• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.20 no.1
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• pp.50-56
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• 2011

In this study, the effects of ZnO buffer layer thickness and annealing temperature on the heterojunction diode, ZnO/b-ZnO/p-Si(111), were reported. The effects of those on the structural and electrical properties of zinc oxide (ZnO) films on ZnO buffered p-Si (111) substrate were also studied. Structural properties of ZnO thin films were studied by X-ray diffraction and I-V characteristics were measured by a semiconductor parameter analyzer. ZnO thin films with 70 nm thick buffer layer and annealing temperature of $700^{\circ}C$ showed the best c-axis preferred orientation. The best electrical property was found at the condition of buffer layer annealing temperature of $700^{\circ}C$ and 50nm thick ZnO buffer layer (resistivity: $2.58{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$, carrier concentration: $1.16{\times}1020[cm^{-3}]$). The I-V characteristics for ZnO/b-ZnO/p-Si(111) heterojunction diode were improved with increasing buffer layer thickness at buffer layer annealing temperature of $700^{\circ}C$.

• The KIPS Transactions:PartA
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• v.8A no.4
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• pp.385-390
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• 2001

In this paper, we describe a blocking method of buffer overflow attack for secure operating system. Our team developed secure operating system using MAC and ACL access control added on Linux kernel. We describe secure operating system (SecuROS) and standardized Secure utility and library. A working prototype able to detect and block buffer overflow attack is available.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2011.05a
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• pp.114.2-114.2
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• 2011

비정질 실리콘 박막 태양전지연구에 일반적으로 사용되고 있는 ASA (Advanced Semicon ductor Analysis) simulation을 이용하여 TCO/p에 삽입될 버퍼층의 최적 구조를 설계해보았다. 기본적인 p,i,n층 단일막 data 값을 고정시켜 버퍼층의 광학적 밴드갭을 1.75~1.95eV, 활성화 에너지를 0.3~0.4eV, 두께를 5~15nm로 가변해 보았다. 첫 번째로 동일한 활성화 에너지를 갖는 버퍼층의 광학적 밴드갭을 증가 시켰을 경우 built-in potential이 증가하였으며 이는 개방전압의 증가로 이어졌다. 두 번째로 활성화 에너지가 작은 경우 큰 경우에 비하여 Conduction-band와 Fermi-level의 차이가 증가 하게 되어 활성화 에너지가 큰 경우에 비해 높은 built-in potential을 얻을 수 있었다. 또한 버퍼층과 p층의 접합부분에서의 barrier가 활성화 에너지의 차이를 줄일수록 감소 함 을 알 수 있었다. 장벽의 감소로 정공의 흐름을 방해하는 요소가 줄어들었고 효율도 증가하였다. 마지막으로 버퍼층 두께가 두꺼워 질수록 박막 내에서 빛 흡수가 많아지게 되어 광 흡수층으로 가야할 빛의 양이 줄어들게 되어 단락전류값이 감소하는 것을 알 수 있었다. Simulation결과 버퍼층의 광학적 밴드갭이 1.95eV로 크고 활성화 에너지가 0.3eV이하로 p층에 비하여 낮으며 두께가 5nm로 얇을수록 좋다는 결과를 알 수 있었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.3
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• pp.1-1
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• 2001

2차원 소자 시뮬레이터를 사용하는 혼합모드 과도해석 방법을 제시하여, NMOS 트랜지스터를 ESD 보호용 소자로 사용하는 CMOS 칩에서의 충전소자모델(CDM) ESD 현상에 대한 분석을 시도하였다. 과도해석 결과의 분석을 통해 CDM 방전 경우 소자 파괴에 이르는 미케니즘에 대해 상세히 설명하였고 충전전기의 극성에 따른 방전 특성의 차이점도 비교 분석하였다. CDM 방전에서 가장 문제가 되는 입력버퍼의 게이트 산화막 파괴문제와 관련하여 배선저항 값의 변화에 의한 영향을 검토하였고, 입력버퍼회로 보호용 NMOS 트랜지스터의 추가에 의한 방전 특성의 변화에 대해 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.08a
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• pp.321.2-321.2
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• 2013

CdS는 2.42 eV의 밴드 갭을 가지는 직접 천이형 반도체로서 CdTe계와 CGIS계 태양전지의 접합 partner로 많이 이용되어 왔다. 태양전지의 광투과층으로 사용되는 CdS 박막의 필요한 물성으로는 높은 광투과도와 얇은 두께이다. 광투과층으로 사용되는 CdS 막의 광투과도가 높아야 많은 양의 빛이 손실 없이 투과하여 광흡수층인 CIGS에 도달할 수 있다. 특히, CdS막의 두께가 얇으면 밴드 갭 이상의 에너지를 가지는 파장의 빛도 투과시킬 수 있어 태양전지의 효율의 증가을 얻을 수가 있다. 그러나 CdS 막의 두께가 얇을 경우, pinhole이 생성되는 등 막의 균질성이 문제가 되기 때문에 얇으면서도 pinhole이 없는 CdS 박막을 만들기 위한 연구가 진행되고 있다. 본 연구에서는 높은 변환 효율을 갖는 CIGS 박막 태양전지 제작에 적합한 chemical bath depostion(츙)법을 이용하여 CdS 박막을 제조하였다. 또한 반응온도, Cd 및 S source 비, 반응용액의 pH와 같은 증착 조건에 따른 박막의 구조적, 광학적 특성을 조사하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.459.2-459.2
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• 2014

CdTe계와 CGIS계 태양전지의 광투과층으로 CdS 박막이 많이 사용된다. Cds 박막의 필요한 물성으로는 높은 광투과도와 얇은 두께이다. 광투과층으로 사용되는 CdS 막의 광투과도가 높아야 많은 양의 빛이 손실 없이 투과하여 광흡수층인 CIGS에 도달할 수 있다. 특히, CdS막의 두께가 얇으면 밴드 갭 이상의 에너지를 가지는 파장의 빛도 투과시킬 수 있어 태양전지의 효율의 증가을 얻을 수가 있다. 그러나 CdS 막의 두께가 얇을 경우, pinhole이 생성되는 등 막의 균질성이 문제가 된다. 본 연구에서는 높은 변환 효율을 갖는 CIGS 박막 태양전지 제작에 적합한 chemical bath depostion(츙)법을 이용하여 CdS 박막을 제조하였다. 또한 반응시간, Cd 및 S source 비와 같은 증착 조건에 따른 박막의 특성을 조사하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 2010.06a
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• pp.102.1-102.1
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• 2010

고효율 멀티정션박막태양전지의 바텀셀 적용을 목적으로, 반응성CVD(Reactive thermal CVD)기술을 이용, $Si_2H_6+GeF_4$를 원료가스로, 이들이 가진 산화환원반응을 이용하여 400도 이하의 저온에서 Ge 및 Si 기판에 Ge을 에피성장 시켰다. Ge 기판위의 호모에피막의 경우, $2.5{\AA}/sec$의 성장속도와 99%의 Ge조성을 보였고, RHEED 및 HR-XRD를 통한 결정성 평가 결과, 고품질의 Ge 에피막의 성장이 확인되었다. 동일한 성장조건을 Si기판에 헤테로에피성장 시켰을 경우, 4% 격자불일치에 의해 막품질이 저하되는 것을 확인하였다. 이를 개선하기 위하여 저온에서 제작한 버퍼층에 대한 논의를 하고자 한다.

• Journal of the Korea Society for Simulation
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• v.17 no.2
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• pp.13-19
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• 2008

New Buffered deposition is proposed to decrease junction electric field in this paper. Buffered deposition process is fabricated after first gate etch, followed NM1 ion implantation and deposition & etch nitride layer. New Buffered deposition structure has buffer layer to decrease electric field. Also we compared the hot carrier characteristics of Buffered deposition and conventional. Also, we design a test pattern including NMOSFET, PMOSFET, LvtNMOS, High pressure N/PMOSFET, so that we can evaluate DC/AC hot carrier degradation on-chip. As a result, we obtained 10 years hot carrier life time satisfaction.

• Journal of Korea Multimedia Society
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• v.13 no.5
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• pp.740-753
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• 2010

Performance of TCP can be severely degraded in WLP-based Mobile IP wireless networks where packet loss not related to network congestion occurs frequently during WLP-based inter-subnetwork handoff by user mobility. To resolve such a problem in the networks using WLP-based Mobile IP, the packet buffering method recovering seamlessly the packets dropped due to user mobility has been proposed. The packet buffering method at a bridge station recovers those packets dropped during handoff by forwarding buffered packets at the old bridge station to the WLP device. But, when the WLP device moves to a congested bridge station in a new WLP foreign subnetwork, those buffered packets forwarded by the old bridge station are dropped and TCP transmission performance of a WLP device in the congested bridge station degrades due to increased congestion by those forwarded burst packets. In this paper, a PBM(Packet Bridge Marker) is proposed for preventing buffered out-of-profile(OUT) packets from reducing the throughput of in-profile(IN) packets of an Assured Service WLP device. From this operation, the packet losses of buffered OUT packets are avoided and the throughput of IN and Total packets of an AS WLP device are increased.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.34 no.1
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• pp.45-50
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• 2023

Microfluidic preconcentration technologies, which collect or extract low-abundance analytes in a specific location, have been spotlighted in various applications such as medical and bio-engineering. Here, we conducted extensive studies on the variables to be considered when concentrating target samples based on electrophoresis in an electromembrane system utilizing an ion exchange membrane. Using negatively charged Alexa Fluor 488 and positively charged Rhodamine 6G as fluorescent dyes, we examined the effects of flow velocity of the main channel, channel electrolyte concentration, and applied voltage on sample preconcentration. As a result, it was found that the preconcentration of the target sample occurs much better when the flow velocity is slow and the concentration of the main channel containing the sample is high, given that the channel concentration ratio (main and buffer) is constant. In addition, based on the experimental data acquired in this study, the electrophoretic mobility values of Alexa Fluor 488 and Rhodamine 6G were experimentally calculated and compared.