• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.13 no.10
• /
• pp.4757-4761
• /
• 2012

LED chip on board(COB) package has been fabricated using aluminum substrate and aluminum anodization process. An alumina layer, used as a dielectric in COB substrate, is produced on aluminum substrate by selective anodization process. Also, selective anodization process makes it possible to construct a thermal via with a fully-filled via hole. Two types of the COB package are fabricated in order to analyze the effects of their substrate types on thermal resistivity and luminous efficiency. The aluminum substrate with the thermal via shows more improved measurement results compared with the alumina substrate. These results demonstrate that selective anodization process and thermal via can increase heat dissipation of COB package in this work. In addition, it is proved experimentally that these parameters also can be enhanced using efficient layout of multiple chip in the COB package.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.487-487
• /
• 2012

플라즈마 디스플레이 패널(PDP)은 공정 절차가 간단하고 가격 경쟁력이 매우 뛰어나 일찌감치 대형 평판 디스플레이 시장을 주도해 왔으며 빠른 응답 속도를 기반으로 한 생생한 화질의 구현으로 3D TV 시장에서도 꾸준한 사랑을 받고 있다. 향후 더 큰 화면을 요구하는 PID(Public Information Display) 시장에서도 PDP 는 두각을 나타낼 수 있을 것으로 보인다. 하지만 PDP 는 여전히 LCD, OLED 등의 디스플레이에 비해 발광 효율이 낮고 소비 전력이 높다는 단점을 가지고 있다. 또한 미국 환경청(EPA)과 에너지부(DOE)가 공동으로 마련한 전자 제품의 효율 등급제인 에너지 스타(Energy Star) 제도가 끊임없이 개편되면서 소비 전력에 대한 규제가 점차 강화되고 있기 때문에 발광 효율 및 소비 전력 특성의 개선은 현재 PDP 업계가 해결해야 할 가장 중요한 과제라고 할 수 있다. 발광 효율의 개선과 관련하여 최근에는 PDP의 보호막으로 널리 쓰이고 있는 MgO 보다 2차 전자 방출 계수가 높아 PDP의 구동 전압을 낮추는 동시에 휘도와 발광 효율 특성을 개선시킬 수 있는 신 보호막에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. MgO를 대체 가능한 신 보호막으로 언급되는 물질은 SrO 혹은 CaO 등이 대표적이다. 하지만 이러한 물질들은 공기 및 수분에 대한 용해도가 높기 때문에 증착된 막이 이후의 공정 과정(합착 및 가열 배기 등)에서 대기 중에 노출 될 경우 심하게 변질될 수 있다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서 신 보호막 위에 기존의 MgO 보호막을 얇게 증착하여 공기로부터의 접촉을 차단하거나 펠렛을 제조하는 과정에서 MgO 에 신 보호막 물질을 소량만 첨가하는 등의 방법들이 제안되어 왔으며 그 결과 기존의 PDP 대비 구동 전압을 낮추고 발광 효율을 획기적으로 개선하는데 성공한 결과들이 지속적으로 보고되고 있다. 하지만 신 보호막이 공기 및 수분에 민감한 만큼, 고온의 공정으로 인해 PDP의 하판 유리로부터 상판에 증착된 박막으로 확산되는 불순물에 의해서도 오염되며 이 역시 신 보호막의 특성을 구현하는데 방해 요소로 작용한다. 본 연구에서는 PDP 하판의 불순물이 상판의 박막으로 확산되는 것을 방지하고자 하판 형광체 인쇄전 PECVD 증착법으로 확산 방지막을 1 가량 형성하였다. 이후 SIMS 분석을 통하여 하판 불순물의 확산이 효과적으로 차단됨을 확인하였고 신 보호막의 오염을 최소화하여 결과적으로 PDP의 구동 전압을 낮추고 효율을 획기적으로 개선하는데 기여할 수 있음을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2014.02a
• /
• pp.302.2-302.2
• /
• 2014

유기발광소자는 고휘도, 넓은 시야각, 빠른 응답속도, 높은 색재현성, 좋은 유연성의 소자 특성 때문에 디스플레이 제품에 많이 응용되고 연구가 활발하게 진행되고 있다. 최근에 저소비전력, 고휘도, 소형화 및 장수명의 장점을 가진 유기발광소자의 상용화가 진행되면서 차세대 디스플레이소자로서 관심을 끌게 되었다. 최근에는 고효율의 장점을 가지는 무기 형광체와 양자점을 이용한 백색 유기발광 소자에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있으나 색 안정성이 좋지 않은 문제점이 있다. 본 연구에서는 적색 빛을 방출하는 CdSe/ZnS 양자점과 녹색 빛을 방출하는 YAG:Ce3+ 무기 형광체를 포함하는 polymethylmethacrylate (PMMA)를 색변환층으로 이용하여 청색 유기발광소자에 결합한 백색 유기발광소자를 제작하였다. CdSe/ZnS 양자점과 YAG:Ce3+ 무기 형광체의 광흡수대역은 250 nm에서 500 nm이므로 470 nm의 청색 발광소자의 청색 빛을 흡수하여 색변환층에서 재 발광할 때 색 변환 결과를 무기 형광체와 양자점의 여러 가지 혼합 비율에 따라 전계발광 스펙트럼을 통해 관측하였다. 또한, 전압을 12 V 에서 16 V까지 변화하였을 때 색좌표가 (0.32, 0.34)에서 (0.30, 0.33)으로 적은 변화를 보여 높은 색안정성을 확인 할 수 있었다. 이 연구 결과는 양자점과 무기 형광체를 혼합한 색변환층을 이용한 백색 유기발광소자의 색 변환 효율 증가와 색안정성에 대한 기초자료로 활용할 수 있다.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.26 no.3
• /
• pp.139-146
• /
• 2015

The effects of a dielectric multilayer mirror on the efficiency of organic light-emitting diodes (OLEDs) were investigated by using optical simulation. Adoption of a dielectric mirror consisting of alternating SiN and $SiO_2$ layers narrowed the emission spectrum due to the microcavity effect, and increased the outcoupling efficiency by a few percent. The layer thicknesses of the dielectric mirror were adjusted to change the wavelength of the resonance mode, which may be used to increase the color purity.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.2 no.3
• /
• pp.115-120
• /
• 1991

The effect of ZnS buffer layer on the brightness and luminous efficiency of SrS : Ce, Cl thin film EL device is investigated. The driving voltage is 210V for the cell with ZnS buffer layer, but 220V without ZnS buffer layer. The frequency range is 500 Hz-20 kHz. The. brightness is proportional to the product of the frequency and the transferred charge density within measured range. The luminous efficiency is independent on the frequency and/or driving voltage. By using the ZnS buffer layer, the luminescence characteristics of active layer is improved. The experimental data shows 0.12 Im/W of the luminous efficiency for the device with ZnS buffer layer, but 0.061m/W without ZnS buffer layer.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.37 no.12
• /
• pp.18-23
• /
• 2000

In this paper, we propose the organic light-emitting devices with vacuum evaporated ultrathin CsF layer between the AI electrode and conjugated polymer MEH-PPV which was spin coated. In this structure, the CsF layer will be well transferred the electron injection from the electrode to the emission layer MEH-PPV. Finally this structure enhances the emission efficiency of the organic light-emitting device. And we measured the I-V-L properties with the split of CsF thickness into the $2{\AA},\;4{\AA},\;8{AA},\;10{\AA},\;20{\AA},\;50{\AA},\;75{AA}$ respectively. And also we evaporated CsF/Al, CsF/Au Cs/Au electrode respectively for the comparison. As the results, we obtained the maximum quantum efficiency 0.6% at $4{\AA}$ CsF thickness and then at $8{\AA}$, it decreased a little but it's still better than pure Al electrode which has 0.01%.

• Proceedings of the Korea Contents Association Conference
• /
• 2008.05a
• /
• pp.301-305
• /
• 2008

An organic light-emitting diode(OLED) has advantages of low power driving, self light-emitting, wide viewing angle, excellent high resolution, full color, high reproduction, fast response speed, simple manufacturing process, or the like. However, there are still a number of challenges to get over in order to put it to practical use as a high performance display. First of all, the most important thing is to improve the efficiency of the OLED element in order to commercialize it. To this end, its efficiency can be improved by lowering the driving voltage through the improvement of structure of the OLED element and the application of new organic substance. Therefore, in this study, we have manufactured a red OLED element by applying fluorescent dyes to the emitting layer of the element having the structure of ITO/TPD/Znq2+DCJTB/Znq2/Al and the structure of ITO/CuPc/NPB/Alq3+DCJTB/Alq3/Al, in order to light-emitting various colors or improve the brightness and the efficiency, and then we have evaluated its electrical and optical characteristics.

• Electrical & Electronic Materials
• /
• v.9 no.2
• /
• pp.208-215
• /
• 1996

본 고에서는 최근 주목받고 있는 적층형 유기 전계발광소자의 일반적 형태와 발광특성등에 대해 알아보고자 한다. 현재 완전한 유기 전계발광소자의 개발을 위해 캐리어 수송재 즉, 정공수송재와 전자수송계의 캐리어 수송능력을 증가시키기 위해서 여러가지 새로운 물질들이 연구되고 있으며, 고효율의 발광특성을 얻어내기 위한 발광재료의 개발과 동작시의 안정성을 향상시키기 위한 소자구조의 개선에 대해서도 연구가 국내외적으로 활발히 진행되고 있다. 특히, 조만간 일본에서 30cd/m$^{2}$의 휘도를 갖는 적층형 유기 전계발광 소자가 상용화 될것으로 알려져있어 이를 계기로 고휘도, 고효율의 유기 전계발광 소자의 개발이 가까운 시일내에 이루워지리라 전망된다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.37 no.6
• /
• pp.17-23
• /
• 2000

In this study, we prepared red organic light-emitting-diode(OLED) with a fluorescent dye(Sq)-doped and inserted between emission and cathode layer 1,3-bis(5-p-t-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)benzene (OXD7) or/and tris(8-hydroxyquinoline) aluminum ($Alq_3$) layers for increasing electroluminescent(EL) efficiency. This inserting effect has been observed and EL mechanism characteristics have been examined. The hole transfer layer is a N,N'-diphenyl-N,N'-bis-(3-methyl phenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD), and the host and guest materials of emission layer is $Alq_3$ and bis[1-methyl-3,3'-dimethyl-2-indorindiylmethyl] squaraine (Sq), respectively. For the inserting of $Alq_3$, emission efficiency increased. But we can not obtained highly pure red emission owing to the emission of inserting $Alq_3$ layer. The inserting of OXD7 makes hole block and accumulate. Because of increasing recombination probability of electron and hole, highly pure red color can be held. Simultaneously brightness characteristics and emission efficiency could improve.

• Korean Journal of Optics and Photonics
• /
• v.3 no.2
• /
• pp.111-116
• /
• 1992

ZnS:Sm, F TFEL devices with double insulating layer are prepared by e-beam evaporation method. Electroluminescence and luminous efficiency of the device fabricated at various conditions are investigated. The main transitions on the emission spectra for ZnS:Sm, F TFEL device occur at$^4G_{5/2}\to^6H_{9/2}^4G_{5/2}\to^6H_{7/2}, \;^4G_{5/2}\to^6H_{5/2}\to$.Among them, the dominant spectral line and its corresponding transition occur at $^4G_{5/2}\to^6H_{9/2}$(650 nm) and results in an orange-red emission color. The optimum concentration and substrate temperature for the ZnS:Sm, F TFEL device are around 1 wt% and $200^{\circ}C$. Luminous efficiency for the device is the largest at optimum condition.