• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.116.2-116.2
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• 2016

n-type 반도체의 성질을 가지고 있는 $TiO_2$는 화학적 안정성, 3.2 eV의 밴드갭 에너지 등에 의하여 다양한 형태의 에너지 변환 및 저장 소재로 많이 연구되어지고 있다. 특히, Fujishima-Honda의 발견에 의한 광촉매적 특성은 $TiO_2$의 가장 대표적인 응용 분야라 할 수 있다. 이런 $TiO_2$는 솔-겔, 수열합성법, 침전법 등의 화학적 방법을 통하여 제조 한다. 하지만 이런 방법은 $TiO_2$를 전극으로 사용하기 위한 추가적인 공정이 필수적일 뿐 아니라 그 구조를 제어하기가 쉽지 않다. 이에 약 10여 년 전부터 많은 연구자, 과학자들은 금속 기판위에 $TiO_2$를 형성하는 양극산화 법에 대한 관심을 가지고 꾸준히 연구되어져 왔다. 양극산화법을 통한 $TiO_2$는 그 조건에 따라 박막, 기공(포어)구조, 튜브 구조 및 다양한 나노 구조를 형성할 수 있게 한다. 그렇지만 대표적인 구조는 기공간의 공간을 유지하는 나노 튜브의 형태라 할 수 있다. $TiO_2$ 나노 튜브를 형성하기 위해서는 극미량의 fluoride 이온이 첨가된 전해질에서 이루어진다고 알려져 왔다. 본 발표에서는 이런 전해질의 조건에 따른 나노튜브 구조의 변화를 보고 그 변화에 따른 광전기화학적 차이점에 대하여 논하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제40권7호
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• pp.481-485
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• 2003

25㎛ 두께의 폴리이미드 박핀 기판을 glass 기판에 부착하여 최대 온도 150℃에서 비정질 실리콘 TFT를 제작하였다. 본 논문은 plastic 기판 위에 TFT가 제작되는 공정 절차를 요약하고 glass 위에 제작된 TFT와 ON/OFF 전달특성과 전계효과 이동도를 서로 비교해 보았다. a-SiN:H 코팅층은 plastic 기판의 표면 거칠기를 감소시키는 중요한 역할을 하여 TFT의 누설전류를 감소시키고 전계효과 이동도를 증가시켰다. 따라서 a-SiN:H 코팅층을 이용하여 plastic 기판에 양철의 TFT를 제작하였다.

• 한국세라믹학회지
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• 제44권6호
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• pp.313-318
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• 2007

ITO (Indium-tin oxide) thin films have been prepared by a sol-gel spinning coating method and fired and annealed in the temperature range of $450-600^{\circ}C$. The XRD patterns of the films indicated the main peak of (222) plane and showed higher crystallinity with increasing an annealing temperature. The surface of the ITO thin films were treated with 0.1 N HCl 20% solution at room temperature. The effects of surface treatment on electrical properties and surface morphologies of the ITO films were investigated with the results of sheet resistance and FE-SEM, AFM images. The samples, subsequently treated with acidic solution for 40 sec showed the sheet resistance of $0.982\;k{\Omega}/square$. The surface treatment using acidic solution diminished the RMS (root mean square) value and the residual carbon content of the ITO films. It seemed that the acid-cleaning of the ITO thin films lead to the decrease of surface roughness and sheet resistance.

• 한국진공학회지
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• 제19권3호
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• pp.230-235
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• 2010

본 논문에서는 TCP-CVD를 이용하여 실리콘 산화막 형성에서 산화막의 특성에 영향을 미치는 전력, 가스 유량, 기판 바이어스 등의 공정조건에 따른 증착률과 굴절률을 제어하고자 한다. 그 결과 기판온도 300 [$^{\circ}C$], $SiH_4$ : $O_2$=50 : 100 [sccm], TCP power 1 [kW], 기판 바이어스 200 [W]를 인가한 조건에서 매우 우수한 균일도(<1 [%]) 및 증착률(0.28 [${\mu}m$/min])과 굴절률 (1.4610-1.4621)을 나타내는 안정된 $SiO_2$ 산화박막을 제조할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2006년도 추계학술대회 논문집 광주전남지부
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• pp.33-34
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• 2006

The effects of Ba and Ce addition has been investigated in YBCO prepared by trifluoroacetate (TFA) metalorganic depostition (MOD) method. Precursor solutions with cation ratios of Y:Ba:Cu:Ce = 1:2+x:3:x (x = 0, 0.05, 0.1 and 1.5) have been prepared by adding an excess amount of cerium and barium. Coated film was calcined at lower temperature and conversion heat treatment at temperature of $780{\sim}810^{\circ}C$. It has been shown that the critical current (Ic) of YBCO film was degraded by doping of Ba and Ce atoms. But Ic was increased as the amount of doped Ba and Ce content increased from 5 % to 15 %. It was observed that there was little increase of a flux pinning force with Ba and Ce addition in YBCO film prepared by TFA-MOD process.

• 한국진공학회지
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• 제8권3A호
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• pp.231-237
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• 1999

$SrBi_{22.4}Ta_2O_9$ (SBT) thin films of 70~150 nm thickness were prepared on platinized silicon substrates by Liquid Source Misted Chemical Deposition (LSMCD) process, and their microstructure, feroelectric and leakage current characteristics were investigated. By annealing at $800^{\circ}C$ for 1 hour in oxygen ambient, SBT films were fully crystallized to the Bi layered perovskite structure without preferred orientation. The grain size of the LSMCD- derived SBT films was about 100nm, and was not varied with the film thickness. $2P_r$ and $E_c$ of the SBT films increased with decreasing the film thickness, and the 70nm-thick SBT film exhibited $2P_r$ of 17.8 $\mu$C/$\textrm{cm}^2$ and $E_c$ of 74kV/cm at applied voltage of 5V. Within the film thickness range of 70~150nm, the relative dielectric permittivity of the LSMCD-derived SBT film decreased with decreasing the film thickness. Leakage current densities lower than $10^{-7}\textrm{A/cm}^2$ at 5V were observed in the SBT films thicker than 125nm.

• 한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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• 제8권1호
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• pp.5-8
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• 2006

The growth properties of MOD-YBCO films were investigated. To enhance the growth rate of YBCO layer and inhibit the build-up of HF gas during the annealing process in TFA-MOD for YBCO coated conductors the method of low pressure annealing was employed. Total pressure was changed from 700Torr to 1Torr and its effect on growth of YBCO films was compared with atmospheric one. The lower Pressure was effective to control of the pore size in MOD method . Surface morphology of YBCO films processed at low total pres sure was rough and composed of random YBCO (103) grains. But large pores, usually observed at atmospheric process in MOD disappeared and also the number of pores was reduced at low pressure annealing. Also discussed ate the effects of Fluorine-free Y and Cu precursor solution on the development of microstructure. Dense surface me phology and with less and small pores can be provided through controlling Fluorine content.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제12권5호
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• pp.791-796
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• 2017

본 연구에서는 DRAM 커패시터의 유전막 박막화를 위한 Load Lock(L/L) LPCVD 시스템을 이용한 적층형 커패시터의 제조 공정이 셀 커패시턴스에 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 기존의 non-L/L 장치에 비하여 약 $6{\AA}$의 산화막 유효두께를 낮춤으로 커패시턴스로 환산 시 약 3-4 fF의 차이가 나타남을 확인할 수 있었다. 또한 절연막으로써 질화막 두께의 측정 범위가 정상적인 관리 범위의 분포임에도 불구하고 Cs는 계산치보다 약 3~6 fF 정도 낮은 것으로 확인되었다. 이는 node poly FI CD가 spec 상한치로 관리되어 셀 표면적의 감소를 초래하였고 이는 약 2fF의 Cs 저하를 나타내었다. 따라서 안정적인 Cs의 확보를 위해서는 절연막의 두께 및 CD 관리를 spec 중심값의 10 % 이내로 관리할 필요가 있음을 확인하였다.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2016년도 추계학술대회 논문집
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• pp.109-109
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• 2016

철을 보호하는 코팅막에 있어서 현재는 우수한 희생방식성을 가지는 아연(Zn)이 많은 분야에서 활용되고 있지만 성능 향상을 위해서는 코팅막의 두께 증가가 필연적이다. 동일한 두께 혹은 그 이하에서 더 나은 내식성을 가지는 코팅막을 개발하는 목적으로 알루미늄(Al)과 마그네슘(Mg)을 이용한 코팅막의 개발을 진행하고 있으며 이 발표에서는 Al과 Mg의 코팅막을 다층으로 제작하여 이전 실험의 Al-Mg 코팅 강판과 비교 하였을 때 어떠한 특성이 나타나는지를 확인하였다. Al-Mg 코팅층은 99.999%의 Al, 99.99%의 Mg target을 사용하여 스퍼터링을 이용하여 냉연강판 위에 코팅하였다. 증발물질과 기판과의 거리는 7cm 이며, 기판은 세척을 실시한 후 클리닝 챔버에 장착하고 ${\sim}10^{-5}Torr$ 까지 진공배기를 실시하였다. 클리닝 챔버가 기본 압력까지 배기되면 아르곤 가스를 주입하고 기판홀더에 -800 V의 직류 전압을 인가하여 약 30분간 글로우 방전 청정을 실시하였다. 기판의 청정이 끝나면 아르곤 가스를 차단하고 코팅 챔버로 시편을 이송 후 코팅층 성분의 구성형태에 따라 Al과 Mg을 코팅하였다. Al-Mg 코팅층은 $5{\mu}m$의 두께를 기준으로 계면의 코팅층이 각각 Al과 Mg이며 다층으로 구성된 코팅층을 제작하였다. 그리고 후속 공정으로 질소 분위기 $400^{\circ}C$에서 10분간 열처리를 하였다. Al-Mg 코팅층을 주사전자현미경(SEM)으로 관찰한 결과, 표면에서는 Al 또는 Mg의 결정성 구조를 보였으며 단면에서는 다층의 경계를 조금이지만 확인할 수 있었으며 글로우방전분광기(GDLS)를 통해 열처리 후에는 층의 구분이 모호해 지는 것을 확인 할 수 있었다. 그리고 XRD를 통하여 열처리 후 Al-Mg 합금상의 생성도 확인하였다. 또한 Al-Mg가 다층으로 코팅된 강판을 염수분무시험을 통해서 내부식 특성을 확인하였다. Al-Mg 코팅 강판의 염수분무시험 결과, 모든 제작된 코팅층에서 열처리 전 보다 열처리 후 3배 이상의 내식성의 향상효과를 확인할 수 있었다. 이러한 결과로부터 열처리에 의한 합금상 생성 그리고 Al-Mg 박막의 미세구조 변화가 강판의 내식성에 영향을 미치고 있다는 것을 확인할 수 있었지만 다층 제작이 미치는 영향에 대해서는 좀 더 연구가 필요한 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.121-121
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• 2012

산업이 고도화, 다원화, 세계화되고 있는 현대사회는 다기능성, 고물성, 극한 내구성을 가지며 환경 친화적이면서 에너지 효율을 극대화시킬 수 있는 다기능 소재의 개발을 요구하고 있다. 이러한 시점에서 다양한 물성을 동시에 발현이 가능한 코팅 소재는 향후 미래에 중요한 원천 소재로서 주목되고 있다. 특히, 환경에 의해 쉽게 물성 및 구조의 변화가 쉬운 종래의 코팅소재와는 달리, 다양한 외부환경에서도 미세 구조 및 물성을 안정적으로 유지할 수 있는 신개념의 코팅 소재의 개발이 절실히 요구되고 있다. 이를 위해서는 코팅소재의 다 성분화가 필수적이다. 최근의 코팅 기술은 2가지 이상의 물성, 특히 서로 상반되는 물성을 동시에 구현할 수 있는 소재의 개발을 요구하고 있다. 이러한 물성의 구현을 위하여 더 많은 성분으로 구성되며 더욱 복잡한 조직으로 구성된 코팅층에 대한 개발이 진행이 필요하다. 본 연구에서 목표로 하는 신 개념의 원천소재기술은 4성분계 이상의 원료 물질을 단일 타겟으로 제조하여, 단순한 공정으로서 단일 코팅층 내에 다양한 성분과 10 nm 미만 크기의 나노 결정립/나노 비정질로 구성된 나노 복합 구조의 형성이 가능하도록 하는 기술을 개발하고자 한다. 이를 통해 복합기능 3 이상의 다기능성 부여는 물론, 그림 1에 정리된 기존 코팅재에서 결여된 특성을 포함한 극한 기능성(광대역 윤활성, 전자 이동 제어에 의한 온도 저항 계수 및 전기 저항 조절, 고온 열적 안정성, 내산화성, 고열전도율, 초저마찰/내구성/초고경도성 등)의 구현이 가능한 복잡한 형태의 나노 복합 코팅층 소재 개발이 가능하도록 하는 기술이다. 또한 기존 코팅재의 구조적 결함을 통해 발생하는 내식성 문제를 방지할 수 있는 기술이다. 다성분계 모물질의 개발이 중요한 이유는 다수의 성분 원소를 합금 상태로 형성시킴으로서, 단일 소스에 의해 다양한 원소를 동시에 스퍼터링 및 증착이 가능하도록 할 수 있다는 장점을 가지기 때문이다. 특히, 타겟의 미세구조를 나노구조화 하는것을 통해, 스퍼터링 yield의 차이가 큰 원소일지라도 균일하게 증착시킬 수 있는 방법을 개발하고자한다. 또한 다수의 타겟을 이용하여 균일한 다성분 코팅층 형성하는 기존의 PVD 코팅방법으로는 다수의 성분타겟을 사용함으로서 장비의 복잡성, 코팅의 재현성, 대형화 등의 문제점을 본질적으로 갖고 있다. 이를 위한 해결방법으로 본 발표에서는 3가지 이상의 다기능성 구현을 위한 가장 중요한 원천기술이라 할 수 있는 다성분계 타겟 모물질 제조 기술의 개발 진행 사항에 대해 소개하고자 한다.