의 공정조건에 따른 미세 패턴 형성에 관한 연구)

  • Kim, Seung-Taek;Jung, Yeon-Kyung;Park, Sae-Hoon;Yoo, Myong-Jae;Park, Seong-Dea;Lee, Woo-Sung
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.340-341
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    • 2008
  • 본 논문에서는 미세 패턴을 구현하기 위해 폴리머 소재의 조성에 따른 공정의 영향에 대해서 연구를 하였다. 제작된 본딩 필름은 난연계 에폭시수지와 고내열 특성을 위해서 경화제 조화 성분 폴리머를 이용하였다. 또한, CTE 값을 향상하기 위해서 필러로서 SiO2 분말을 이용하였다. 조성물은 혼합하여 슬러리를 만들고, 테입 캐스터를 이용하여 필름을 제작하였다. 제작된 필름은 150 및 160도의 온도에서 가열 가압하여 경화하였다. 제작된 수지는 유전율 3.2의 유전율과 loss tan 6값이 0.015값을 나타내었다. 또한 제작된 본딩 필름의 조화특성 연구를 위해서 경화조건, 스웰링 조건, 디스미어 시간에 따른공정 변화의 영향에 대해 고찰하였으며 제작된 시편의 조도는 SEM으로 관찰하여 조화성분 함량에 따른 최적 조건을 선정하였다.

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The Effect of Functional Group of Levelers on Through-Silicon-Via filling Performance in Copper Electroplating (구리 전해도금을 이용한 실리콘 관통전극 충전 성능에 대한 평탄제 작용기의 영향)

  • Jin, Sang-Hun;Kim, Seong-Min;Jo, Yu-Geun;Lee, Un-Yeong;Lee, Min-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2018.06a
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    • pp.80-80
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    • 2018
  • 실리콘 관통전극 (Through Silicon Via, TSV)는 메모리 칩을 적층하여 고밀도의 집적회로를 구현하는 기술로, 기존의 와이어 본딩 (Wire bonding) 기술보다 낮은 소비전력과 빠른 속도가 특징인 3차원 집적기술 중 하나이다. TSV는 일반적으로 도금 공정을 통하여 충전되는데, 고종횡비의 TSV에 결함 없이 구리를 충전하기 위해서 3종의 유기첨가제(억제제, 가속제, 평탄제)가 도금액에 첨가되어야 한다. 이러한 첨가제 중 결함 발생유무에 가장 큰 영향을 주는 첨가제는 평탄제이기 때문에, 본 연구에서는 이미다졸(imidazole) 계열, 이민(imine) 계열, 디아조늄(diazonium) 계열 및 피롤리돈(pyrrolidone) 계열과 같은 평탄제(leveler)의 작용기에 따라 TSV 충전 성능을 조사하였다. TSV 충전 시 관능기의 거동을 규명하기 위해 QCM (quartz crystal microbalance) 및 EQCM (electrochemical QCM)을 사용하여 흡착 정도를 측정하였다. 실험 결과, 디아조늄 계열의 평탄제는 TSV를 결함 없이 충전하였지만 다른 작용기를 갖는 평탄제는 TSV 내 결함이 발생하였다. QCM 분석에서 디아조늄 계열의 평탄제는 낮은 흡착률을 보이지만 EQCM 분석에서는 높은 흡착률을 나타내었다. 즉, 디아조늄 계열의 평탄제는 전기 도금 동안 전류밀도가 집중되는 TSV의 상부 모서리에서 국부적인 흡착을 선호하며 이로 인하여 무결함 충전이 달성된다고 추론할 수 있다.

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Study on Protection System against Lightning to Strike to a Small Non-metal Craft (비금속제 소형선박의 낙뢰사고 방지를 위한 연구)

  • Lee, Seok-Hee;Yoo, Young-Jong;Kwon, Soo-Yeon;Park, Chang-Sun
    • Journal of Korea Ship Safrty Technology Authority
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    • s.28
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    • pp.4-18
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    • 2010
  • 자연 현상중의 하나인 낙뢰는 대기중에서 일어나는 뇌운과 보호대상 물체간의 방전현상으로 그 발생 빈도와 피해를 예측할 수 없으며, 국내에서 선박이 낙뢰로 인한 피해가 보고된 경우는 거의 없는 실정이지만 매년 정보화 통신장비 등의 보급확대와 더불어 낙뢰에 의한 피해가 증가할 것으로 판단되며 국내 대부분의 소형선박들은 낙뢰에 취약한 비금속 재질인 FRP선 또는 목선으로 건조되어 있어 낙뢰에 의한 사고에 취약한 현실이다. 본 연구는 근래에 무선설비 항해용구 등의 선박에 초소형의 집적회로를 사용하는 전자장비의 보급이 증대됨에 따라 낙뢰가 선박에 입사하였더라도 부적절한 피뢰설비 때문에 과도전압이 발생하여 제어 감시설비 등을 파손시키는 직 간접적인 피해를 감소시키기 위해서 비금속제 소형 선박에 적합한 피뢰시스템을 제시하여 낙뢰에 의한 피해의 최소화를 위한 대책 마련을 목적으로 수행하였다. KS, ISO, NFPA 및 각 국의 피뢰설비기준에서는 비금속제 선박의 피뢰설비 규정을 제시하고 있으나 국내 규정에서는 비금속제 소형선박에 관한 피뢰설비의 설치기준이 마련되어 있지 않은 실정이므로 이번 연구결과를 통해서 비금속제 소형 선박의 피뢰설비에 대한 합리적인 피뢰설비 설치기준을 설정하는 자료로 활용할 수 있을 것이다.

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Study on the Scap-cure Behavior of Adhesive for Flip-chip Bonding (플립칩 본딩용 접착제의 속경화 거동 연구)

  • Lee, Jun-Sik;Min, Kyung-Eun;Kim, Mok-Sun;Lee, Chang-Woo;Kim, Jun-Ki
    • Proceedings of the KWS Conference
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    • 2010.05a
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    • pp.78-78
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    • 2010
  • 모바일 정보통신기기를 중심으로 패키지의 초소형화, 고집적화를 위해 플립칩 공법의 적용이 증가되고 있고 있으며 접속피치의 미세화에 따라 솔더 및 언더필을 사용하는 C4 공법보다 ACA(Anisotropic Conductive Adhesive), NCA (Non-conductive Adhesive) 등의 접착제를 이용하는 칩본딩 공법에 대한 요구가 증가하고 있다. 특히, NCA 공법의 경우 산업 현장의 대량생산에 대응하기 위해서는 접착제의 속경화 특성이 요구되어 진다. 일반적으로 접착제의 경화거동은 DSC(Differential Scanning Calorimeter)를 사용해 확인하지만, 수초 이내에 경화되는 접착제의 경우는 적용되기 어렵다. 본 연구에서는 이러한 전자패키지용 접착제의 속경화 거동을 효과적으로 평가할 수 있는 방법을 조사 하였다. 실험에서 사용된 접착제는 에폭시계 레진 기반에 이미다졸계 경화제를 사용한 기본적인 포뮬레이션을 사용하였고, 경화시간은 160^{\circ}C에서 1분 이내에 경화되는 특성을 가지고 있다. 경화 거동을 확인하기 위해서 isothermal DSC와 DEA(Dielectric Analysis)의 두가지 방법을 사용해 비교하였다. 두 실험 방법 모두 $160^{\circ}C$를 유지하며 경화 거동을 확인하였고, DoC(Degree of Cure)의 측정오차를 비교 분석하였다. DEA는 이온 모빌리티 변화에 따른 유전손실율을 측정하는 방법으로 80~90% 이후의 경화도는 측정되지 않았지만, 수초 이내에 경화되는 속경화 특성을 평가하기에 적합한 것으로 확인되었다.

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Effects of silica fillers on the reliability of COB flip chip package using NCP (NCP 적용 COB 플립칩 패키지의 신뢰성에 미치는 실리카 필러의 영향)

  • Lee, So-Jeong;Kim, Jun-Ki;Lee, Chang-Woo;Kim, Jeong-Han;Lee, Ji-Hwan
    • Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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    • 2008.06a
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    • pp.158-158
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    • 2008
  • 모바일 정보통신기기를 중심으로 실장모듈의 초소형화, 고집적화로 인해 접속단자의 피치가 점점 미세화 됨에 따라 플립칩 본딩용 접착제에 함유되는 무기충전제인 실리카 필러의 크기도 미세화되고 있다. 본 연구에서는 NCP (non-conductive paste)의 실리카 필러의 크기가 COB(chip-on-board) 플립칩 패키지의 신뢰성에 미치는 영향을 조사하였다. 실험에 사용된 실리카 필러는 Fused silica 3 종과 Fumed silica 3종이며 response surface 실험계획법에 따라 혼합하여 최적의 혼합비를 정하였다. 테스트베드로 사용된 실리콘 다이는 투께 $700{\mu}m$, 면적 5.2$\times$7.2mm로 $50\times50{\mu}m$ 크기의 Au 도금범프를 $100{\mu}m$ 피치, peripheral 방식으로 형성시켰으며, 기판은 패드를 Sn으로 finish 하였다. 기판을 플라즈마 전처리 후 Panasonic FCB-3 플립칩 본더를 이용하여 플립칩 본딩을 수행하였다. 패키지의 신뢰성 평가를 위해 $-40^{\circ}C{\sim}80^{\circ}C$의 열충격시험과 $85^{\circ}C$/85%R.H.의 고온고습시험을 수행하였으며 Die shear를 통한 접합 강도와 4-point probe를 통한 접속저항을 측정하였다.

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Design for Enhanced Precision in 300 mm Wafer Full-Field TTV Measurement (300 mm 웨이퍼의 전영역 TTV 측정 정밀도 향상을 위한 모듈 설계)

  • An-Mok Jeong;Hak-Jun Lee
    • Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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    • v.30 no.3
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    • pp.88-93
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    • 2023
  • As the demand for High Bandwidth Memory (HBM) increases and the handling capability of larger wafers expands, ensuring reliable Total Thickness Variation (TTV) measurement for stacked wafers becomes essential. This study presents the design of a measurement module capable of measuring TTV across the entire area of a 300mm wafer, along with estimating potential mechanical measurement errors. The module enables full-area measurement by utilizing a center chuck and lift pin for wafer support. Modal analysis verifies the structural stability of the module, confirming that both the driving and measuring parts were designed with stiffness exceeding 100 Hz. The mechanical measurement error of the designed module was estimated, resulting in a predicted measurement error of 1.34 nm when measuring the thickness of a bonding wafer with a thickness of 1,500 ㎛.

REAL-TIME MEASUREMENT OF DENTINAL TUBULAR FLUID FLOW DURING AND AFTER AMALGAM AND COMPOSITE RESTORATIONS (아말감과 복합레진의 수복 과정과 수복 후 발생하는 상아세관액 흐름의 실시간 측정)

  • Kim, Sun-Young;Cho, Byeong-Hoon;Baek, Seung-Ho;Lim, Bum-Sun;Lee, In-Bog
    • Restorative Dentistry and Endodontics
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    • v.34 no.6
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    • pp.467-476
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    • 2009
  • The aim of this study was to measure the dentinal tubular fluid flow (DFF) during and after amalgam and composite restorations. A newly designed fluid flow measurement instrument was made. A third molar cut at 3 mm apical from the CEJ was connected to the flow measuring device under a hydrostatic pressure of 15 $cmH_2O$. Class I cavity was prepared and restored with either amalgam (Copalite varnish and Bestaloy) or composite (Z-250 with ScotchBond MultiPurpose: MP, Single Bond 2: SB, Clearfil SE Bond: CE and Easy Bond: EB as bonding systems). The DFF was measured from the intact tooth state through restoration procedures to 30 minutes after restoration, and re-measured at 3 and 7days after restoration. Inward fluid flow (IF) during cavity preparation was followed by outward flow (OF) after preparation, In amalgam restoration, the OF changed to IF during amalgam filling and slight OF followed after finishing. In composite restoration, application CE and EB showed a continuous OF and air-dry increased rapidly the OF until light-curing, whereas in MP and SB, rinse and dry caused IF and OF, respectively. Application of hydrophobic bonding resin in MP and CE caused a decrease in flow rate or even slight IF. Light-curing of adhesive and composite showed an abrupt IF. There was no statistically significant difference in the reduction of DFF among the materials at 30 min. 3 and 7 days after restoration (p > 0.05).