The demand for LIBs with higher energy densities has increased continuously because the emergence of wider and more challenging applications including HEV and EV has became imperative. However, in the case of anode material, graphite is insufficient to meet this need. To meet such demand, several type of negative electrode materials like silicon, tin, SiO, and transition metal oxide have been investigated for the advanced lithium secondary batteries. Recently, lithium vanadium oxide, which has a layered structure, is assumed as one of the promising anode material as alternative of graphite. This material shows a high volumetric capacity, which is 1.5 times higher than that of graphite. However, relative low electrical conductivity and particle fracture, which results in the electrolyte decomposition and loss of electric contact between electrode, induce rapid capacity decay. In this report, we investigated the effect of electrolyte additive on the electrochemical characteristics of lithium vanadium oxide.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.17
no.9
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pp.502-507
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2016
Vanadium dioxide, $VO_2$, is a thermochromic material that exhibits a reversible metal-insulator phase transition at $68^{\circ}C$, which accompanies rapid changes in the optical and electronic properties. To decrease the transition temperature around room temperature, a number of studies have been performed. The phase transition temperature of 1D nanowire $VO_2$ with a 100 nm diameter was reported to be approximately $29^{\circ}C$. In this study, 1D or 2D nanostructured $VO_2$ was grown using the vapor transport method. Vanadium dioxide has a different morphology with the same growth conditions for different substrates. The 1D nanowires $VO_2$ were grown on a Si substrate ($Si{\setminus}SiO_2$(300 nm), whereas the 2D & 3D nanostructured $VO_2$ were grown on an exfoliated graphene nanosheet. The crystallographic properties of the 1D or 2D & 3D nanostructured $VO_2$, which were grown by thermal CVD, and exfoliated-transferred graphene nanosheets on a Si wafer which was used as substrate for the vanadium oxide nanostructures, were analyzed by Raman spectroscopy. The as-grown vanadium oxide nanostructures have a $VO_2$ phase, which are confirmed by Raman spectroscopy.
Thin films of $V_2O_3$, $VO_2$, and $V_2O_5$ were obtained from a single precursor solution through post-annealing processes under different annealing conditions. As annealed in air, the deposited films became $V_2O_5$ with orthorhombic crystal structure, while they were $V_2O_3$ and $VO_2$ with rhombohedral and monoclinic crystal structure as annealed in vacuums with base pressure of $1{\times}10^{-6}$ Torr and with 10 mTorr $O_2$ pressure, respectively. Electrical and optical measurements indicated that the $V_2O_5$ and $VO_2$ films are semiconducting, while the $V_2O_3$ films are metallic at room temperature. Chromium doping in $VO_2$ resulted in a decrease of the resistivity and changed the conduction type from n-type to p-type. 10% Cr-doped $VO_2$ films were found to have orthorhombic crystal structure, which is different from that of the undoped $VO_2$. Spectral features in the optical absorption spectra of all the films were interpreted as the transitions involving O 2p and V 3d bands. The crystal-field splittings between $t_{2g}$ and $e_g$ states of the V 3d bands are estimated to be about 1.5 and 1.0 eV for $V_2O_5$ and $VO_2$, respectively.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.20
no.6
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pp.80-85
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2019
Vanadium dioxide is a well-known metal-insulator phase transition material. Lots of researches of vanadium redox flow batteries have been researched as large scale energy storage system. In this study, vanadium oxide($VO_x$) thin films were applied to cathode for lithium ion battery. The $VO_x$ thin films were deposited on Si substrate($SiO_2$ layer of 300 nm thickness was formed on Si wafer via thermal oxidation process), quartz substrate by RF magnetron sputter system for 60 minutes at $500^{\circ}C$ with different RF powers. The surface morphology of as-deposited $VO_x$ thin films was characterized by field-emission scanning electron microscopy. The crystallographic property was confirmed by Raman spectroscopy. The optical properties were characterized by UV-visible spectrophotometer. The coin cell lithium-ion battery of CR2032 was fabricated with cathode material of $VO_x$ thin films on Cu foil. Electrochemical property of the coin cell was investigated by electrochemical analyzer. As the results, as increased of RF power, grain size of as-deposited $VO_x$ thin films was increased. As-deposited thin films exhibit $VO_2$ phase with RF power of 200 W above. The transmittance of as-deposited $VO_x$ films exhibits different values for different crystalline phase. The cyclic performance of $VO_x$ films exhibits higher values for large surface area and mixed crystalline phase.
Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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2003.11a
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pp.207-207
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2003
Uncooled infrared(IR) detectors that use a microbolometer with a large focal-plane array(FPA) have been developed with surface micromachining technology. There are many materials for microbolometers, such as metals, vanadium oxide, semiconductors and superconductors. Among theses, vanadium oxide is a promising material for uncooled microbolometers due to it high temperature coefficient of resistance(TCR) at room temperature. It is, however, is very difficult to deposit vanadium oxide thin films having a high TCR and low resistance because of the process limits in microbolometer fabrication. In general, vanadium oxides have been applied to microbolometer in mixed phases formed by ion beam deposition methods at low temperature with TCR in the range from -1.5 to -2.0%K.
$V_2O_5$ nanowire / polyvinyl alcohol (PVA) polymer composite fibers were fabricated by a new simple method. The reaction of PVA and acetone facilitates the formation of the polymer membrane which can be used to make the fiber. Composite fiber is percolative in the conductance because of the low percolation threshold in $V_2O_5$ nanowire networks. The fiber composite can be applied to the electromagnetic shielding originating from the conductive nature.
Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
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v.19
no.8
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pp.14-18
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2018
Generally. the Ohmic's law is an important factor to increase the conductivity in a micro device. So it is also known that the Ohmic contact in a semiconductor device is import. The PN junction as a structure of semiconductor involves the depletion layer, and this depletion layer induces the non linear electrical properties and also makes the Schottky contact as an intrinsic characteristics of semiconductor. To research the conduction effect of insulators in the semiconductor device, $SiO_2$ thin film and $V_2O_5/SiO_2$ thin film were researched by using the current-voltage system. In the nano electro-magnetic system, the $SiO_2$ thin film as a insulator had the non linear Schottky contact, and the as deposited $V_2O_5$ thin film had the linear Ohmic contact owing to the $SiO_2$ thin film with superior insulator's properties, which decreases the leakage current. In the positive voltage, the capacitance of $SiO_2$ thin film was very low, but that of $V_2O_5$ thin film increased with increasing the voltage. In the normal electric field system, it was confirmed that the conductivity of $V_2O_5$ thin film was increased by the effect of $SiO_2$ thin film. It was confirmed that the Schottky contact of semiconductors enhanced the performance of electrical properties to increased the conductivity.
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