• Proceedings of the Korean Society of Postharvest Science and Technology of Agricultural Products Conference
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• 2003.10a
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• pp.195-195
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• 2003

본 연구는 수출방법의 개선과 절임 가공식품의 개발하고자 일본 수출용 시키부(Shikibu) 염절임 가지의 저장방법과 저장중에 당류, 유기산 및 아미노산의 변화를 분석하였다. 총당 및 환원당 함량은 저장방법에 관계없이 저장기간이 길어질수록 조금씩 감소하였고, 침지 저장한 것보다는 진공포장하여 저장한 것이 변화가 적었다. 가지에서 분리 정량된 유기산은 acetic acid, citric acid, lactic acid, malic acid 그리고 succinic acid 총 5종이었으며 acetic acid와 malic acid의 함량이 가장 높았으며, 저장기간이 길어질수록 저장 초기에 비해 acetic acid의 함량은 증가하였는데 반해 malic acid의 함량은 감소하였다. 가지의 주요한 구성아미노산은 valine, leucine, aspartic acid, glutamic acid, proline, alanine 등이었으며, 필수아미노산 함량은 저장기간이 길어질수록 저장 초기에 비해 진공포장하여 저장한 방법에서는 감소하였다가 증가하였는데 반해 침지하여 저장한 방법에서는 계속 증가하였고 저장 20일째에는 진공포장한 방법보다 l00mg/100g 정도의 차이를 나타내었다. 유리아미노산은 aspartic acid, alanine, cystine과 proline등의 함량이 높았고, 저장 기간이 길어질수록 저장초기에 비해 유리아미노산의 함량이 증가하였는데, 특히 진공 포장하여 저장한 가지에 비해 침지 저장 한 가지에서 그 함량이 높았다. 또한 아미노산 유도체의 함량은 phosphoserine, taurine, ${\gamma}$-aminoisobutyric acid 및 hydroxyproline의 함량이 높았고, 저장중에 phosphoserine의 함량은 감소하였는데 반해 ${\gamma}$-aminoisobutyric acid는 진공포장하여 20일 동안 저장하였더니 생가지 보다 5배 이상의 증가를 보였다. 스키부품종의 절임가지의 저장방법과 저장기간에 따른 성분의 변화를 고려할 때 축양품종과 동일하게 진공포장하는 것이 절임가지의 품질유지할 수 있는 것으로 생각된다.

• Proceedings of the Korean Society of Postharvest Science and Technology of Agricultural Products Conference
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• 2003.10a
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• pp.194.2-195
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• 2003

본 연구는 수출방법의 개선과 절임 가공식품의 개발하고자 일본 수출용으로 재배하고 있는 축양종의 절임가지의 저장방법과 저장 중에 당류, 유기산 및 아미노산의 변화를 분석하였다. 총당 함량과 환원당 함량은 저장방법에 관계없이 저장기간이 길어질수록 조금씩 감소하였고, 침지 저장한 것보다는 진공포장하여 저장한 것이 변화가 적었다. 가지에서 분리 정량된 유기산은 acetic acid, citric acid, lactic acid, malic acid 그리고 succinic acid 총 5종이었으며 acetic acid와 malic acid의 함량이 가장 높았으며, 저장기간이 길어질수록 저장 초기에 비해 acetic acid의 함량은 증가하였는데 반해 malic acid의 함량은 감소하였다. 가지의 주요한 구성아미노산은 valine, aspartic acid, glutamic acid, glycine, alanine 등이었으며, 총아미노산 함량은 진공포장하여 저장한 경우에는 저장 20 일째 1488.14mg/100g으로 생가지보다도 증가하였는데 반해 침지하여 저장한 경우에는 총 아미노산 함량이 745.42mg/100g으로 서 저장 초기에 비해 감소함을 나타내었다. 유리아미노산은 aspartic acid, alanine, cystine과 proline 등의 함량이 높았고, 저장 기간이 길어질수록 저장초기에 비해 유리아미노산의 함량이 증가하였는데, 특히 진공 포장하여 저장한 가지에 비해 침지 저장 한 가지에서 그 함량이 높았다. 또한 아미노산 유도체의 함량은 phosphoserine, taurine, ${\gamma}$-aminoisobutyric acid 및 hydroxyproline의 함량이 높았고, 저장중에 phosphoserine의 함량은 감소하였는데 반해 ${\gamma}$-aminoisobutyric acid는 증가하였다. 축양품종의 절임가지의 저장방법과 저장기간에 따른 성분의 변화를 고려할 때 진공포장하는 것이 절임가지의 품질 유지할 수 있는 것으로 생각된다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2009.02a
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• pp.116-116
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• 2009

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2008.02a
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• pp.302-302
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• 2008

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2007.08a
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• pp.238-238
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• 2007

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2016.02a
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• pp.239.1-239.1
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• 2016

본 연구에서는 stretchable OLED를 구현하기 위해 배선 전극으로 사용 가능한 반투명 스트레처블 Ag 전극의 특성을 연구하였다. 스트레처블 Ag 전극은 Polydimethylsiloxane(PDMS) 기판을 사용하였으며, UV 처리를 통해 wavy패턴을 가지는 PDMS 기판을 제작하여 신축성을 향상시키고, 이를 일반 PDMS 기판과 비교하였다. 만들어진 두 종류의 PDMS 기판 위에 연성과 전성의 특성을 지닌 Ag를 sputtering방법을 이용하여 두께 변수로 제작하였고 전극의 전기적, 광학적, 표면적, 기계적 특성에 대한 평가를 진행하였다. 최적화된 반투명 스트레처블 Ag 전극은 가해진 strain에 따라 투과도가 변화하여 30%의 strain을 가한 상태에서 30%의 광투과율을 보였으며, 일반 PDMS기판을 적용한 전극보다 더 낮은 저항변화율을 나타냄을 알 수 있었다. 또한 다양한 신축성 테스트(Strain test, Hysteresis test, Dynamic fatigue test)와 Field Emission Scanning Electron Microscope(FE-SEM)분석법을 통해 wavy패턴이 있는 PDMS 기판을 적용한 Ag 전극이 일반 PDMS 기판을 적용한 Ag 전극보다 더 높은 신축성을 가지는 것을 확인하였다. 이를 통해 반투명 스트레처블 Ag 전극이 차세대 stretchable OLED용 배선전극으로 적용될 가능성을 확인하였다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2014.02a
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• pp.308.2-308.2
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• 2014

최근 III-N계 물질 기반의 광 반도체 중 m-면 사파이어 기판을 사용하여 반극성 (11-22) GaN박막을 성장하는 광반도체의 발광효율을 높이려는 연구가 많이 진행되고 있다. 하지만, 반극성 (11-22) GaN와 m-면 사파이어 기판과의 큰 격자상수 차이와 결정학적 이방성의 차이에 의해 많은 결정 결함이 발생하게 된다. 이러한 결정결함들은 반극성 LED소자내에서 누설전류 및 비발광 재결합, 순방향전압 등의 소자특성을 저하시키는 큰 요인이 되기 때문에 고효율 발광소자를 제작함에 있어 어려움을 야기시킨다. 이러한, 반극성 LED 소자의 효율 향상을 위해 결함 분석에 대한 연구를 주를 이루고 있는 상황으로, n-GaN층에 Si도핑에 관한 연구가 진행되고 있다. 이미 극성과 비극성에서는 n-GaN층에 Si이 도핑이 증가될수록 결정질이 향상되고, 양자우물의 계면의 질도 향상 되었다는 보고가 있다. 본 연구에서는 반극성 (11-22) GaN 기반의 발광소자를 제작함에 있어 n-GaN 층의 도핑 농도 변화를 통한 반극성 GaN 박막의 결정성 및 전기적 특성 변화에 따른 LED소자의 전계 발광 특성에 대한 연구를 진행하였다. 금속유기화학증착법을 이용하여 m-면 사파이어 기판에 $2.0{\mu}m$두께의 반극성 (11-22) GaN 박막을 저온 GaN완충층이 존재하지 않는 고온 1단계 성장법을 기반으로 성장하였다.[3] 이후, $2.0{\mu}m$ 반극성 (11-22) GaN 박막 위에 $3.5{\mu}m$ 두께의 n-GaN 층을 성장시켰다. 이때, n-형 도펀트로 SiH4 가스를 4.9, 9.8, 19.6, 39.2 sccm으로 변화하여 성장하였다. 이 4가지 반극성 (11-22) n-GaN 템플릿을 이용하여 동일 구조의 InGaN/GaN 다중양자우물구조와 p-GaN을 성장하여 LED 구조를 제작하였다. X-선 ${\omega}$-rocking curve를 분석한 결과, 이러한 특성은 반극성 (11-22) n-GaN층의 Si 도핑농도 증가에 따라서 각 (0002), (11-20), (10-10) 면에서 결정 결함이 감소하고, 반극성 (11-22) n형 GaN템플릿을 이용하여 성장된 반극성 GaN계 LED소자는 20mA인가 시 도핑 농도 증가에 따라 9.2 V에서 5.8 V로 전압이 감소하였으며 역방향 전류에서도 누설전류가 감소함이 확인되었다. 또한, 전계 발광세기도 증가하였는데, 이는 반극성 n형 GaN박막의 실리콘 도핑농도 증가에 따라 하부 GaN층의 결정성이 향상과 더불어 광학적 특성이 향상되고, n형 GaN층의 전자 농도 및 이동도의 동시 증가에 따라 전기적 특성이 향상 됨에 따라 LED소자의 전계 발광 특성이 향상된 것으로 판단된다.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.6 no.2
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• pp.165-171
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• 1997

If the thickness of Pd deposited is larger than 9$\AA$, its phase is $Pd_3Si$. This phase is followed by pure Pd phase with further deposition of Pd. Also, when the thickness of Pd deposited on top of Si(111) is larger than 1$\AA$, the phase of Pd-silicide formed is found to be Pd2Si. The full width at half maximum of Pd 3d core-levels increases with decreasing of Pd film thickness at low coverages ($\leq0.5\AA$). This is due to the formation of additional phase of Pd silicide, i.e. PdSi, in addition to $Pd_2Si$.

• Journal of the Korean Vacuum Society
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• v.1 no.3
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• pp.346-352
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• 1992

반자성 반도체인 MnxCd1-xGa2Se4의 단결정을 조성비 ( $0leq$ $X \leq$ 1) 영역에서 TVTP(time-varying temperature profile)에 의한 화학수송법으로 성장하였다. 성장된 단결정 은 자연면을 갖은 경면으로 성장되었으며, X = 1.0 경우인 단결정의 크기는 12 $\times$ 6 $\times$ 1.5mm3이었다. MnxCd1-xGa2Se4의 결정구조는 defect chalcopyrite 구조이었으며, 조성비 X 가 증가함에 따라 격자상수 a는 선형적으로 감소하고, 격자상수 c는 증가하였다. 또한 distortion factor 2-(c/a)는 감소하였다.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2004.07b
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• pp.865-868
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• 2004

열 진공 증착법(thermal vacuum evaporation)에 의해 p-형 열전박막을 $3{\times}10^{-4}{\sim}3{\times}10^{-6}$ Torr의 범위에서 유리 기판 위에 제조하였다. 제조된 박막의 전기저항은 고진공일수록 저항이 증가하였으며, $Bi_2Te_3$와 $Sb_2Te_3$상을 가지고 있었다. 박막의 조성은 기판의 위치에 따라 변화하였고, 원자 번호가 작을수록 위치의 영향이 크고, 반대로 원자번호가 큰 원소는 그 영향이 작았다. 또한 고진공에서 제조된 박막일수록 상대적으로 저진공에 비해 조성의 변화가 적게 나타났다.