• Applied Chemistry for Engineering
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• v.9 no.2
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• pp.193-199
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• 1998

The mixtures of ultra-high molecular weight polythylene (UHMWPE), high density polyethylene (HDPE), process oil (mineral oil) and potassium hexatitanate whisker were melted and mixed at $150^{\circ}C$ for 30min, and prepared by compression molding to the specimen of separator of about $200{\mu}m$ thickness at the same temperature and 5000 psi. Thereafter the pores were formed by extracting process oil with organic solvents. In this study, the range of PR (the ratio polymer to process oil) was varied from 0.1 to 0.5 because the specimen turned into rubbery phase at which PR was below 0.1 whereas it changed into gel phase at which PR was above 0.5. When the specimen was treated with nonpolar organic solvents, process oil was extracted nearly 98%. Tensile strength was $31kg/cm^2$ at PR = 0.426, and resistance of specimen was $37m{\Omega}/cm^2$ at PR = 0.186, and $53m{\Omega}/cm^2$ at PR = 0.426. The $N_2$ adsorption-desorption isotherm showed a hysteresis representing regions of capillary condensation, and the surface area at PR = 0.186 was relatively large as $130cm^2/g$. Potassium hexatitanate whisker was randomly dispersed in between PE layers. It might be that the whisker is intercalated through the PE thin layers oriented by compression.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.8 no.3
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• pp.679-685
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• 2004

Although the electrophoretic deposition method has the advantage of simple processing procedure, less fabrication facilities, and easier control for deposition thickness and wire length, providing economical and technical merits, it also has the disadvantages of cracking and porosity phenomena, requiring an improved processing method for higher particle density and constant particle orientation. we have developed an optimization method to increase the particle density and to unify its orientation, and have performed a study to overcome the cracking and porosity problems in the fabricated superconductor. In order to improve the surface uniformity and the conduction properties of the fabricated YBCO thick films, a system that applies alternate voltage vertically has been developed for the first time and applied to the electrophoretic deposition process. The applied alternate electric field caused a force to be exerted on each YBCO particle and resulted in a rotation of the particle in the direction of applied electric field, accomplishing a uniform particle orientation. We name this process as the shaky-aligned electrophoretic deposition method. For commercial utilization and efficiency, in this dissertation, alternating voltage of 60 Hz and 25 ∼ 120 V/cm was proposed to apply it as a subsidiary source for shaky-flow deposition so that the fabricated thin film showed uniform surface morphology with less voids and cracks and Tc,zero of 90 K and the critical current density of 3419 A/$cm^2$.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.46-46
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• 2000

과학기술 및 산업의 발달로 인하여 실험 중 또는 공정 상에서 in situ, 실시간으로 측정하고 분석하며 이를 되먹임하는 품질제어의 중요성이 대두되고 있다. 반도체 공정 또는 박막제조 공정 중에서 박막의 두께, 굴절율, 물질의 조성비 등을 알아내는 것이 긴요한 과제로 대두되고 있으며, 이를 위하여 공정중인 제품의 품질을 실시간으로 평가하는 장비가 요구되고 있는 것이다. 나아가 공정중의 예상하지 못한 시료의 특성변화를 그대로 감지하여 적절히 보정해 주는 되먹임 기법은 높은 수율을 보장하는 첨단기법이라 할 수 있다. 이러한요구에 부응할 수 있는 본 제품(Elli-situ 2000)은 박막의 두께 표면변화를 sub 의 정밀도를 가지고 in situ, 실시간으로 정밀 측정할 수 있는 첨단 계측장비로서 빛의 편광상태 변화를 측정하기 때문에 공정 중의 시료에 영향을 주지 않는 비간섭 특성과 비접촉 특성의 장점 뿐만 아니라 공기중에서는 물론 진공이나 액체 등의 매질에서도 사용될 수 있어서 매질에 대한 제약이 거의 없다는 장점도 가지고 있다. 편광상태의 제어 및 측정을 필요한 광학장비의 경우, 제작이 까다롭기 때문에 대부분 가격이 높은 편이고 사용방법이나 측정 데이터에 대한 해석이 어렵다는 단점이 있으나, Elli-situ 2000의 경우 상용화된 외국제품(국내제품은 없슴)과 비교하여 성능 및 가격경쟁력에 있어서도 우위에 있으며 간단, 명료한 장비조작 및 컴퓨터를 사용한 구동의 전자동화를 이룸으로써 초보자도 쉽게 측정하고 데이터를 처리할 수 있도록 하였다. 또한 취부대의 경우, 진공포트 플랜지의 표준규격(2-3" Del-Seal 플랜지 규격)에 맞춤으로써 기존의 진공챔버에 부착하여 진공에 전혀 영향을 주지 않는 상태에서 시료의 변화를 in situ, 실시간으로 정밀 측정할 수 있도록 하였다. 하였다.O 박막은 산소 가스압력과 기판온도, 인가 전류를 변화시켜가며 증착하였으며 이에 따른 박막의 결정성 변화를 알아보았다. 기판온도를 실온에서 점차 증가시켜나가면 $\Delta$$\theta$50은 급격히 감소하며 30$0^{\circ}C$에서는 결정성이 우수한 막을 얻을 수 있었다. 또한 산소 가스 압력이 0.5~1mTorr에서 $\Delta$$\theta$50은 양호한 값을 나타내었지만 그 이상에서는 c-축 배향성이 나빠짐을 확인하였다. 따라서 대향타겟식스퍼터 장치를 이용하여 ZnO 박막을 증착시 가스압력 0.5~1mTorr, 기판온도 20$0^{\circ}C$이상의 막 제작조건에서 결정성이 우수하게 나타나는 것을 확인할 수 있었다. gluten이 단단해졌음을 알수 있었다. 유화제 stearly 칼슘, 혹은 hemicellulase를 amarans 10% 대체한 밀가루에 첨가하면 확연히 비용적을 증대시킬 수 있다는 사실을 알 수 있었다. quinoa는 명아주과 Chenopodium에 속하고 페루, 볼리비아 등의 고산지에서 재배 되어지는 것을 시료로 사용하였다. quinoa 분말은 중량의 5-20%을 quinoa를 대체하고 더욱이 분말중량에 대하여 0-200ppm의 lipase를 lipid(밀가루의 2-3배)에 대하여 품질개량제로서 이용했다. 그 결과 quinoa 대량 7.5%에서 비용적, gas cell이 가장 긍정적 결과를 산출했고 반죽의 조직구조가 강화되었다. 또 quinoa 대체에 의해 전분-지질 복합제의 흡열량이 증대된 것으로부터 전분-지질복합제의 형성 촉진이 시사되었다.이것으로 인하여 호화억제에 의한 노화 방지효과가 기대되었지만 실제로 빵의 노화는 현저히 진행되었다. 이것은

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.9 no.2
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• pp.146-152
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• 2000

Lithium doped zinc oxide(ZnO:Li) films are prepared by rf magnetron sputtering on Corning 7059 glass substrate using specifically designed ZnO targets containing different amount of $Li_2CO_3$ powder as the Li doping source. The structural properties of the Li doped ZnO films are investigated by XRD, SEM and AFM. The electrical properties of the ZnO:Li films are measured for various deposition conditions, such as the substrate temperature, $O_2$/Ar gas ratio and rf power. The effects of the $Li_2CO_3$ content in target and the deposition conditions on the structural and electrical properties were studied. When ZnO:Li films were sputtered at the substrate temperature of $200^{\circ}C$, $O_2$/Ar gas ratio of 100% and rf power of 100W with a target containing less than 1wt% content of $Li_2CO_3$, showed good surface morphology, strong c-axis orientation and high resistivity of more than $10^8{\Omega}cm$.

• Proceedings of the Korean Powder Metallurgy Institute Conference
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• 2001.11a
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• pp.28-28
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• 2001

$Bi_2Te_3$계 열전반도체 재료는 200 ~ 400K 정도의 저온에서 에너지 변환 효율이 가장 높은 재료로서 열전냉각 및 발전재료로 제조볍 및 특성에 관한 많은 연구가 진행되어 왔다. 전자냉각 모듈의 제조에는 P형 및 N형 $Bi_2Te_3$계 단결정이 주로 사용되고 있으나. $Bi_2Te_3$ 단결정은 C축에 수직한 벽개면을 따라 균열이 쉽게 전파하기 때문에 소자 가공사 수윤 저하가 가장 큰 문제점으로 지적되고 있다. 이에 따라 최근 열전재료의 가공방법에 따른 회수율 증가 및 열전특성 향상에 관한 열간압출, 단조와 같은 연구가 활발히 이루어지고 있다. 본 연구는 가스분사법(gas atomizer)을 이용하여 용질원자 편석의 감소, 고용도의 증가,균일고용체 형성, 결정립미세화 둥 급속응고의 장점을 이용하여 화학적으로 균질한$Bi_2Te_3$계 열전재료 분말을 제조하고, 제조된 분발을 압출가공하여 기계적성질, 소자의 가공성 및 열전 성능 지수율 향상시키는데 연구 목적이 있다. 본 설험에서는 99.9%이상의 고순도 Bi. Te. Se. Sb를 이용하여, 고주파 유도로에서 Ar 분위기로 용융하고, 가스분사법를 이용하여 균질한 $Bi_2Te_3$계 열전재료 분만을 제조하였다. 분말표면의 산화막을 제거하기 위하여 수소분위기에서 환원처리를 행하였고, 된 분말을 Al 캔 주입하여 냉간성형 한 후 진공중에서 압출온도를 변화시켜 열간압출 가공을 행하였다. 압출 온도변화에 따른 압출재의 미세조직 및 열전특성에 중요한 영향을 미치는 C면 배향에 대한 결정방위 해석, 압출재의 압축강도 등을 분석하였으며, 압출온도에 따삼 미세조직 변화와 결정방위의 변화에 따른 열전특성의 관계를 해석하였다성시켰고 이들이 산인 HNO3에서 녹았기 때문이다. 본 연구에서 개발된 새로운 에칭 용액인 90H2O2 - 10HNO3 (vol%)의 에칭 원리가 똑같이 적용 가능한 다른 종류의 초경 합금에서도 사용이 가능할 것으로 판단된다.로 판단된다.멸과정은 다음과 같다. 출발물질인 123 분말이 211과 액상으로 분해될 때 산소가스가 배출되며, 이로 인해 액상에서 구형의 기공이 생성된다. 이들 중 일부는 액상으로 채워져 소멸되나, 나머지는 그대로 남는다. 특히, 시편 중앙에 서는 수십-수백 마이크론 크기의 커다란 기공이 다수 관찰된는데, 이는 기공의 합체로 만들어진 것이다. 포정반응 열처리 시 기공 소멸로 만들어진 액상포켓들은 주변 211 입자와 반응하여 123 영역으로 변한다. 이곳은 다른 지역과 비교하여 211 밀도 가 낮기 때문에, 미반응 액상이 남거나 211 밀도가 낮은 123 영역이 된다. 액상으로 채워지지 못한 구형의 기공들 중 다수가 123 결정 내로 포획되며, 그 형상은 액상/ 기공/고상 계면에너지에 의해 결정된다.단의 경우, 파단면이 매끄럽고 파변상의 결정립도 매우 미세하였으며, 산확물 의 용집도 찾아보기 어려웠 나, 접합부 파단의 경우에는 파변의 굴곡이 비교척 심하고 연성 입계파괴의 형태를 보였￡며, 결정립도 모채부 파단의 경우에 비해 조대하였다. 조대하였다. 셋째, 주상기간 중 총 에너지 유입률 지수와 $Dst_{min}$ 사이에 높은 상관관계가 확인되었다. 특히 환전류를 구성하는 주요 입자의 에너지 영역(75~l13keV)에서 가장 높은(0.80) 상관계수를 기록했다. 넷째, 회복기 중에 일어나는 입자들의 유입은 자기폭풍의 지속시간을 연장시키는 경향을 보이며 큰 자기폭풍일수록 현저했다. 주상에서 관측된 이러한 특성은 서브스톰 확장기 활동이 자기폭풍의

• Korean Journal of Materials Research
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• v.9 no.5
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• pp.484-490
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• 1999

$(Pb,La)TiO_3$(PLT) thin films were prepared on Pt/SiO$_2$/Si substrates by the sol-gel method and investigated the crystalline and electrical properties according to La concentration and post-annealing temperatures. The PLT films annealed at above $600^{\circ}C$ were exhibited the typical perovskite structures regardless of La contents. When the $(Pb,La)TiO_3$(PT) films were doped with La concentration up to 10mol%(PLT-10), the degree of z-axis orientation was greatly decreased from 63% to 26%. From AES depth profiles for the PLT-10 samples, no remarkable inter-reaction between PLT film and lower Pt electrode was found. The remanent polarization$(2Pr,Pr_+-Pr_-)$ were increased from $4\muC\textrm{cm}^2 to 16\muC\textrm{cm}^2$ as the annealing temperature increased from $600^{\circ}C to 700^{\circ}C$. This result may be ascribed to the improvement of crystallinity by the high temperature post-annealing. The dielectric constant$({\varepsilon}r)$ and tangent loss(tan$\delta$) of the PLT-10 films annealed at $650^{\circ}C$ were about 193 and 0.02, respectively with the pyroelectric coefficient($\gamma$) of around $4.0nC/\textrm{cm}^2{\cdot}^{\circ}C at 30^{\circ}C$.

• Journal of Sensor Science and Technology
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• v.7 no.1
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• pp.67-72
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• 1998

The crystallized CuPc and PbTe films are formed by thermal evaporation and pulsed ArF excimer laser ablation. Structural and electrical properties of thin film is observed by XRD and current-voltage(I-V) curves. From XRD analysis, both PbTe and CuPc thin films show a-axis oriented structure. For the measurement of photovoltaic effect, the transverse current-voltage curve of CuPc/Si, PbTe/Si and PbTe/CuPc/Si junctions have been analyzed in the dark and under illumination. The PbTe/CuPc/Si junction exthibits a strong photovoltaic characteristics with short circuit current($J_{sc}$) of $25.46\;mA/cm^{2}$ and open-circuit voltage($V_{oc}$) of 170 mV. Quantum efficiency and power conversion efficiency are calculated to be 15.4% and $3.46{\times}10^{-2}$, respectively. Based on the results of QE and ${\eta}$, the photocurrent process of PbTe/CuPc/Si junction can be explained as following three effective steps; photocarrier generation in the CuPc layer, carrier separation at PbTe/CuPc interface, and finally a transportation of electrons through the PbTe layer.

• Journal of the Korean Chemical Society
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• v.37 no.6
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• pp.570-576
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• 1993

1-, 3-, 9-, and 21-Monolayer Langmuir-Blodgett(LB) films of stearic acid were deposited on silver-coated glass slides at the surface pressure of 30 mN/m. Fourier transform infrared(FTIR) reflection-absorption spectra (RAS) of these LB films were recorded at various temperatures from 31 to $72^{\circ}C.$ The spectra at $31^{\circ}C$ exhibited characteristic features of highly perpendicular orientation of the hydrocarbon chain. In the 1-monolayer LB film, the C=O stretching band was not observed, presumably due to the image dipole effect on the silver surface. In the 1-and 3-monolayer LB films, the trans isomer of stearic acid was prominent, but the cis isomer was dominant in the 21-monolayer LB film. FTIR-RAS measurements at an elevated temperature indicated that the chain melting temperature increases and approached to the bulk melting point with increasing the number of monolayer, except for the 1-monolayer LB film which has a higher melting temperature than the 3-monolayer film due to the strong interaction with the silver substrate.

• Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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• v.17 no.5
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• pp.1213-1218
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• 2013

In this study, Ga-doped ZnO (GZO) thin films were fabricated on transparent sapphire substrate by RF magnetron sputtering method and then investigated the effect of various substrate temperature on the electrical, optical properties and characteristic of crystallization of the GZO thin films. The electrical property indicated that the lowest resistivity ($4.18{\times}10^{-4}{\Omega}cm$), the highest carrier concentration ($6.77{\times}10^{20}cm^{-3}$) and Hall mobility ($22cm^2/Vs$) were obtained in the GZO thin film fabricated at $300^{\circ}C$. And for this condition, the highest c-axis orientation and (002) diffraction peak which exhibits a FWHM of $0.34^{\circ}$ were obtained. From the results of AFM measurements, it is known that the highest crystallinity is observed at $300^{\circ}C$. The transmittance spectrum in the visible range was approximately 80 % regardless of substrate temperature. The optical band-gap showed the blue-shift as increasing the substrate temperature to $300^{\circ}C$, and they are all larger than the band gap of bulk ZnO (3.3 eV). It can be explained by the Burstein-Moss effect.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.9 no.3
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• pp.227-232
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• 2000

$MgTiO_3$thin films have been grown on various substrates by pulsed laser deposition (PLD) to investigate the application for microwave dielectrics and optical devices. Epitaxial $MgTiO_3$thin films were obtained on sapphire (c-plane$A1_2O_3$$MgTiO_3$thin films deposited on $SiO_2/Si$ and platinized silicon ($Pt/Ti/SiO_2/Si$) substrates were highly oriented. $MgTiO_3$thin films grown on sapphire were transparent in the visible and had a sharp absorption edge about 290 nm. These $MgTiO_3$thin films had extremely fine feature of surface morphology, i.e., rms roughness of 0.87 nm, which was examined by AFM. We have investigated the dielectric properties of the $MgTiO_3$thin films in $MIM(Pt/MgTiO_3/Pt)$ capacitors. Dielectric constant and loss of $MgTiO_3$thin films deposited by PLD were about 24 and 1.5% at 1 MHz, respectively. These $MgTiO_3$thin films also exhibited little dielectric dispersion.