• 제목/요약/키워드: 박막 이론

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A Review of the Mechanisms Regarding Duplex Layer Formation During Various Manufacturing Processes (다양한 제조 공정하에서의 이중층 형성 기구에 관한 고찰)

  • Kim, Chang-Gyeong
    • Korean Journal of Materials Research
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    • 제8권2호
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    • pp.154-160
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    • 1998
  • 다양한 제조 공정하에서 기판위에 형성되는 이중층은 공학적인 관점으로 볼 때 매우 중요한 미세 조직들 중의 하나이다. 이중에서도 고온 산화시에 형성되는 이중층에 관하여는 많은 이론들이 있다. 이 논문에서는 이들 이론들에 대한 가정 및 이론 전개에 대한 고찰을 통해 이들 이론들을 검증하였다. 또 산화 이중층을 진공 박막 제조 및 응고시 형성되는 이중층들과 비교하였다.

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Determination of Optical Constants of Amorphous $As_2S_3$ Thin Film by Transmission Spectrum ($As_2S_3$박막의 투과 스펙트럼을 이용한 광학 상수와 특성 조사)

  • 우성용;이상조;김건엽;곽종훈
    • Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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    • 한국광학회 2003년도 제14회 정기총회 및 03년 동계학술발표회
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    • pp.18-19
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    • 2003
  • 비정질 As$_2$S$_3$박막에 레이저광의 조사에 대한 투과율 변화는 굴절률과 흡수계수 변화 등의 비선형 광학 특성에 대한 많은 정보를 제공해준다. 투과 스펙트럼을 측정하여 비정질 As$_2$S$_3$ 박막의 광학 상수를 결정하는 일은 간단하면서도 신뢰도 높은 값들을 얻을 수있게 한다. 본 실험에서는 비정질 As$_2$S$_3$ 박막을 진공 증착법을 이용하여 제작하고, 스펙트로포터미터를 사용하여 박막이론에 따른 굴절률, 흡수계수, 박막의 두께 및 조사된 레이저광에 의한 광학적 상수의 변화등을 측정하였다. (중략)

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Determination of Optical Constants and Thickness of Thin Metal Films by Measurement of Surface Plasmon Resonance (표면 플라즈몬 공명 측정에 의한 금속 박막의 광학 상수와 두께 결정)

  • 황보창권;최철재;최동철
    • Korean Journal of Optics and Photonics
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    • 제2권2호
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    • pp.59-66
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    • 1991
  • Resonance angle and optimum thinckness of various thin metal films for surface plasmon resonance were calculated using an admittance diagram and optical constants and thickness of thin Ag films and Al films were determined by fitting the measured reflectance of surface plasmon resonance. Two wavelengths of an Ar ion laser were employed to select the unique optical constants which have the same thickness at two wavelengths. Also, when these films were exposed to the air, the shift of surface plasmon resonance was measured and the optical constants of modified thin films were determined.

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무기물을 포함한 유기물 나노복합체를 사용하여 제작한 비휘발성 메모리 소자의 전기적 성질에 대한 실험치와 이론치의 비교

  • Go, Seong-Hun;Yu, Chan-Ho;Yun, Dong-Yeol;Jeong, Jae-Hun;Kim, Tae-Hwan
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2010년도 제39회 하계학술대회 초록집
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    • pp.290-290
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    • 2010
  • 무기물을 포함한 유기물 나노 복합체는 저전력으로 동작하는 차세대 전자 소자와 광전 소자의 응용에 대단히 유용한 소재이다. 간단하고 저렴한 제조 공정과 물질 특성의 장점을 이용한 유기물/무기물 나노 복합재료를 사용한 비휘발성 메모리 소자의 제작과 전기적 특성은 연구되었으나 실험치와 이론치의 비교에 대한 연구는 소자의 효율과 신뢰성을 증진하기 위하여 대단히 필요하다. 다양한 종류의 비휘발성 메모리 중에서 무기물을 포함한 유기물 나노복합체를 사용하여 만들어진 유기 쌍안정성 소자는 간단하게 고집적화가 가능하며 광소자와 결합할 수 있기 때문에 차세대 비휘발성 메모리 소자로서 각광을 받고 있다. 본 연구에서는 ZnO 나노입자를 포함한 PMMA 박막 구조를 기억층으로 사용하여 메모리 특성을 향상시킨 유기 쌍안정성 소자를 제작하고 그에 대한 전기적 특성을 측정과 전하 전송 메커니즘을 규명하여 이론적으로 고찰하였다. 유기 쌍안정성 소자 제작을 위해 Indium-tin-oxide가 증착된 유리 기판위에 ZnO 나노입자와 PMMA를 용매에 혼합하여 스핀코팅 방법으로 ZnO 나노 입자가 분산되어 있는 PMMA 나노 복합체를 형성하였다. 나노 복합체 박막위에 Al 전극을 열증착으로 형성하여 유기 쌍안정성 소자를 제작하여 전류-전압 측정을 하였다. 제작한 유기 쌍안정성 소자의 전하 전송 메커니즘 규명을 위해 space charge limited current 메커니즘을 이용하여 소자에 대한 시뮬레이션을 수행하였고 이를 제작한 소자에서 측정한 전류-전압 특성과 비교하였다. 이 결과는 유기 쌍안정성 소자를 제작할 때 소자의 성능 최적화에 이론적인 기초지식을 제공할 것이다.

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Analysis of Switching Transient State characteristis Based on Space charge Overlapping Model (공간전하중첩 모델에 의한 스위칭과도장태 특성해석)

  • 정홍배;박창엽
    • Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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    • 제18권2호
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    • pp.27-35
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    • 1981
  • In this study, a numerical theory based on space charge overlapping model and experiments on the propriety of its theory were carried out to analyze the switching transient characteristic in amorphous coalcogenide thin film. Theoretical and experimental as well as analytical investigations were carried out on the switching behaviour in a transient state arising from a voltage pulse applied to amorphous chalcogenide thin films at room temperature. The results can be explained in terms ot a simple theoretical model of the electronic characteristics of switching. The injection of carriers are necessary to initiate the switching action and injected carriers contribute to the current flow as a space-charge limited current(SCLC) The proposed charge controlled switching characteristics can be explained by double injection space charge overlapping model.

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Analytical Modeling of a Loop Heat Pipe with a Flat Evaporator by Applying Thin-Film Theory (평판형 증발부를 갖는 루프히트파이프에 대해 박막이론을 적용한 해석적 모델링)

  • Jung, Eui-Guk;Boo, Joon-Hong
    • Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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    • 제34권12호
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    • pp.1079-1085
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    • 2010
  • A steady-state analytical model was presented for a loop heat pipe (LHP) with an evaporator that has a flat geometry. On the basis of a series of reviews of the relevant literature, a sequence of calculations was proposed to predict the temperatures and pressures at each important part of the LHP: the evaporator, liquid reservoir (compensation chamber), liquid line, vapor line, and condenser. The analysis of the evaporator, which is the only part in the LHP that has a capillary structure, was emphasized. Thin-film theory is applied to account for the pressure and temperature in the region adjacent to the liquid-vapor interface in the evaporator. The present study introduced a unique method to estimate the liquid temperature at the interface. Relative freedom was assumed in the configuration of a condenser with a simplified liquid-vapor interface. Our steady-state model was validated by experimental results available in the literature. The relative error was within 3% on the absolute temperature scale, and reasonable agreement was obtained.

Ferromagnetism in Co-doped ZnO thin films (Co-doped ZnO 자성 반도체 박막의 구조 및 강자성 특성)

  • 박정환;유상우;장현명;김민규
    • Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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    • 한국재료학회 2003년도 춘계학술발표강연 및 논문개요집
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    • pp.178-178
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    • 2003
  • II-Ⅵ족 반도체 중에서 넓은 밴드갭을 가지는 ZnO에 Mn 이온을 doping할 경우 Tc가 상온보다 높을 것이라는 이론적 계산이 2000년 Science에 발표되었다. 이후 ZnO에 전이금속 이온을 doping하여 상온에서도 강자성을 나타내는 자성 반도체 (DMS)를 만들기 위한 연구가 활발히 진행되고 있다. Co-doped ZnO 박막은 PLD로 증착하였을 경우 Tc가 상온보다 높으나 재현성이 낮은 것으로 알려져 있었다. 그러나 최근 sol-gel 방법을 이용하여 Co-doped ZnO 박막을 제조하면 강자기 특성의 재현성을 높일 수 있다는 결과가 보고되었다. 이에 본 연구에서는 sol-gel 방법을 사용하여 여러 조성의 Co-doped ZnO 박막을 합성한 후 이들의 자성 특성을 검토하였다. 이러한 결과를 바탕으로 Co-doped ZnO 박막에서 강자성 발현의 근원을 규명하고자 (ⅰ) 조성에 따른 Co-doped ZnO의 Raman peak과 EXAFS peak의 변화를 측정하여 구조적 특성과 ZnO 내에서의 Co 이온의 상태를 분석하였으며, (ⅱ) Hall 효과 실험으로 carrier density를 측정함으로써 Fermi 준위에서의 파수 벡터의 크기를 산출하고자 하였다.

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ZnO 박막의 차세대 저항 메모리 특성 연구

  • Lee, Seung-Hyeop;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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    • pp.70-70
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    • 2011
  • 차세대 저항 메모리로 활용 가능한 ZnO 박막의 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/SiO2/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝 함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 전기적 특성을 평가하였다. 비교적 높은 compliance current (이하Icomp)를 설정한 경우 unipolar 저항 변화특성을 나타낸 데 비해 비교적 낮은 Icomp를 설정한 경우 bipolar 저항 변화특성을 나타내었다. 두 서로 다른 저항 변화 특성은 100cycle 이상 안정적으로 재현성 있게 나타났으며 이때의 저항비는 약 $10^3$ 정도를 나타냈다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

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ZnO 박막을 이용한 다기능성 저항 변화 소자 연구

  • Lee, Seung-Hyeop;Yong, Gi-Jung
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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    • pp.379-379
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    • 2011
  • 차세대 저항메모리(resistive switching random access memory; ReRAM)의 개발을 위해 다양한 산화 물질들의 저항 변화 특성이 연구되고 있다. 본 연구에서는 저항 변화 물질로 잘 알려진 ZnO 박막을 이용하여 저항 변화 특성을 평가하였다. ZnO 박막은 Pt/Ti/$SiO_2$/Si 기판 위에 스퍼터링 시스템을 이용하여 약 50 nm 두께로 증착되었다. 증착된 박막 위에 전극을 evaporator를 이용하여 패턴닝함으로써 전극-반도체-전극 구조의 소자를 만들고 이의 전기적 특성을 평가하였다. Compliance current를 설정하여 저항 변화 특성을 측정한 결과 가해진 전압의 극성에 관계 없이 저항이 변화하는, dielectric breakdown에 의해 박막내 전도성 필라멘트라 불리는 전도성 길이 생성되었다가 joule-heating에 의해 필라멘트가 파열되는, 전형적인 unipolar 저항 변화특성이 나타났다. 다기능성 소자 개발을 위해 위 소자 구조를 투명한 고분자 기판위에 형성하고 표면에 초발수성 ZnO 나노막대 구조를 합성하였다. 그 결과 투명하면서 유연하고, 수분에도 안정적인 다기능성 저항 변화 소자 특성을 평가할 수 있었다. 본 결과를 바탕으로 필라멘트 이론에 기초한 저항 변화 메커니즘을 설명하는 모델이 제시되었다.

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