• Korean Journal of Plant Tissue Culture
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• v.27 no.1
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• pp.71-75
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• 2000

To clarify the possibility of plant production under red, green. blue, and red+blue using light emitting diodes (LEDs) and fluorescent lamps (control), the effects of light quality on the growth and morphogenesis of in vitro seedlings in Piatycodon grandiflorum were examined. The plantlets grown under the LEDs resulted in taller plants with greater stem than fluorescent lamps. The shortest shoot length, 3.8 cm, was observed in the control and the longest one, 13.4 cm, in the red light. But the shoot length was 5.6 cm under red LED with supplemental blue(red+blue light). This results indicate that red LED may be suitable, in proper combination with other wavelengths of light. The root length under red light was significantly smaller among the treatments. The plantlets grown under red+blue light had lower shoot dry weight, higher dry matter than other lights-grown plantlets. Among the various growth parameters measered, there was an indication that leaf area was controlled by the LEDs. Leaf area of a plantlets developing under green light was about 2.4 times wider than that of plantlets grown under red LED (10.1 $\textrm{cm}^2$ in area). The dry matter rate per plantlet among the treatments was greater in plantlets grown under the red/blue LEDs in comparison with that grown under other LEDs. Chlorophyll contents in plantlets grown under the red, green, blue and red/blue LEDs were 2%, 7% 20% and 10% lower, respectively, than those in plant grown under fluorescent lamps.

• Korean Journal of Plant Resources
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• v.21 no.4
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• pp.249-253
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• 2008

Since there is no report about more than one gene expression simultaneously in a single mitochondria, this report is very important to novel type of eukaryotic gene expression. In this study, investigated whether mitochondrial expressed gene and GFP that expression in mitochondria of plant expressed to mitochondria. Expression vector (pBin) containing AtBI-1 (mitochondrial expressed gene) and GFP driven by 35S promoter was bombarded by gene gun to leaves and cotyledon of tobacco. Regenerated shoot confirmed expression of AtBI-1 in mitochondria by GFP expression, PCR, and Southern analysis. Successful mitochondria of plant cell transformation in this report implies possible eukaryotic mitochondrial transformation including plants and animals, and moreover two or more gene expression which can be excellent applicable protocols to pharmaceutical field including antibody production.

• Journal of the korean academy of Pediatric Dentistry
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• v.36 no.2
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• pp.199-208
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• 2009

This study was performed to improve the conventional $DIFOTI^{TM}$ system(EOS Inc., USA) by developing the prototype of DIFOTI system which consists of light emitting diode(LED) and digital camera. The images of enamel surfaces treated under Carbopol 907 de-mineralizing solution were taken daily during 7 days of experimental periods by both DIFOTI systems. The results of comparative analyses of obtained images can be summarized as follows: 1. Trans-illumination indices of images taken from sample enamel surfaces were decreased with time in both systems. 2. The difference of intensity of luminance between sound and de-mineralized enamel surface in prototype DIFOTI system was shown to be relatively smaller than conventional $DIFOTI^{TM}$ system. The application of LED light source in prototype DIFOTI system could possibly reduce the amount of current consumption and that could ultimately lead us to the successful development of wireless model with battery. The innovative development of digital camera is undoubtedly expected to create much clearer image despite of wireless transfer. LED and digital camera can be combined into a smaller size but a very important task of improving image manager and analyzing program into a simpler and easier one to manipulate has to be solved.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.125-125
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장된 질화물 기반의 LED (light emitting diode) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE)에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 InGaN/GaN이나 AlGaN/GaN 양자 우물구조를 GaN의 m-plane (1$\bar{1}$00) 이나 a-plane (11$\bar{2}$0) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성 면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. GaN 층의 표면을 평탄화하고 결정성을 향상시키기 위해서 저온 GaN 또는 AlN 버퍼층을 성장하는 2단계 방법이나 고온 버퍼층을 이용하여 성장하는 연구들이 많이 진행되고 있다. 본 연구에서는 고온 GaN 버퍼층을 이용하여 기존의 2단계 성장과정을 단순화한 비극성 a-plane GaN을 r-plane 사파이어 기판위에 유기금속 화학증착법 (MOCVD)으로 성장하였다. 사파이어 기판위에 AlN 층을 형성하기 위한 nitridation 과정 후 1030 도에서 두께 45 ~ 800 nm의 고온 GaN 버퍼층을 성장하고 총 박막 두께가 2.7 ~ 3 um 가 되도록 a-plane GaN을 성장하여 표면 양상의 변화와 결정성을 확인하였다. 또한 a-plane GaN 박막 성장 시에 성장 압력을 100 ~ 300 torr 로 조절하며 박막 성장의 변화 양상을 관찰하였다. 고온 GaN 버퍼층 성장 두께가 감소함에 따라 결정성은 증가하였으나 표면의 삼각형 형태의 pit 밀도가 증가함을 확인하였다. 또한 성장 압력이 감소함에 따라 표면 pit은 감소하였으나 결정성도 감소하는 것을 확인하였다. 성장 압력과 버퍼층 성장 두께를 조절하여 표면에 삼각형 형태의 pit이 존재하지 않는 RMS roughness 0.99 nm, 관통전위밀도 $1.78\;{\times}\;10^{10}/cm^2$, XRD 반가폭이 [0001], [1$\bar{1}$00] 방향으로 각 798, 1909 arcsec 인 a-plane GaN을 성장하였다. 이 연구를 통해 고온 GaN 버퍼 성장방법을 이용하여 간소화된 공정으로 LED 소자 제작에 사용할 수 있는 결정성 높은 a-plane GaN을 성장할 수 있는 가능성을 확인하였다.

• Journal of the Korean Society of Food Science and Nutrition
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• v.46 no.5
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• pp.581-591
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• 2017

The purpose of this study was to examine the biological activities of gamma-irradiated Teucrium veronicoides. In photostimulated luminescence analysis, non-irradiated sample showed lower than 700 photon counts (PCs), whereas irradiated (5 and 10 kGy) samples showed higher than 700 PCs. The thermoluminescence ratio of non-irradiated samples was less than 0.1, whereas the values of irradiated samples were greater than 0.1. Electron spin resonance analysis was performed confirmed for irradiation identification. The total phenolic contents of hot-water and 50% ethanol extracts were higher than those values after irradiation at 10 kGy. Regarding 1,1-diphenyl-2-picrylhydrazyl radical inhibitory activity, 2,2'-azino-bis(3-ethylbenzothiazoline-6-sulfonic acid) radical scavenging activity, antioxidant protection factor, thiobarbituric acid reactive substance inhibitory activity as antioxidant test and xanthine oxidase inhibitory activity, the effect of gamma irradiation had on significant effects. On the other hand, ${\alpha}-amylase$ inhibitory activity of 10 kGy-irradiated hot-water extract was 23.6% higher than that of the non-irradiated sample. Thus, gamma irradiation could be used for the long-term storage of Teucrium veronicoides.

• Journal of Nuclear Fuel Cycle and Waste Technology(JNFCWT)
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• v.18 no.1
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• pp.63-72
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• 2020

Dissolved hexavalent uranium can exist in the form of several different chemical species. Furthermore, species distributions depend on the pH value of the aqueous solution. Representatively, UO₂²⁺, UO₂OH⁺, (UO₂)₂(OH)₂²⁺, and (UO₂)₃(OH)₅⁺ species coexist in solutions at acidic and circumneutral pH values. When amorphous silica particles are suspended in an aqueous solution, the dissolved chemical species are easily adsorbed onto silica surfaces. In this study, it was examined whether the species distribution of the adsorbed U(VI) on a silica surface followed that of the dissolved U(VI) in an aqueous solution. Time-resolved luminescence spectra of three different dissolved species (UO₂²⁺, UO₂OH⁺, and (UO₂)₃(OH)₅⁺) and two different adsorbed species (≡SiO₂UO₂, ≡SiO₂(UO₂)OH^-, or ≡SiO₂(UO₂)₃(OH)^5-) were measured in the pH range 3.5-7.5. The spectral shapes of these chemical species were compared by changing the pH value; consequently, it was confirmed that the species distribution of the adsorbed U(VI) species was different from that of the dissolved U(VI) species.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.151-152
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• 2010

극성 [0001] 방향으로 성장 된 질화물 기반의 LEDs (light emitting diodes) 는 분극현상에 의해 발생하는 강한 내부 전기장의 영향을 받게 된다. 이러한 내부 전기장은 양자우물 내의 전자와 정공의 공간적 분리를 야기하고 quantum confined Stark effect (QCSE) 에 의한 발광 파장의 적색 편이가 발생하며 양자효율의 저하를 가져오게 된다. 이러한 문제를 해결하기 위해 양자 우물구조를 GaN 의 m-plane (100) 이나 a-plane (110) 등 비극성면 위에 성장하려는 시도를 하고 있다. 그러나 비극성면의 비등방성 (anisotropy) 으로 인하여 결정성이 높은 비극성 GaN을 성장하는 데에는 많은 어려움이 있다. 비극성 a-plane GaN 의 결정성과 표면 거칠기의 향상을 위해 경사각을 가지는 r-plane 사파이어를 기판으로 이용하는 연구들이 많이 진행되어 있다 [1-4]. 그러나 r-plane 사파이어 기판의 경사각과 표면의 pit 형성에 관한 상관관계의 체계적인 연구는 상대적으로 많이 진행되지 않았다. 본 연구에서는 경사각을 가진 r-plane 사파이어 기판에 유기금속화학증착법을 (MOCVD) 이용하여 a-plane GaN 을 성장하였으며, 성장 시 기판의 경사각이 a-plane GaN의 성장 거동 및 표면형상에 미치는 영향을 분석하였다. 본 실험에서는r-plane에서 m-axis방향으로 0도에서 -0.65도의 경사각을 가지는 r-plane 사파이어 기판을 이용하였다. a-plane GaN 성장에는 고온 GaN 핵 형성층을 (nucleation layer) 이용하는 2단계 성장 법이 사용되었다 [5]. -0.37도 보다 크기가 큰 경사각을 가진 r-plane 사파이어에 성장된 a-plane GaN의 표면에는 수 ${\mu}m$ 크기의 삼각형 형태의 pit이 형성되었다. 사파이어의 경사각이 -0.37도에서 -0.65도로 증가하였을 경우에, GaN의 m방향 X-ray 록킹커브 반치폭은1763 arcsec에서 1515 arcsec로 감소하였으나 표면에 삼각형 pit의 밀도는 103 cm-2 이하에서 $2{\times}106$ cm-2으로 증가하였다. 이러한 r -plane 사파이어 기판의 경사각의 차이로 표면에 pit이 발생과 결정성변화의 원인을 확인하기 위해서, 여러가지 다른 경사각을 가진 사파이어 기판의 표면에 성장된 핵 형성층의 표면 양상을 확인하였다. 발표에서는 경사각의 차이에 따른 기판 표면에서의 원자 step 구조와 GaN 의 핵 형성 간의 상관관계에 대하여 구체적으로 논의할 것이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.123-123
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• 2010

3족 질화물계 물질은 발광다이오드와 같은 광전자소자적용에 있어서 매우 우수한물 질이다.일반적으로, GaN 에피 성장에 있어서 저온 중간층을 삽입한 2 단계 성장 방법은 낮은 결함밀도와 균일한 표면을 얻기 위해 도입된 기술이다. 특히 AlN 중간층은 GaN 중간층과 비교하였을 때 결정성뿐만 아니라 높은 온도에서의 열적안정성, GaN 기반의 자외선 검출기서의빛 흡수 감소 등의 장점을 가지고 있다. 또한 패턴 사파이어 기판위 GaN 에피 성장은 측면성장 효과를 통해 결함 밀도 감소와 광 추출 효율을 향상시키는 것으로 알려져 있다.또한 열응력으로 인한 기판의 휨 현상은 박막성장중 기판의 온도 분포를 불균일하게 만드는 원인이 되며 이는 결국 박막 조성 및 결정성의 열화를 유도하게 되고 최종적으로 소자특성을 떨어 뜨리는 원인이 되는데 AlN 중간층의 도입으로 이것을 완화시킬 수 있는 효과가 있다. 하지만, AlN 중간층이 패턴된 기판 위에 성장시킨 GaN 에피층에 미치는 영향은 명확하지 않다. 본 연구팀은 일반적인 c-plane 사파이어 기판과 플라즈마 건식 에칭을 통한 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판을 이용해서 AlN 중간층과 GaN 에피층을 유기금속 화학기상증착법으로 성장하였다. 특히, 렌즈 모양의 패턴된 사파이어 기판은 패턴 모양과 패턴 밀도가 성장에 미치는 영향을 연구하기 위해 두가지 패턴의 사파이어 기판을 이용하였다. AlN 중간층 두께를 조절함으로써 최적화된 GaN 에피층을 90분까지 4단계로 시간 변화를 주어 성장 양상을 관찰한 결과, GaN 에피박막의 성장은 패턴 기판의 trench 부분에서 시작하여 기판의 패턴부분을 덮는 측면 성장을 보이고있다. 또한 TEM과 CL을 통해 GaN 에피박막의 관통 전위를 분석해 본 결과 측면 성장과정에서 성장 방향을 따라 옆으로 휘게 됨으로 표면까지 도달하는 결정결함의 수가 획기적으로 줄어드는 것을 확인함으로써 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다. 그리고 패턴밀도가 높고 모양이 볼록할수록 측면 성장 효과로 인한 결정성 향상과 난반사 증가를 통한 임계각 증가로 광추출 효율이 향상 되는 것을 확인할 수 있었다. 이러한 결과를 바탕으로 최적화된 AlN 중간층을 이용하여 패턴 기판위에서 고품질의 GaN 에피층을 성장시킬 수 있었다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.02a
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• pp.165-165
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• 2010

$1.55\;{\mu}m$ 대역의 레이저 다이오드를 제작하기 위해, InP(001) 기판에 InAlGaAs 물질을 장벽층으로 하는 InAs 양자점 구조를 분자선증착기 (MBE)를 이용하여 성장하고 구조 및 광학적 특성을 Double Crystal X-ray Diffraction (DCXRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Photoluminescence (PL)을 이용하여 평가하였다. 일반적으로 InAlGaAs 물질은 고유한 상분리 현상 (Phase Separation)이 나타나는 특성이 있으며, 이는 양자점 성장에 중요한 요인으로 작용할 수 있다. 이러한 InAlGaAs 물질의 상분리 현상을 기판온도 ($540^{\circ}C$, $555^{\circ}C$, $570^{\circ}C$)를 비롯한 성장변수를 변화시켜 제어하고 InAs 양자점 형성에 어떠한 영향을 미치는지를 분석하였다. 540의 성장온도에서 InP(001) 기판에 격자정합한 InAlGaAs 장벽층이 성장온도를 $570^{\circ}C$로 증가시킬 경우 기판에 대하여 인장 응력 (Tensile Strain)을 받는 구조로 변화되었다. 인장응력을 받는 InAlGaAs 장벽층을 Ga Flux 양을 조절하여 격자정합한 InAlGaAs 층을 형성할 수 있었다. AFM을 통한 표면 형상 분석 결과, 서로 다른 기판온도에서 성장한 InAlGaAs 물질이 InP(001) 기판에 격자정합 조건일지라도 표면의 거칠기 (Surface Roughness)는 매우 다른 양상을 보였고 InAs 양자점 형성에 직접적으로 영향을 주었다. $570^{\circ}C$에서 성장한 InAlGaAs 위에 형성한 InAs 양자점의 가로방향 크기를 세로방향 크기로 나눈 비율이 1.03으로서, 555와 $540^{\circ}C$의 1.375 와 1.636와 비교할 때 모양 대칭성이 현저히 개선된 것을 알 수 있다. 상분리 현상이 줄어 표면 거칠기가 좋은 InAlGaAs 위에 양자점을 형성할 때 원자들의 이동도가 상대적으로 높아 InAs 양자점의 크기가 증가하고, 밀도가 감소하는 현상이 나타났다. 또한 InAlGaAs 장벽층이 InP(001) 기판을 기준으로 응력 (Compressive 또는 Tensile)이 존재하는 경우, InAs 양자점 모양이 격자정합 조건 보다 비대칭적으로 변하는 특성을 보여 주었다. 이로부터, 대칭성이 개선된 InAs 양자점 형성에 InAlGaAs 장벽층의 표면 거칠기와 응력이 중요한 변수로 작용함을 확인 할 수 있었다. PL 측정 결과, 발광파장은 $1.61\;{\mu}m$로 InAs 양자구조 형상에 따라 광강도 (Intensity), 반치폭 (Line-width broadening) 등이 변화 되었다.

• Journal of Sasang Constitutional Medicine
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• v.8 no.1
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• pp.295-317
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• 1996

It is researched to elucidate the effects of Taeumjowuitang(TE,太陰調胃湯), Sibimikwanjungtang(SE, 十二味寬中湯) and Yangkeogsanwhatang(SY,凉膈散火湯) on the obesity induced by gold thioglucose and the differentiation and growth of preadipocyte 3T3-L1 in the mouse. The result were as follows: 1. TE,SE and SY extracts improved the blood level of transaminase in the obese mouse induced by gold thioglucose. 2. TE,SE and SY extracts inhibited the increase of liver fat and body fat in the obese mouse induced by gold thioglucose. 3. TE,SE and SY extracts inhibited the increase of body weight in the obese mouse induced by gold thioglucose. 4. TE,SE and SY extracts inhibited the growth of undifferentiate preadipocyte 3T3-L1. 5. TE,SE and SY extracts showed inhibitory effect on the differentiation of preadipocyte 3T3-L1. The above results suggest that the TE,SE and SY extracts may be used on the obesity induced by the overgrowth and differentiation of adipocyte, and the accumulation of fat in liver and body.