• The Magazine of the IEIE
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• v.5 no.1
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• pp.46-52
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• 1978

마이크로 프로세서 (micro-pocessor)와 LSI(Large scale integrated circuit) 등 반도체 기술의 발달은 교환시스템의 발전에 중요한 영향을 주었고 특히 마이크로 프로세서는 소용양(500회선 미만)의 사설교환기와 각종 교환시스템의 부분적 기능장치나 부대장치등에 광범위하게 응용되고 있다. 본문은 이들 반도체 부품을 이용하므로서 기계식 사설교환기(PABX)나 키-폰을 대체할 수 있고 가격, 크기, 및 성능 상으로볼때 매우 시장성이 높은 소용량 사설자동교환기인 OPEX-50/100에 대하여 기술하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2004.05a
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• pp.169-173
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• 2004

Rotating Compensator Ellipsometry에 회전하는 시편 홀더를 갖추었을 때 uniaxial한 시편의 광축과 retardance를 측정하는 것이 매우 간단해진다. 이것은 Dual Rotating Compensator Transmission Ellipsometry의 self-calibration과정과 흡사하기 때문이다. 기존의 ellipsometry가 광학 부품들의 입사면에 대한 방위각을 찾는 복잡한 calibration과정과 비등방성 시편의 고속축의 방향을 찾아야 하는 수고를 필요로 하지만 rotating sample and compensator ellipsometry는 self-calibration과 자동으로 고속축의 방향을 찾기 때문에 매우 편리하다. 우리는 이 기술를 정렬된 액정display panel에 적용하여 ~$0.4^{\circ}$ 의 작은 retardance 간을 측정할 수 있었다.

• Electronics and Telecommunications Trends
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• v.24 no.6
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• pp.11-21
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• 2009

에너지를 절약하고 제품을 축소하기 위하여 전력공급 장치나 전력변환 장치에 사용되는 전력반도체는 전력용 파워스위칭 소자와 제어 IC로 구성되어 전력을 시스템에 맞게 배분하는 제어와 변환기능을 가진 반도체로 단순히 전력을 조절하고 전달하는 역할에서 에너지효율 제고 및 시스템 안정성과 신뢰성을 좌우하는 역할로 확장되어 가고 있고, 교토의정서 등의 지구 온난화 방지노력과 글로벌 환경규제의 확대로 친환경 절전형 부품/시스템 개발이 절실히 요구되는 실정이다. 이에 따라, 본 고에서는 스마트환경, 그린에너지, 예방진단 등 미래 인간생활 대응을 통해 신기술 및 신시장을 창출하는 신성장 동력 분야인 저전력, 고효율, 저발열, 저소음 등 환경 친화적으로 동작하여 에너지 효율 및 $CO_2$ 배출에 직접적인 영향을 미치는 친환경 절전형 전력반도체 기술 동향에 대해 논의하고자 한다.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2009.05a
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• pp.845-848
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• 2009

Power semiconductor devices are semiconductor devices used as switches or rectifiers in power electronics circuits. Theyare also caleed power devices or when used in integrated circuits, called power ICs. Some common power devices are the power diode, thyristor, power MOSFET and IGBT (insulated gate bipolar transistor). A power diode or MOSFET operates on similar principles to its low-power counterpart, but is able to carry a larger amount of current and typically is able to support a larger reverse-bias voltage in the off-state. Structural changes are often made in power devices to accommodate the higher current density, higher power dissipation and/or higher reverse breakdown voltage. The vast majority of the discrete (i.e non integrated) power devices are built using a vertical structure, whereas small-signal devices employ a lateral structure. With the vertical structure, the current rating of the device is proportional to its area, and the voltage blocking capability is achieved in the height of the die. With this structure, one of the connections of the device is located on the bottom of the semiconductor.

• Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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• v.24 no.1
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• pp.57-65
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• 2017

The electronic components in mobile device are composed of electronic chips and various other materials. These components become extremely thin and the constituent materials have different coefficient of thermal expansion, so that considerable warpages occurs easily due to temperature change or external load. Shadow $moir{\acute{e}}$ is non-contact, whole field technique for measuring out-of-plane displacement, but the measurement sensitivity is not less than $50{\mu}m/fringe$, which is not suitable for measuring the warpage of the electronic components. In this paper, we implemented a measurement method with enhanced sensitivity of $25{\mu}m/fringe$ by investigating and optimizing various experimental conditions of the shadow $moir{\acute{e}}$. In addition, four $moir{\acute{e}}$ fringe patterns recorded by the phase shift are processes to obtain a $moir{\acute{e}}$ fringe patterns with a sensitivity four times higher. The measurement technique is applied to small electronic components of a smart phone for measuring warpage with a high sensitivity of $5{\mu}m/fringe$ at room temperature and at the temperature of $100^{\circ}C$.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.21 no.4
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• pp.81-85
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• 2022

Mist-CVD is known to have advantages of low cost and high productivity method since the precursor solution is misting with an ultrasonic generator and reacted on the substrate under vacuum-free conditions of atmospheric pressure. However, since the deposition distribution is not uniform, various efforts have been made to derive optimal conditions by changing the angle of the substrate and the position of the outlet to improve the result of the preceding study. Therefore, in this study, a deposition distribution uniformity model was derived through the shape and position of the substrate support and the conditions of inlet flow rate using the particle tracking method of computational fluid dynamics (CFD). The results of analysis were compared with the previous studies through experiment. It was confirmed that the rate of deposition area was improved from 38.7% to 100%, and the rate of deposition uniformity was 79.07% which was higher than the predicted result of simulation. Particle tracking method can reduce trial and error in experiments and can be considered as a reliable prediction method.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.21 no.3
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• pp.101-104
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• 2022

Mist-CVD is known to have advantages of low cost and high productivity compared to ALD and PECVD methods. It is capable of reacting to the substrate by misting an aqueous solution using ultrasonic waves under vacuum-free conditions of atmospheric pressure. In particular, Ga₂O₃ is regarded as advanced power semiconductor material because of its high quality of transmittance, and excellent electrical conductivity through N-type doping. In this study, Computational Fluid Dynamics were used to predict the uniformity of the thin film on a large-area substrate. And also the deposition pattern and uniformity were analyzed using the flow velocity and particle tracking method. The uniformity was confirmed by quantifying the deposition cross section with an FIB-SEM, and the consistency of the uniformity prediction was secured through the analysis of the CFD distribution. With the analysis and experimental results, the match rate of deposition area was 80.14% and the match rate of deposition thickness was 55.32%. As the experimental and analysis results were consistent, it was confirmed that it is possible to predict the deposition thickness uniformity of Mist-CVD.

• Information and Communications Magazine
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• v.34 no.5
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• pp.10-18
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• 2017

본고에서는 자율주행 완성차와 자율주행 융합 부품 관련 기술과 국내외의 자율주행자동차 산업정책과 기술 개발 동향을 살펴본다. 자율주행 차량은 고안전, 고편의, 친환경, 신생태계의 자동차 산업에서의 4가지 미래 키워드를 만족시키는 기술로서 국가차원의 전략적 양성이 필요하다. 자율주행자동차 산업은 자동차 산업 생산기반 및 우리나라의 IT, 반도체 등의 기술 활용이 가능하며, 아직 상용화 되지 않은 분야로서 자율주행 분야의 상용화 기술 조기 확보 시 세계시장을 선점 할 수 있다. 따라서 자율주행 완성차 및 부품업체 등의 복수 수요기관이 참여하여 중소, 중견 부품업체 수요처 다각화 및 생태계 체질 개선, 자율주행 핵심부품 및 제어를 위한 SW 등 원천기술 확보 및 수입대체, 자율주행 기술과 관련 센서 선도기술 개발 및 글로벌 중견기업 육성을 기대 할 수 있다. 또한 빠르게 자율주행자동차 관련 기술개발이 진행되고 전장 부품이 자동차에서 차지하는 비중이 커짐에 따라 서로 연결되어 동작하는 전기전자 시스템의 기능안전 확보의 필요성이 대두되고 있다. 이미 해외에서는 자동차 전자제어 시스템 의무 장착을 강화시키는 추세이며 차량 안전 확보를 위해 전자제어장치의 기능 안정성의 중요성과 기술 표준의 필요성을 기반으로 자동차 기능 안전선 국제 표준을 규격화하고 있다. 따라서 본고에서는 국내외의 자율주행차량 분야의 산업 현황과 기술 동향을 살펴봄으로써 시장의 현황을 파악하고 자동차 기능 안전성 국제 표준에 관하여 알아본다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.08a
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• pp.87-87
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• 2011

최근 진공기술의 발전으로 진공환경에 대한 산업 응용분야가 다양화되고 있다. 진공 기술은 우주공학, 생명공학, 재료공학 및 전자공학 분야에 핵심 기반기술이 되었으며, 특히 반도체 공정이나 디스플레이 공정의 진공 기술 발전은 매우 빠르게 발전되어 이를 위한 지속적인 연구개발이 요구되고 있다. 우리나라는 세계 제일의 반도체 및 디스플레이 생산국이라는 위치와는 달리 반도체를 생산하기 위한 장비의 국산화율은 16% 미만이다. 특히 전공정장비의 국산화율만 고려한다면 8% 미만에 불과한 실정이다. 이에 정부에서는 진공장비의 핵심부품 국산화에 대한 R&D 사업에 자금을 적극적으로 투자하고 있으나, 반도체 산업을 주력산업으로 표방하고 있는 국내 산업의 기초기반 핵심기술을 외국에 의존함으로써 외화낭비는 물론 첨단산업의 발전을 저해하는 요소로 작용하고 있는 실정이다. 이에 반도체 산업뿐만 아니라 전반적인 기반기술에 해당하는 진공장비 등 국산화 개발은 국가적인 차원에서 매우 중요하다고 할 수 있다. 본 연구에서는 국내 진공 산업체 기술 및 발전 현황과 선진 공업국의 진공 관련 업체의 기술 수준 등을 비교 분석하여 가이드라인을 제시 하고자 한다. 또한, 현재 (유)우성진공에서 정부지원 과제로 수행중인 대유량 터보형 드라이펌프 및 크라이오 펌프 개발 현황 등 국산화 기술개발에 대한 연구 수행 과정을 소개하고자 한다.

• Journal of Space Technology and Applications
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• v.3 no.4
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• pp.333-341
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• 2023

This study aims to develop technology for testing and verifying the space radiation environment of miniature space components using the facilities of the domestic 100 MeV proton accelerator and the Space Component Test Facility at the Space Testing Center. As advancements in space development progress, high-performance satellites increasingly rely on densely integrated circuits, particularly in core components components like memory. The application of semiconductor components in essential devices such as solar panels, optical sensors, and opto-electronics is also on the rise. To apply these technologies in space, it is imperative to undergo space environment testing, with the most critical aspect being the evaluation and testing of space components in high-energy radiation environments. Therefore, the Space Testing Center at the Korea testing laboratory has developed a radiation testing device for memory components and conducted radiation impact assessment tests using it. The investigation was carried out using 100 MeV protons at a low flux level achievable at the Gyeongju Proton Accelerator. Through these tests, single event upsets observed in memory semiconductor components were confirmed.