Evaluation of mechanical backside damage by minority carrier recombination lifetime and photo-acoustic displacement method in silicon wafer (실리콘 웨이퍼에서 광열 변위법과 소수 반송자 재결합 수명 측정에 의한 기계적 후면 손상 평가)
-
- Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
- /
- v.8 no.1
- /
- pp.117-123
- /
- 1998