• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2010.08a
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• pp.148-148
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• 2010

GaN와 SiC 반도체는 band gap이 넓고 주파수 특성이 우수하여 미국, 유럽, 일본등 선진국에서는 기존의 GaAs나 InP에 이어 차세대 화합물 반도체 플랫폼(next generation compound semiconductor platform)으로서 연구개발 테마로 각광을 받고 있다. 미국의 경우 잘 알려진 국가 대형프로젝트인 WBGS-RF program (2003~2010, 7년)의 종료와 함께 새로운 NEXT program(2009~2014, 5년)을 지난 해 시작하였으며, 유럽은 KORRIGAN program (2005~2009, 5년)에서 연구개발된 기술에 대하여 후속인 MANGA program (2010~2014, 3.5년)을 통하여 GaN 반도체의 양산체제 구축을 위한 대형 연방 프로젝트를 시작하였다. 따라서 본 논문발표에서는 지난 10년 동안 그리고 향후 5년간 2014년까지 미국 국방성과 유럽연방 국방성에서 지원하고 있는 대형 국가 프로젝트인 GaN 전자소자 연구개발 프로그램과 연구개발 동향 분석을 통하여 대한민국이 나아가야 할 차세대 화합물 반도체 플랫폼인 GaN 전자소자의 연구개발 방향을 제시하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2015.08a
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• pp.202.2-202.2
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• 2015

현재 반도체 산업 전반에 걸쳐 사용되고 있는 실리콘등의 3차원 반도체 물질은 반도체 공정 기술의 발전에 따른 물질적인 한계에 부딪히고 있다. 이러한 물질적인 한계를 극복하기 위하여 Graphene과 같은 2차원 물질 중 전이금속 칼코게나이드 화합물(TMD)의 반도체 특성이 뛰어나 실리콘 등을 대체할 차세대 나노 반도체 물질로 활발한 연구가 이루어지고 있다. 특히 기존 반도체를 도핑시키기 위하여 사용되었던 이온 주입 공정은 TMD의 결정구조에 심각한 손상을 가하여 이를 대체할 새로운 도핑 방법에 대한 연구가 활발히 이루어지고 있다. 우리는 이번 연구에서 기존에 유기반도체 물질로 연구되었던 pentacene을 도핑층으로 활용하고 Raman 분광법 및 전기 측정 등을 통하여 TMD물질이 금속화 되지 않는 정도의 매우 낮은 p형 도핑 현상을 확인하였다. 또한 시간에 따른 측정을 통하여 pentacene의 p형 도핑현상이 필름 증착 직후에는 미약하지만 시간이 지나면서 점점 강해지는 것을 발견하였다.. 이는 도핑현상이 pentacene의 구조에 의해 주로 일어나는 것으로 시간이 지남에 따라 대기중의 수분에 의해 생성된 pentacene 산화물들이 도핑 현상을 증가 시키는 원인으로 보인다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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• v.38 no.5
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• pp.26-26
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• 2001

온도에 따른 반도체 에너지갭의 변화를 디지털 영상처리를 이용해 직접 측정하는 적외선 영상기법을 제안하고 있다. 본 방법은 반도체 에너지갭의 온도계수를 경제적이고 간단하게 평가할 수 있도록 한다. 본 기법의 핵심 구성 부품은 다색광원기(Polychromator), 프레임 그래버가 내장된 컴퓨터 및 가변 온도 저온유지장치(Cryostat)이다. 방법의 타당성을 검증하기 위해 LEC 방법으로 제조한 GaAs에 시험적으로 행한 실험은 온도 계수가 이론 모델에서 구한 값과 전반적으로 잘 일치함을 보여 주었다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.25 no.2
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• pp.142-151
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• 2010

LED는 화합물 반도체 특성을 이용해, 전기신호를 적외선 또는 빛으로 주고 받는 반도체의 일종으로 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다. LED는 최근 컴퓨터, 냉장고, 가로등, 주택용 일반 조명에 이르기까지 반도체산업을 뛰어넘을 차세대 산업군으로 주목받고 있다. LED 조명산업은 저탄소 녹색성장의 핵심축이고, 무(無)수은 친환경 아이템으로 포스트 교토의 기후협약, 저탄소사회 구현을 앞당기는 미래산업이다. 본 고에서는 LED 조명의 가치사슬 및 국내외 산업 구조를 분석하고 결론에서 시사점을 도출하고자 한다.

• The Science & Technology
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• v.32 no.9 s.364
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• pp.86-89
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• 1999

제3회 국제 질화물 반도체 학술회의가 지난 7월5일부터 5일동안 프랑스 남부 지중해 연안에 있는 몽펠리에서 열렸다. 이번 학술회의에 한국대표로 참가한 성균관대 부진효교수는 '우리나라가 시급히 해결할 문제는 화합물 반도체의 박막성장기술을 빠른 시일내에 제품으로 연결시켜야하며 이를 위해서는 독자적인 연구에서 벗어나 산ㆍ학ㆍ연연구그룹을 형성하여 국가의 전략과제로 연구를 진행시켜야 한다"고 주장했다.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.8 no.5
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• pp.658-663
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• 1995

전자재료라 총칭하는 재료의 종류는 셀 수 없을 정도로 많다. 대표적인 전자재료로는 반도체재료를 들 수 있으며 다음으로는 전기광학 소자의 재료로 쓰이는 여러가지 광학용 단결정, 그리고 저항이나 축전지 등의 제조에 사용되는 여러가지 재료들도 이에 포함된다. 이러한 전자재료의 특성을 평가하는 방법도 여러가지 있겠으나 여기에서는 그 범위를 임의로 반도체레이저의 제조에 사용되는 화합물반도체에 국한시켜 각 공정별로 이떠한 평가방법이 사용되는지, 그리고 각각의 특성평가 방법에 대하여 간략하게 알아보기로 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2000.02a
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• pp.32-32
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• 2000

본 발표에서는 (주)한백을 소개하고자 한다. 회사의 연혁 및 생산 품목, 부설연구소를 간략히 소개할 예정이다. (주)한백은 반도체 제조장비 및 진공시스템 개발에 있어 타사와 구별되는 창의성을 부여 해당 분야의 첨단기술 개발에 이어 독자적 기술영역을 확보해 나감으로써, 반도체 공정기술의 선두 기업으로서의 기술 개발에 전 가족들의 정렬과 노력을 아끼지 않고 있다. MOCVD 시스템을 비롯한 장비의 상용화를 실현하고 있으며 각종 과제 수행과 산학연 컨소시엄을 통한 공동연구에도 적극 참여하고 있다.

• Journal of the Korean Electrochemical Society
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• v.8 no.3
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• pp.135-138
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• 2005

We investigated the electrochemical formation of a stoichiometric III-V compound semiconductor of InSb from an aqueous citric solution. Under an? optimized electrochemical condition, not like other research results, the electrodeposited InSb are satisfied exactly with the stoichiometry. Furthermore it retains the inherent characteristics of III-V compound semiconductor, InSb without heat treatment. EPMA, XPS and XRD were employed for confirmation of its composition/stoichiometry, chemical state, and crystallographic orientation, respectively.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2013.02a
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• pp.340-341
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• 2013

양자점(Quantum dots; QDs)은 단전자 트랜지스터, 레이저, 발광다이오드, 적외선 검출기와 같은 고효율 광전소자 응용을 위해 활발한 연구가 진행되고 있다. II-VI 족 화합물 반도체는 III-V 족 화합물 반도체와 비교했을 때 더 큰 엑시톤 결합에너지(exciton binding energy)를 가지는 우수한 특성을 보이고 있으며 이러한 성질을 가지는 II-VI 족 화합물 반도체 중에서도 넓은 에너지 갭을 가지는 CdTe 양자점은 녹색 영역대의 광전자 소자로서 활용되고 있다. 기존의 CdTe/ZnTe 양자점을 성장하기 위해 ZnTe와 격자부정합이 적은 GaAs 기판을 이용한 연구가 주를 이룬 반면 Si기판을 이용한 연구는 미흡하다. 하지만 Si 기판은 GaAs 기판에 비해 값이 싸고, 여러 분야에 응용이 가능하며 대량생산이 가능하다는 이점을 가지고 있어 초고속, 초고효율 반도체 광전소자의 제작을 가능케 할 것으로 기대된다. 또한 양자점의 고효율 광전소자에 응용을 위해서는 Si 기판 위에 양자점의 크기를 효율적으로 조절하는 연구 뿐 아니라 양자점의 크기에 따른 운반자 동역학에 대한 연구도 중요하다. 본 연구에선 분자선 에피 성장법(Molecular Beam Epitaxy; MBE)과 원자층 교대 성장법(Atomic Layer Epitaxy; ALE)을 이용하여 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 광학적 특성을 연구하였다. 저온 광 루미네센스(PhotoLuminescence; PL) 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 더 낮은 에너지영역으로 피크가 이동하는 것을 확인하였다. 그리고 온도 의존 광루미네센스 측정 결과 양자점의 크기가 증가함에 따라 열적 활성화 에너지가 증가하는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 운반자 구속효과가 증가하였기 때문이다. 또한 시분해 광루미네센스 측정 결과 CdTe/ZnTe 양자점의 크기가 증가함에 따라 소멸 시간이 긴 값을 갖는 것을 관찰하였는데, 이는 양자점의 크기가 증가함에 따라 엑시톤 진동 세기가 감소하였기 때문이다. 이와 같은 결과 Si 기판 위에 성장한 CdTe/ZnTe 양자점의 크기에 따른 열적 활성화 에너지와 운반자 동역학에 대해 이해 할 수 있었다.

• ETRI Journal
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• v.8 no.4
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• pp.68-94
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• 1986