• 헤리티지:역사와 과학
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• 제53권4호
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• pp.32-59
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• 2020

우리나라의 면형 유산 보존제도는 1984년 제정된 「전통건조물보존법」이 시효이다. 그러나 이 제도는 1996년에 폐지되었다. 일본은 1960년대 고도(古都)에 대한 보호의 필요성이 대두되어 1966년 「고도보존법」을 제정하고 '역사적풍토보존지역'과 '역사적풍토특별보존지구'를 도입하였다. 면형 유산의 보존을 위해서는 1975년 「문화재보호법」의 개정과 함께 도입된 '중요전통적건조물군보존지구' 제도가 시초이다. 이후 2000년대 초반 면형 유산의 보존에 대한 논의가 본격화되었고, 유산과 유산 사이의 공간과 맥락 보호를 목적으로 하는 '중요문화적경관' 제도가 도입되었다. 또한 일본의 근대화와 관련된 각종 물적·비물적 자원을 포괄하는 '근대화산업유산군33'이 2007년에 지정되었으며, 같은 해 역사적 가치를 가진 지역 풍경을 보호하기 위한 '아름다운일본의역사적풍토100선'이 선정되었다. 이후 2015년에는 특정 지역에 존재하는 유·무형 유산을 통합적으로 보존·관리하기 위한 '일본유산' 제도가, 2016년에는 사라져 가는 농수산업의 계승과 육성을 위한 '일본농업유산', 2017년에는 20세기 일본의 근현대 기술의 증거물인 '20세기유산'까지 제도의 확산 과정을 이루었다. 결과적으로, 현재(2020년 9월) '역사적풍토보존지역'과 '역사적풍토특별보존지구'가 30개소와 60개소, '중요전통적건조물군보존지구' 120개소, '중요문화적경관' 65개소, '근대화산업유산군' 66개소, '아름다운일본의역사적풍토100선' 264개소, '일본유산' 104개소, '일본농업유산' 15개소가 지정되었다. 이러한 상황 인식 속에서, 1976년 이후 순차적으로 확산되고 있는 일본의 면형 유산 보존제도 전반의 특성 추출을 기본 목적으로 하는 본 연구의 연구 과정은 다음과 같다. 첫째, 문헌 및 선행연구 고찰을 통해 일본 면형 유산 보존제도를 조사하고 연구범위를 설정한다. 둘째, 면형 유산 보존제도의 확산과정을 조사하고, 제도 발전에 따른 제도들 간의 관계성을 분석한 후 그 특성을 도출한다. 셋째, 관계성 및 특성과 관련된 내용의 구체화를 위해 대표 사례 3곳에 대한 심층 분석을 진행하고, 이를 종합하여 대표 사례가 가지는 특성을 도출한다. 이를 통해 도출한 일본 면형 유산 보존제도의 두드러진 특징은 매년 신규유산이 탄생하고 있다는 것이었다. 결과적으로 유산들 간의 중첩 현상이 발생하며, 면형 유산의 보존은 물론 전통 산업, 문화 관광 등 연관 산업의 활성화와 지역 정체성의 강화 등의 현상이 발생하고 있는 것으로 분석되었다. 이러한 특성은 현재 우리나라가 시행하고 있는 '근대역사문화공간' 제도의 활성화에 시사점으로 적용될 수 있을 것이다.

• 한국자원식물학회:학술대회논문집
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• 한국자원식물학회 2020년도 춘계학술대회
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• pp.59-59
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• 2020

수국 '베레나 그린'의 줄기하단의 엽을 제거하고 5엽 상태에서 수돗물과 0.1% 크리잘 RVB에 각각 담가 4℃에서 24시간 물올림을 하고 물올림을 하고, 줄기를 60~70cm 길이로 끝을 대각선으로 절단하여 물올림용액을 채운 물 대롱을 끼운 다음 꽃을 보호하기 위한 비닐 슬리브를 씌워 유통용 종이상자에 담아 5±1℃ 냉장차로 국립원예특작과학원으로 운반하였으며, 절화수명 및 관련 특성분석을 위해 평가실로 옮기기 전까지 유통용 종이상자에 담긴 상태로 저온저장고(5±1℃)에 보관하였다. 보존용액에 따른 절화특성 조사를 위해 절화를 평가실에 전시하기 전에 절화의 줄기길이를 40cm로 맞춰 절단한 뒤에 보존용액을 800 mL 채운 플라스틱 화병에 꽃아 절화 화관끼리 서로 닿지 않도록 배치하였으며 22±2℃ 실내에서 절화수명을 조사하였다. 보존용액으로 4% 차아염소산나트륨 용액, 1% sucrose + 250 mg/L 8-hydroxquinoline + 100 mg/L citric acid로 이루어진 용액(HQ) 그리고 시중에서 수국 절화 보존제로 판매되는 크리잘 프로 II, III와 크리잘 clear 0.5% 용액을 사용하였다. 수돗물에 물올림하였을 때 보존용액인 0.5% 크리잘 프로 II에서는 33.8일, 0.5% 크리잘 프로 III에서는 27.7~33.5일, 크리잘 클리어는 33.7일, 차아염소산나트륨과 수돗물은 각각 26.2, 28.8일이었고, HQ 용액은 49.0일로 크리잘보다 15일, 수돗물보다 20일 절화수명이 연장되었다. 수국 '베레나 그린'의 보존용액으로 1% sucrose + 250 mg/L 8-hydroxquinoline + 100 mg/L citric acid를 사용하는 것이 관상기간을 연장하는 데 효과적이었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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• pp.198-198
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• 2010

전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 Si3N4/HfAlO (3/3 nm)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 제 1 터널 산화막(Si3N4)의 두께를 wet etching 시간 (0, 10, 20 sec)에 따른 메모리 특성을 비교 분석하였다.

• 한국문헌정보학회지
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• 제39권4호
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• pp.177-192
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• 2005

전통적인 종이 기록물은 그 자체로 정보이면서 동시에 매체인 특성이 있다. 그러므로 종이 기록물에 대한 보존매체는 원본이 있는 상태에서 이를 중복 저장하기 위하여 마이크로필름이나 이미지화 광디스크를 제작한 것을 말한다. 그런데 최근에 등장하고 있는 전자기록물은 실체가 없기 때문에 존재성을 확보하기 위해서는 보존매체 개념이 필요하며 그것도 기존 종이 기록물을 염두에 둔 보존매체 개념과는 달라야 한다. 보존매체는 전자기록물의 진본성, 무결성 및 가용성 향상에도 도움이 된다. 본 논문에서는 제대로 된 보존매체의 필요성을 설명하였고 현행 보존매체 개념의 문제점을 살펴보았다. 이러한 문제점 해결을 위한 원칙을 도출하였으며 그에 따른 전자기록물 보존매체의 관리방안도 제시하였다.

• 한국도서관정보학회지
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• 제35권3호
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• pp.175-204
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• 2004

디지털 정보자원은 장기적 보존 및 다음 세대로의 접근을 보장하기 위한 상세한 베타데이터를 필요로 한다. 본 연구는 먼저 디지털 정보자원의 특성과 디지털 보존의 개념, 디지털 정보자원의 장기 보존과 접근을 위한 메타데이터의 필요성을 조명하였다. 디지털 정보자원을 위한 상호운용적인 보존 베타데이터 개발에 근거가 되고 있는 OAIS 참조 모형을 살펴보았다. 이어 실제 OAIS 참조 모형을 적용한 CEDARS, NLA, NEDLIB, OCLC/RLG 디지털 정보자원의 보존 메타데이터를 대상으로 하여 그 개발 과정, 목적 및 메타데이터 요소 세트를 각각 구체적으로 비교 분석하였다. 본 분석 결과를 기초로 하여, 향후 우리나라의 디지털정보자원의 장기 보존과 접근을 위한 상호운용성을 갖춘 보존 메타데이터의 기본적인 요소 세트 설정 방안을 제시하였다.

• KSBB Journal
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• 제21권4호
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• pp.306-311
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• 2006

세포의 보존은 세포의 배양에 있어서 필수 불가결한 요건으로서 세포주의 다양한 특성에 따라 적합한 방법이 확립되어야 한다. 본 연구에서는 산업용 세포주인 CHO 세포의 단기간 저온보존 기술의 확립을 목표로 진행되었으며 다양한 조건을 통해 가장 안정적인 저온보존 방법을 수립하였다. 저온보존 방법에 있어서 가장 중요한 요인은 온도로서 $4^{\circ}C$ 저온보존이 세포 보존에 필수적인 조건으로 나타났으며 $20^{\circ}C$ 실온보존에서는 세포의 급격한 사멸이 관찰되었다. 보존형태는 용기를 눕힌 상태로 서서히 회전시켜 현탁 보존하는 방법이 용기를 세우거나 눕혀 보관하는 방법에 비해 높은 생존율을 나타내었다. 또한 저온보존 시 새로운 배지로 교환한 후 보존하는 방법이 배양에 사용된 배지를 그대로 사용한 보존 방법보다 세포의 성장 회복율에서 우수한 것으로 나타났다. 하지만 $4^{\circ}C$에서 rolling을 통한 현탁 보존을 할 경우에는 배지의 교환 없이도 안정적으로 세포보존이 가능한 것으로 나타났다. 저온보존에 가장 적합한 세포의 농도는 실험결과 $1.0{\times}10^6{\sim}5.0{\times}10^6cells/m{\ell}$ 범위로 나타났으며 혐기적인 상태로 보존하는 것이 공기가 존재하는 보존방법 보다 비교적 우수한 보존 결과를 나타내었다. 이상의 결과를 바탕으로 무혈청 배지의 저온보존액으로서의 안정성과 첨가물에 의한 보존효율의 향상을 평가하였다. 실험결과 저온보존 후 10일간은 높은 세포 생존율과 함께 정상적인 세포 성장 회복을 보이는 것으로 나타났으며 ${\alpha}$-tocopherol과 retinoic acid를 첨가한 저온보존액의 경우에는 더욱 우수한 세포 생존율을 보임을 확인하였다. 마지막으로 이렇게 확립된 방법을 이용하여 1 L 용량의 저온보존 실험을 수행한 결과, 앞선 실험에서와 유사한 경향의 세포 보존 능력을 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 종합해 볼 때 산업용 세포주로 널리 사용되는 CHO 세포의 저온보존은 본 연구에서 확립된 방법을 통해 단기간 동안 안정적으로 수행될 수 있을 것으로 사료되며 대용량 저온보존의 적용 가능성도 확인하였다. 대용량 배양에서의 단기간 보존기술에 대한 연구가 앞으로 더 많이 수행된다면 실제 배양 공정에서도 저온보존 기술의 적용이 가능할 것으로 판단된다.

• 고문화
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• 64호
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• pp.111-131
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• 2004

대학박물관에서 전시 또는 수장되는 유물들은 현재의 시설 및 환경조건에서도 미생물(세균, 곰팡이)에 의 한 손상과 훼손을 방지하여 보존되어야 한다. 그러기에, 대학박물관의 보존환경 실태를 분석, 파악하여 박물관 내 전시 및 수장유물에의 생물학적 환경을 조사하고 이에 대한 이상적이고, 최적의 보존환경을 설정하여야 한다. 이에 지역별 대학박물관(대구한의대학교, 부산대학교, 성신여자대학교, 숭실대학교, 연세대학교, 용인대학교, 전북대학교, 전주대학교, 조선대학교, 한림대학교, 한양대학교)을 선정하여 전시실과 유물 및 수장고의 보존환경을 조사하여 이를 평가 분석하여 최적의 보존환경 보존 지침(Guide Line)을 설정하고자 하였다. 그 결과, 수장고에서 문화재의 유물을 손상시키는 유해미생물을 분리하였고, 전시실 및 수장고에서 근무하는 근무자들에게 호흡기 및 피부질환을 일으킬 수 있는 병원미생물을 분리하여 그 특성을 규명하였으며, 이와 같은 생물학적 열화 예방을 위하여 대학박물관의 가장 효율적인 방제 방안을 설정하고자 이 연구를 수행하였다.

• 한국정보과학회 언어공학연구회:학술대회논문집(한글 및 한국어 정보처리)
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• 한국정보과학회언어공학연구회 2018년도 제30회 한글 및 한국어 정보처리 학술대회
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• pp.434-439
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• 2018

문체 변환 시스템을 학습하는 데 있어서 가장 큰 어려움 중 하나는 병렬 말뭉치가 부족하다는 것이다. 최근 대량의 비병렬 말뭉치만으로 문체 변환 문제를 해결하려는 많은 연구들이 발표되었지만, 아직까지도 원 문장의 정보 보존(Content preservation)과 문체 변환(Style transfer) 모두를 이루는 것이 쉽지 않은 상태이다. 특히 비교사 학습의 특성상 문체 변환과 동시에 정보를 보존하는 것이 매우 어렵다. Attention 기반의 Seq2seq 네트워크를 이용할 경우에는 과도하게 원문의 정보가 보존되어 문체 변환 능력이 떨어지기도 한다. 그리고 OOV(Out-Of-Vocabulary) 문제 또한 존재한다. 본 논문에서는 Attention 기반의 Seq2seq 네트워크를 이용하여 어절 단위의 정보 보존력을 최대한 높이면서도, 입력 문장에 효과적으로 Noise를 넣어 문체 변환 성능을 저해하는 과도한 정보 보존 현상을 막고 문체의 특성을 나타내는 어절들이 잘 변환되도록 할 뿐 아니라 OOV 문제도 줄일 수 있는 방법을 제안한다. 우리는 비교 실험을 통해 본 논문에서 제안한 방법들이 한국어 문장뿐 아니라 영어 문장에 대해서도 state-of-the-art 시스템들에 비해 향상된 성능을 보여준다는 사실을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.288-288
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• 2011

최근 Charge Trap Flash (CTF) Non-Volatile Memory (NVM) 소자가 30 nm node 이하로 보고 되면서, 고집적화 플래시 메모리 소자로 각광 받고 있다. 기존의 CTF NVM 소자의 tunnel layer로 쓰이는 SiO2는 성장의 용이성과 Si 기판과의 계면특성, 낮은 누설전류와 같은 장점을 지니고 있다. 하지만 단일층의 SiO2를 tunnel layer로 사용하는 기존의 Non-Valatile Memory (NVM)는 두께가 5 nm 이하에서 direct tunneling과 Stress Induced Leakage Current (SILC) 등의 효과로 인해 게이트 누설 전류가 증가하여 메모리 보존특성의 감소와 같은 신뢰성 저하에 문제점을 지니고 있다. 이를 극복하기 위한 방안으로, 최근 CTF NVM 소자의 Tunnel Barrier Engineered (TBE) 기술이 많이 접목되고 있는 상황이다. TBE 기술은 SiO2 단일층 대신에 서로 다른 유전율을 가지는 절연막을 적층시킴으로서 전계에 대한 민감도를 높여 메모리 소자의 쓰기/지우기 동작 특성과 보존특성을 동시에 개선하는 방법이다. 또한 터널링 절연막으로 유전률이 큰 High-K 물질을 이용하면 물리적인 두께를 증가시킴으로서 누설 전류를 줄이고, 단위 면적당 gate capacitance값을 늘릴 수 있어 메모리 소자의 동작 특성을 개선할 수 있다. 본 연구에서는 CTF NVM 소자의 trap layer로 쓰이는 HfO2의 두께를 5 nm, blocking layer의 역할을 하는 Al2O3의 두께를 12 nm로 하고, tunnel layer로 Si3N4막 위에 유전율과 Energy BandGap이 유사한 HfAlO와 ZrO2를 적층하여 Program/Erase Speed, Retention, Endurance를 측정을 통해 메모리 소자로서의 특성을 비교 분석하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.255-255
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• 2010

전하 트랩형 비휘발성 메모리는 10년 이상의 데이터 보존 능력과 빠른 쓰기/지우기 속도가 요구 된다. 그러나 두 가지 특성은 터널 산화막의 두께에 따라 서로 trade off 관계를 갖는다. 즉, 두 가지 특성을 모두 만족 시키면서 scaling down 하기는 매우 힘들다. 이것의 해결책으로 적층된 유전막을 터널 산화막으로 사용하여 쓰기/지우기 속도와 데이터 보존 특성을 만족하는 Tunnel Barrier engineered Memory (TBM)이 있다. TBM은 가운데 장벽은 높고 기판과 전극쪽의 장벽이 낮은 crested barrier type이 있으며, 이와 반대로 가운데 장벽은 낮고 기판과 전극쪽의 장벽이 높은 VARIOT barrier type이 있다. 일반적으로 유전율과 밴드갭(band gap)의 관계는 유전율이 클수록 밴드갭이 작은 특성을 갖는다. 이러한 관계로 인해 일반적으로 crested type의 터널 산화막층은 high-k/low-k/high-k의 물질로 적층되며, VARIOT type은 low-k/high-k/low-k의 물질로 적층된다. 이 형태는 밴드갭이 다른 물질을 적층했을 때 전계에 따라 터널 장벽의 변화가 민감하여 전자의 장벽 투과율이 매우 빠르게 변화하는 특징을 갖는다. 결국 전계에 민감도 향상으로 쓰기/지우기 속도가 향상되며 적층된 유전막의 물리적 두께의 증가로 인해 데이터 보존 특성 또한 향상되는 장점을 갖는다. 본 연구에서는 기존의 TBM과 다른 형태의 staggered tunnel barrier를 제안한다. staggered tunnel barrier는 heterostructure의 에너지 밴드 구조 중 하나로 밴드 line up은 두 밴드들이 같은 방향으로 shift된 형태이다. 즉, 가전자대 에너지 장벽의 minimum이 한 쪽에 생기면 전도대 에너지 장벽의 maximum은 반대쪽에 생기는 형태를 갖는다. 이러한 밴드구조를 갖는 물질을 터널 산화막층으로 하게 되면 쓰기/지우기 속도를 증가시킬 수 있으며, 데이터 보존 능력 모두 만족할 수 있어 TBM의 터널 산화막으로의 사용이 기대된다. 본 연구에서 제작한 staggered TBM소자의 터널 산화막으로는 $Si_3N_4$/HfAlO (Hf:Al=1:3)을 사용하여 I-V(current-voltage), Retention, Endurance를 측정하여 메모리 소자로서의 특성을 분석하였으며, 터널 산화막의 제 1층인 $Si_3N_4$의 두께를 1.5 nm, 3 nm일 때의 특성을 비교 분석하였다.