• Title/Summary/Keyword: 벌집 제거

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Trend Analysis for the Beehive Removal Dispatch of the 119 Rescue Teams in Busan (부산지역 119구조대의 벌집 제거 출동 경향 분석)

  • Lee, Geun-chul;Kim, Byoung-Gwon;Seo, Il-hwan
    • Journal of the Society of Disaster Information
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    • v.17 no.4
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    • pp.667-673
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    • 2021
  • Purpose: The aim of this study is to analyze the trend for the dispatch of the 119 rescue teams to remove the beehive according to the distribution of temperature and time in Busan metropolitan city for 5 years from 2015. Method: From January 2015 to December 2019, 11 fire stations in Busan were dispatched and the source data of rescue and emergency activities were collected. The number of beehive removal dispatches was determined by the Busan Metropolitan Fire Station's jurisdiction over the past five years, and the temperature meteorological factors and honeycomb removal dispatches were analyzed in frequency and percentage. Result: The frequency of dispatch began to increase at an monthly average temperature of more than 20℃ and was higher at 23℃ to 29℃ than other temperature range. The highest frequency of dispatch was 7,900 cases in 2017. In particular, we found that the start timing of the honeycomb removal is getting faster as the year goes by. Gijang-gun had the largest frequency of dispatch, and Haeundae-gu, Geumjeong-gu, and Nam-gu were found to have a higher that. Conclusion: We found that the start timing of the honeycomb removal is getting faster as the year goes by and temperature changes. The results of this study are considered to be useful in future studies of wasps in urban areas.

A Numerical Analysis of VOC Removal in Honeycomb Photocatalytic Reactor (벌집형 광촉매 반응기의 VOC 제거에 관한 수치해석적 연구)

  • 류무성;김창녕
    • Proceedings of the Korea Air Pollution Research Association Conference
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    • 2003.05b
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    • pp.385-386
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    • 2003
  • 건축자재의 제작 및 도장공정, 합성수지 제조공정 등에서 많이 배출되는 휘발성 유기화합물(Volitile Organic Compounds, 이하 VOCs)은 이동성이 강하고 악취를 유발할 뿐만 아니라 마취성이 강하여 잠재적인 독성 및 발암성을 가진다. 이러한 VOCs의 제거방법 중 광촉매 제거법은 380 nm 이하의 자외선을 흡수하여 표면에서 생긴 전자와 정공으로 대부분의 유해물질을 제거하는 비교적 최근에 개발된 방법이다. 광촉매는 한번의 설치로 반영구적으로 사용할 수 있고 인체에 무해하며 유지비용이 적게 든다는 장점으로 인해 크게 부각되고 있다. (중략)

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블록 공중합체 박막을 이용한 금 나노점 및 실리콘 나노점의 형성

  • Gang, Gil-Beom;Lee, Chang-U;Kim, Yong-Tae;Kim, Seong-Il
    • Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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    • 2007.06a
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    • pp.90-93
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    • 2007
  • 밀도가 높고 주기적으로 배열된 실리콘 나노점이 실리콘 기판위에 형성 되었다. 실리콘 나노점을 형성하기 위해 사용된 나노패턴의 지름은 20 나노미터(nm)이고 깊이는 40 nm 이었으며 기공과 기공사이의 거리는 50 nm 였다. 나노미터 크기의 패턴을 형성시키기 위해서 자기조립물질을 사용했으며 폴리스티렌(PS) 바탕에 벌집형태로 평행하게 배열된 실린더 모양의 폴리메틸메타아크릴레이트(PMMA)의 구조를 형성하였다 폴리메틸메타아크릴레이트를 아세트산으로 제거하여 폴리스티렌만 남아있는 나노크기의 마스크를 만들었다. 형성된 나노패턴에 전자빔 기상증착장치를 사용하여 금 박막을 $100\;{\AA}$ 증착하고 리프트오프(lift-off) 방식으로 금 나노점을 만들었다. 형성된 금 나노점을 불소기반의 화학반응성 식각법을 이용하여 식각하고 황산으로 제거하였다. 형성된 실리콘 나노점의 지름은 24 nm 였고 높이는 20 nm 였다.

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Fabrication of Hexagonally Assembled Gold Nonodots Based on Anodization of Aluminum (알루미늄 양극산화를 이용한 육각구조로 규칙적으로 배열된 금 나노구조 제조)

  • Lee, Joon Ho;Lee, Han Sub;Choi, Jinsub
    • Applied Chemistry for Engineering
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    • v.20 no.2
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    • pp.191-194
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    • 2009
  • Porous alumina prepared by anodization has been widely studied since it shows very regular nanostructures at inexpensive prices. In this article, porous alumina is obtained by anodization of aluminum in the oxalic acid. After the first formed oxide is selectively removed from the aluminum substrate, the hexagonal nanostructures on the fresh aluminum are converted to nanodots by the second anodization in boric acid. Nanodots are arrayed in the convex of the hexagonal nanostructures. The optimization condition for the fabrication of nanodots with a height of 20 nm is investigated in detail. Subsequently, a gold film is deposited on the nanodots, resulting in the formation of gold nanodots arrays which are probably interesting substrate for biosensor applications.

RF 열 플라즈마를 이용한 초고순도 그래핀 플레이크 제작에 관한 연구

  • Seong, Da-In;O, Jong-Sik;O, Ji-Su;Sin, Jae-Hui;Yeom, Geun-Yeong
    • Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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    • 2015.05a
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    • pp.80-80
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    • 2015
  • 벌집 모양 격자 속에 배열된 탄소 원자들의 단일 층으로 구성되고, 매우 놀라운 특성들을 지니고 있는 차세대 물질인 그래핀을 생산하기 위해서 지금까지 많은 연구진이 다양한 합성법을 개발해 왔다. 본 연구에서는 Radio Frequency (RF) 열 플라즈마를 통해 고 순도의 그래핀 플레이크를 생산하고자 하였다. 이러한 방법을 통해 sulfur와 oxygen을 포함한 불순물이 다량 제거될 수 있었으며, 초고순도 그레핀 플레이크 제조를 통해 면저항을 낮출 수 있었다.

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화학기상증착법으로 합성한 그래핀의 암모니아 가스 센서 응용

  • Kim, Myeong-Eon;Kim, Se-Yun;Vu, Xuan Hien;Kim, Jeong-Ju;Heo, Yeong-U;Lee, Jun-Hyeong
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2013.02a
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    • pp.646-646
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    • 2013
  • 그래핀은 이차원의 탄소 원자들이 벌집구조를 이루는 탄소 원자 한 층의 물질이다. 우수한 기계적, 전기적, 광학적 특성으로 인해 투명전극, 가스 센서, 트랜지스터 등과 같이 다양한 응용이 가능하고 연구가 행해지고 있다. 최근 몇 년 동안, 그래핀의 우수한 특성을 이용해서 마이크로센서나 신축성 있는 전자소자를 위한 전도막과 같은 응용이 시도되고 있다. 본 연구에서는 화학기상증착법 (CVD)으로 합성한 그래핀을 이용해서 암모니아 가스 센서 소자를 제작, 센서 특성을 관찰하였다. 구리 기판을 이용하여 화학기상증착법으로 그래핀을 합성하였으며 진공로에서 수소(H2)와 메탄(CH4) 가스를 사용하였다. 그래핀 합성 온도, 가스 유량 등을 변화시키며 그래핀을 합성하고, 합성된 그래핀을 구리기판을 식각용액을 이용해 제거하는 방법으로 그래핀을 전사시키는 공정거쳐 Au/Ni 전극패턴 위에 전사시킴으로 가스 센서 소자를 제작하였다. 제작된 센서 소자를 이용해 상온에서 암모니아(NH3) 가스의 유량을 변화시키며 실험하였다. 암모니아 가스가 흐를 때 그래핀에 암모니아 분자가 흡착되어 그래핀의 전기저항을 증가시켜 이를 이용해서 암모니아 가스를 감지할 수 있었다. 본 연구에서 제작한 소자는 상온에서 암모니아 가스에 민감하게 반응했으며 이는 기존의 금속산화물을 이용한 암모니아 센서는 대부분 고온에서 작동하는 점과 비교 하였을 때 가스 센서 소자로써 큰 장점이라고 할 수 있다.

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A Numerical Analysis of the Abatement of VOC with Different Photocatalytic Honeycomb Filters (광촉매 필터형상에 따른 휘발성 유기화합물의 제거에 관한 수치해석적 연구)

  • 류무성;김창녕
    • Korean Journal of Air-Conditioning and Refrigeration Engineering
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    • v.16 no.1
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    • pp.1-7
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    • 2004
  • This study has been numerically conducted to investigate the removal efficiency of Volatile Organic Compound (VOC) for different photocatalytic honeycomb filters. Recently, the photocatalysis is being applied to air-cleaner, air-conditioner and vacuum-cleaner with the capability of air-purification, sterilization and antibiosis. However, photocatalysis is less efficient than other methods for removing VOC except in the case of low concentration. So far most of studies have focused on an improvement of the photocatalytic materials, but this study have placed emphasis on the improvements of shape of photocatalytic honeycomb filter. UV irradiation, concentration profile and pressure drop have been investigated for different cross sections of filters and for different filter lengths. Light intensity is dropped sharply with increasing distance from the UV-lamp, and becomes very low in the middle of the filters. Since photocatalytic reaction rate is a function of light intensity, VOC concentration gradient might be small in the middle of long filters. Thus, most of reaction have risen within only three times of dimensionless axial distance. These results can be used effectively for the design of advanced photocatalytic honeycomb filters.

열/플라즈마 산화를 이용한 그래핀 내산화 특성 연구

  • Lee, Byeong-Ju;Jeong, Gu-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.02a
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    • pp.78-78
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    • 2010
  • 그래핀(Graphene)은 탄소원자가 육각형 벌집(honeycomb)구조로 빼곡히 채워진 2차원의 단원자 층으로 역학적 강도와 우수한 화학적/열적 안정성 및 흥미로운 전기 전도 특성을 가지고 있다. 이러한 그래핀의 우수한 특성으로 인하여 현재 기초연구뿐만 아니라 응용연구 등 많은 연구들이 진행되고 있다. 일반적으로 그래핀의 우수한 물리적 특성들은 그래핀의 층수, 모서리(edge)구조, 결함(defect), 불순물 등에 의해 크게 좌우되는 것으로 알려져 있다. 따라서 그래핀의 구조 및 결함정도를 자유로이 제어하고 그에 따르는 특성 변화를 관찰하는 것은 기초연구의 측면에서 뿐만 아니라 향후 그래핀 응용에 있어서도 매우 중요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 그래핀의 내산화 특성을 연구하기 위하여, 그래핀을 열 및 플라즈마 산화 분위기에 노출시킨 후, Raman 분광법을 이용하여 광학적, 구조적 변화를 분석함으로써 그래핀의 내산화 특성에 대하여 조사하였다. 그래핀은 실리콘 웨이퍼에 전자빔증착법으로 니켈박막을 증착한 후 열화학증기증착법으로 합성하였으며, 메탄가스를 원료가스로 $900^{\circ}C$ 전후에서 합성하였다. 합성한 그래핀은 산화반응 시 기판의 영향을 제거하기 위하여 트렌치 구조의 기판 위에 전사(transfer)함으로써 공중에 떠있는 구조를 구현하였다. 열 산화의 경우, 합성한 그래핀을 대기분위기의 고온($500^{\circ}C$) 챔버에 넣고 처리시간에 따른 특성변화를 살펴보았다. 플라즈마 산화의 경우는 공기를 이용하여 직류플라즈마를 발생시킨 후 0.4 W의 낮은 플라즈마 파워를 이용하여 플라즈마 산화처리와 특성평가를 매회 반복하였다. 그래핀의 특성분석은 Raman분광기와 광학현미경, 원자힘현미경(AFM) 등을 이용하여 분석하였으며, 상기 결과들은 향후 산화환경에서의 그래핀 응용소자 개발에 유용할 것으로 예상된다.

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그래핀 투명전극의 벤딩에 대한 복원력 연구

  • Park, Jun-Gyun;Kim, Yeong-Hun;Jeong, Yeong-Jong;No, Yong-Han
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2015.08a
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    • pp.162.2-162.2
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    • 2015
  • 플렉서블 디스플레이에 사용되는 투명전극은 벤딩에 의한 인장(tensile) 및 압축(compressive) 스트레스 하에서도 전극의 특성이 지속적으로 유지되어야 한다. 기존 OLED소자의 투명전극으로 사용되던 인듐산화물(ITO, Indium Tin Oxide)는 인듐(Indium)의 희소성 문제뿐만 아니라 벤딩에 대한 복원력이 나쁜 것으로 알려져 플렉서블 디스플레이에는 적합하지 않은 것으로 알려져 있다. 벤딩에 강하고 복원력이 우수한 투명전극 재료가 필요하게 되었다. 본 연구에서는 PEN (Polyethylene Naphthalate) 유연기판 상에 그래핀(Graphene)전극을 구현하여 벤딩에 대한 저항특성을 관찰하였고 일반적으로 많이 사용하는 Aluminum 전극과의 비교를 통해 광효율을 지속적으로 유지할 수 있는 플렉서블 OLED용 전극구현 가능성을 연구하였다. 일반적으로 Al금속은 인장 스트레스를 받음에 따라 저항이 증가하고 다시 복원되면 저항이 감소하는 특성을 갖고 있는데 인장 스트레스에 따라 저항과 늘어난 길이와의 관계는 다음과 같다. $R/R0=(L/L0)^2$ ----------------------------------------- (1) 그러나 반복된 스트레스가 가해질 경우 Al 금속 전극은 복원력을 잃고 저항이 원래대로 돌아가지 않는 문제가 발생하는데 반해 그래핀은 벌집모양의 구조를 갖고 있어 벤딩에 대한 강도가 셀 뿐만 아니라 고탄력으로 인해 복원력이 우수하여 여러 싸이클(cycle)의 벤딩 실험에 의해서도 복원력이 지속적으로 유지되었다. Al 금속 전극의 경우 벤딩 각도 또는 정도에 따라 복원력이 유지되는 구간이 있으나 반복적인 벤딩 싸이클에 의해 복원력이 감소하여 인장 스트레스에 의한 저항 증가 후 스트레스 제거 시 저항 감소가 되지 않는데 24시간 동안 전기 저항 변화를 관찰하면 수시간 후에나 저항이 어느 수준까지만 복원되는 것을 확인할 수 있었으나 복원에 오랜 시간이 소요된다는 점에서 그래핀과 비교가 된다. SEM(Scanning electron microscopy) 분석을 통해 인장 스트레스 인가/제거를 반복함에 따라 Al 금속표면이 표면에 열화되는 것을 확인하였으나 그래핀에서는 나타나지 않았다. 본 연구에서는 높은 투과도와 우수한 전기적 특성을 가지는 그래핀 투명 전도성 전극이 다양한벤딩 조건에서도 뛰어난 복원 특성을 보이는 것을 밝혀내어 차세대 투명 전극 물질로 개발하고자 하였다.

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Method to control the Sizes of the Nanopatterns Using Block Copolymer (블록 공중합체를 이용한 나노패턴의 크기제어방법)

  • Kang, Gil-Bum;Kim, Seong-Il;Han, Il-Ki
    • Journal of the Korean Vacuum Society
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    • v.16 no.5
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    • pp.366-370
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    • 2007
  • Nano-scopic holes which are distributed densely and uniformly were fabricated on $SiO_2$ surface. Self-assembling resists were used to produce a layer of uniformly distributed parallel poly methyl methacrylate (PMMA) cylinders in a polystyrene (PS) matrix. The PMMA cylinders were degraded and removed by acetic acid rinsing. Subsequently, PS nanotemplates were fabricated. The patterned holes of PS template were approximately $8{\sim}30\;nm$ wide, 40 nm deep, and 60 nm apart. The porous PS template was used as a dry etching mask to transfer the pattern of PS template into the silicon oxide thin film during reactive ion etching (RIE) process. The sizes of the patterned holes on $SiO_2$ layer were $9{\sim}33\;nm$. After pattern transfer by RIE, uniformly distributed holes of which size were in the range of $6{\sim}22\;nm$ were fabricated on Si substrate. Sizes of the patterned holes were controllable by PMMA molecular weight.