• Title/Summary/Keyword: 버퍼막

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Study on the influence of i/p interfacial properties on the cell performance of flexible nip microcrystalline silicon thin film solar cells (i/p 계면 특성에 따른 nip 플렉서블 미세결정질 실리콘 박막 태양전지의 특성 연구)

  • Jang, Eunseok;Baek, Sanghun;Jang, Byung Yeol;Lee, Jeong Chul;Park, Sang Hyun;Rhee, Young Woo;Cho, Jun-Sik
    • 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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    • 2011.05a
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    • pp.128.2-128.2
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    • 2011
  • 스테인레스 스틸 유연기판 위에 플라즈마 화학기상 증착법 (plasma enhanced chemical vapor deposition)을 이용하여 nip 구조의 미세결정질 실리콘 박막 태양전지 (microcrystalline silicon thin film solar cell)를 제조하고 i ${\mu}c$-Si:H광 흡수층과 p ${\mu}c$-Si:H 사이에 i a-Si:H 버퍼 층을 삽입하여 i/p 계면특성을 개선하고 이에 따른 태양전지 성능특성 변화를 조사하였다. ${\mu}c$-Si:H 박막으로 이루어진 i/p 계면에서의 구조적, 전기적 결함은 태양전지 내에서 생성된 캐리어의 재결합과 shunt resistance 감소를 초래하여 개방전압 (open circuit voltage) 및 곡선 인자 (fill factor)를 감소시키는 것으로 알려졌다. 제조된 미세결정질 실리콘 박막 태양전지는 SUS/Ag/ZnO:Al/n ${\mu}c$-Si:H/i ${\mu}c$-Si:H/p ${\mu}c$-Si:H 구조로 제작되었으며 i/p 계면 사이의 i a-Si;H 버퍼층 두께를 변화시키고 이에 따른 태양전지의 특성을 조사하였다. 태양전지의 구조적, 전기적 특성 변화는 Scanning Electron Microscope (SEM), UV-visible-nIR spectrometry, Photo IV와 Dark IV를 통하여 조사하였다.

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Fabrication of HTS Microstrip Bandpass Filters using CeO$_2$ buffered YBCO Films grown on ${\alpha}\;Al_2O_3$ substrates (CeO$_2$ 버퍼막과 함께 ${\alpha}\;-Al_2O_3$ 기판 위에 성장된 YBCO 박막을 사용한 HTS Microscrp Bandpass filter의 제작)

  • Jung, Gu-Rak;Chu, Hyeong-Gon;Kang, Joon-Hee;Park, Sang-Jin;Sok, Jung-Hyeon;Lee, Eun-Hong
    • 한국초전도학회:학술대회논문집
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    • v.9
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    • pp.58-62
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    • 1999
  • We fabricated a new hairpin type HTS 2-pole microstrip Bandpass filter to operate at 5.8GHz. The fabrication method was pulsed laser deposition and YBCO films were deposited on ${\alpha}$-A1$_2O_3$ substrates with a CeO$_2$ thin layer as a buffer layer. We developed a new style hairpin type filter by using interdigitide innerpole. Compared to the saute size regular hairpin type filters, our filter had a lower center frequency, bandwidth and loss by an amount of 14.5%, 29.6%, 0.5488dB, respectively. The size of the filters were 13.7${\times}$3.3mm. We did simulations on the several types of band pass filters by using HFSS and serenade. We measured growth rate and Tc of YBCO films grown on CeO$_2$/ ${\alpha}$-A1$_2O_3$ substrates which were rotated while growing films.

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Mixed-Mode Transient Analysis of CDM ESD Phenomena (CDM ESD 현상의 혼합모드 과도해석)

  • Choe, Jin-Yeong;Song, Gwang-Seop
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.38 no.3
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    • pp.155-165
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    • 2001
  • By suggesting a mixed-mode transient simulation method utilizing a 2-dimensional device simulator, we have analyzed CDM ESD Phenomena in CMOS chips, which utilize NMOS transistors as ESD protection devices. By analyzing the simulation results, the mechanisms leading to device failures in CDM discharge and the differences in discharge characteristics with different polarities of stored charges have been explained in detail. The effects of changes in interconnection resistance values on the gate-oxide failure at input buffers, which is the most serious problem in CDM discharge, have been examined. Also improvements in discharge characteristics with addition of the NMOS transistor for input-buffer protection have been examined.

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CuO 나노 입자의 PEDOT:PSS 첨가를 통한 유기 태양전지 특성 향상 연구

  • O, Sang-Hun;Jeong, Ju-Hye;Kim, Hyeon-Jae
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.388-388
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    • 2011
  • 본 연구에서는 CuO 나노 입자를 poly(3,4,-ethylene dioxythiophene):polystyrene sulfonic acid (PEDOT:PSS) 버퍼층에 첨가하여 정공의 이동도를 높임으로서 poly(3-hexylthiophene) (P3HT) as the electron donor and (6.6) phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) 기반의 유기 태양전지를 제작하였다. 일반적으로 PEDOT:PSS 박막은 높은 광 투과율과 상대적으로 우수한 전기전도도를 지닌 p-type의 유기 반도체 물질로써 유기 태양전지의 홀 전도막으로 널리 사용되어지고 있다. 하지만 낮은 홀이동도로 인하여 전달된 정공이 전극까지 전달되는데에 한계점이 있어 본 연구에서 이를 극복하기 위한 방안으로 p-type의 무기 반도체 물질인 CuO 나노 입자를 PEDOT:PSS 박막내에 첨가하여 홀 이동도를 높이고자 하였다. CuO 나노 입자를 PEDOT:PSS 용액에 각각 5, 10, 15, 20mg/ml 의 농도로 첨가하여 유기 태양 전지의 버퍼층으로 사용을 하였다. 이렇게 제작되어진 각각의 PEDOT:PSS 박막과 CuO 나노 입자가 첨가된 PEDOT:PSS 박막의 전기적, 광학적 및 표면 분석을 통하여 CuO 나노 입자가 PEODT:PSS 박막에 미치는 영향을 조사하였고, 이를 통하여 P3HT:PCBM 기반의 유기 태양전지를 제작하여 전기적 특성 분석을 수행하였다.

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Improvement of Cu2ZnSnS4 Solar Cell Characteristics with Zn(Ox,S1-x) Buffer Layer (Zn(Ox,S1-x) 버퍼층 적용을 통한 Cu2ZnSnS4 태양전지 특성 향상)

  • Yang, Kee-Jeong;Sim, Jun-Hyoung;Son, Dae-Ho;Lee, Sang-Ju;Kim, Young-Ill;Yoon, Do-Young
    • Korean Chemical Engineering Research
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    • v.55 no.1
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    • pp.93-98
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    • 2017
  • This experiment investigated characteristic changes in a $Cu_2ZnSnS_4$(CZTS) solar cell by applying a $Zn(O_x,S_{1-x})$ butter layer with various compositions on the upper side of the absorber layer. Among the four single layers such as $Zn(O_{0.76},S_{0.24})$, $Zn(O_{0.56},S_{0.44})$, $Zn(O_{0.33},S_{0.67})$, and $Zn(O_{0.17},S_{0.83})$, the $Zn(O_{0.76},S_{0.24})$ buffer layer was applied to the device due to its bandgap structure for suppressing electron-hole recombination. In the application of the $Zn(O_{0.76},S_{0.24})$ buffer layer to the device, the buffer layer in the device showed the composition of $Zn(O_{0.7},S_{0.3})$ because S diffused into the buffer layer from the absorber layer. The $Zn(O_{0.7},S_{0.3})$ buffer layer, having a lower energy level ($E_V$) than a CdS buffer layer, improved the $J_{SC}$ and $V_{OC}$ characteristics of the CZTS solar cell because the $Zn(O_{0.7},S_{0.3})$ buffer layer effectively suppressed electron-hole recombination. A substitution of the CdS buffer layer by the $Zn(O_{0.7},S_{0.3})$ buffer layer improved the efficiency of the CZTS solar cell from 2.75% to 4.86%.

Fabrication of a Depletion mode n-channel GaAs MOSFET using $Al_2O_3$ as a gate insulator ($Al_2O_3$ 절연막을 게이트 절연막으로 이용한 공핍형 n-채널 GaAs MOSFET의 제조)

  • Jun, Bon-Keun;Lee, Suk-Hyun;Lee, Jung-Hee;Lee, Yong-Hyun
    • Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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    • v.37 no.1
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    • pp.1-7
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    • 2000
  • In this paper, we present n-channel GaAs MOSFET having $Al_2O_3$ as gate in insulator fabricated on a semi-insulating GaAs substrate. 1 ${\mu}$m thick undoped GaAs buffer layer, 1500 ${\AA}$ thick n-type GaAs, undoped 500 ${\AA}$ thick AlAs layer, and 50 ${\AA}$ GaAs caplayer were subsequently grown by molecular beam epitaxy(MBE) on (100) oriented semi-insulating GaAs substrate oxidized. When it was wet oxidized, AlAs layer was fully converted $Al_2O_3$. The I-V, $g_m$, breakdown charateristics of the fabricated GaAs MOSFET showed that wet thermal oxidation of AlAs/GaAs epilayer/S${\cdot}$I GaAs was suitable in realizing depletion mode GaAs MOSFET.

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Effect of hydroxybutyric-acid on lipid bilayers with respect to layer phase

  • Lee, Gaeul;Park, Jin-Won
    • Journal of the Korean Applied Science and Technology
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    • v.39 no.5
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    • pp.720-726
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    • 2022
  • The behavior changes of the lipid bilayer, induced by the hydroxybutyric-acid incorporation, were investigated with respect to each phase of the layer using fluorescence intensity change. Spherical phospholipid bilayers, called vesicles, were prepared using an emulsion technique. Only in the aqueous inside of the vesicles was encapsulated 8-Aminonaphthalene-1,3,6-trisulfonic-acid-disodium-salt(ANTS). p-Xylene-bis-N-pyridinium-bromide(DPX) was included as a quencher only outside of the vesicles. The fluorescence scale was calibrated with the ANTS-encapsulated vesicles in DPX-dispersed-buffer taken as 100% and the mixture of ANTS and DPX in the buffer as 0%. Hydroxybutyric-acid addition into the vesicle solution led the change in the bilayer. The change was found to be related to the phase of each layer according to the ratio of hydroxybutyric-acid to lipid. These results seem to depend on the stability of the vesicles, due to the osmotic and volumetric effects on the arrangement in both head-group and tail-group.

Study on Basic Performance Test of Electroosmotic Pump with Porous Glass Slit. (다공성 유리 슬릿 EO펌프 기초 성능 측정 연구)

  • Seo, Sang-Tae;Park, Cheol-Woo
    • 한국가시화정보학회:학술대회논문집
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    • 2007.11a
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    • pp.59-62
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    • 2007
  • The basic concept and preliminary performance results of a miniaturized electroosmotic (EO) pump with diaphragms were included in the present study. The separation of an electroosmotic pumping liquid from a drug using diaphragms is mainly to have a freedom in choosing an electroosmotic pumping liquid and to achieve the optimal drug delivery, and, preferably its precise control. We performed maximum flow rate, maximum pressure, and maximum current measurements with and without diaphragm designs. As a result, the effect of diaphragms on pump performance at the maximum condition is small. However, the presence of diaphragms does not allow indefinite continuous pumping.

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박막태양전지 TCO/P 버퍼층 활성화를 위한 P-layer 최적화 Simulation

  • Jang, Ju-Yeon;Baek, Seung-Sin;Kim, Hyeon-Yeop;Lee, Jun-Sin
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.91-91
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    • 2011
  • 박막태양전지의 높은 효율개선을 위해 TCO층과 p-layer 사이에 buffer layer를 넣어 Voc와 FF를 개선하는 연구가 진행되고 있다. 이에 buffer layer의 활성화 정도를 높이기 위해 p-layer을 최적화 시키고자한다. 이 실험에서 a-Si:B에 N2O를 도핑시켜 Bandgap Energy 2.0 eV, Activation Energy 0.4 eV인 a-SiOx:B 막을 제작하여 buffer layer로 사용하였고 이 buffer layer에 의한 cell의 효율 향상을 최적화 하기위해 ASA simulation을 이용해 p-layer의 Bandgap Energy와 Activation Energy를 가변 하여 보았다. 실험결과 p-layer의 Bandgap Energy 1.95 eV에서 buffer layer와 p-layer사이에서의 barrier가 최소가 됨을 확인 할 수 있었고 Actication Energy 0.5 eV에서 가장 높은 Voc를 가짐을 알 수 있었다. 본 연구를 통해 p-layer의 Bandgap Energy 1.95 eV, Activation Energy 0.5 eV에서 buffer layer를 활성화시키기 위한 p-layer의 최적화 조건을 구현해 볼 수 있었다.

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An Adaptable Object Prefetch for Enhancing OODBMS Performance (OODBMS 성능향상을 위한 객체 선인출 전략)

  • An, Jeong-Ho;Kim, Hyeong-Ju
    • Journal of KIISE:Software and Applications
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    • v.26 no.2
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    • pp.191-202
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    • 1999
  • 객체지향 데이터베이스에서 객체 접근의 성능은 효율적인 객체 선인출을 통해 이루어질 수 있다. 본 연구에서는 고급의 객체 시맨틱을 사용하지 않고 세그먼트를 단위로 선택적인 객체 선인출을 수행하는 동적 SEOF(Selective Eager Object Fetch)방법을 고안하였다. 본 알고리즘은 객체 인출의 상관 관계와 빈도수를 모두 고려하였으며, 다른 기존의 객체 선인출 방법들과는 달리 시스템의 부하에 따라 선인출의 정도를 동적으로 조정함으로써 클라이언트의 메모리나 스왑 자원을 효율적으로 이용하여 시스템의 성능을 향상시킨다. 또한 제안된 방법은 객체 버퍼의 사용을 제한하여 자원의 고갈을 막을 수 있으며 , 클러스터링의 정도나 데이터베이스의 크기에 대해 효과적으로 대응한다. 본 논문에서는 다양한 다중 클라이언트 환경에서의 시뮬레이션을 통해 제안된 알고리즘의 성능 평가를 실시하였다.