차세대 에너지 절감 반도체로 각광을 받고 있는 GaN(Gallium Nitride) 전자소자의 연구개발 동향, 특히 전력증폭기용 GaN 기술동향에 관하여 기술하였다. GaN 전자소자는 와이드 밴드갭($E_g=3.4eV$)과 고온($700^{\circ}C$) 안정성 등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF(Radio Frequency) 전력증폭기와 고전력 스위칭 소자로서 큰 장점을 갖는다. 본고에서는 차세대 GaN 전력소자의 주요 특성을 소개하고 미국, 유럽, 일본을 중심으로 한 대형 국책 연구 프로젝트 분석을 통한 GaN 전력소자 연구개발 방향 및 GaN 전력소자 시장과 주요 특허 현황을 살펴보았다. 또한 국내의 주요 연구개발 현황과 현재 수행 중이거나 완료된 연구개발 과제를 간략하게 언급하였다. 이러한 연구개발 현황분석을 통하여 GaN 기술의 중요성과 함께 국산화의 시급성을 강조하고자 한다.
반도체 및 태양광 산업에서는 반도체 소자 및 솔라셀을 제조하기 위하여 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있다. 실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳의 절단으로부터 만들어지며 이 공정에서 실리콘 슬러지가 발생한다. 반도체 소자의 사용처가 점점 증가함에 따라 실리콘 슬러지의 발생량 또한 증가하고 있는 실정이다. 최근 경제적인 측면과 효율성에 관한 측면에서 실리콘 슬러지의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 실리콘 슬러지의 재활용 기술에 대한 특허와 논문을 분석하였다. 분석범위는 1982년~2011년까지의 미국, EU, 일본, 한국의 등록/공개된 특허와 SCI 논문으로 제한하였다. 특허와 논문은 키워드를 사용하여 수집하였고, 기술의 정의에 의해 필터링하였다. 특허와 논문의 동향은 연도, 국가, 기업, 기술에 따라 분석하여 나타내었다.
반도체 산업에서는 다양한 형태의 반도체 소자를 제조하기 위하여 실리콘 웨이퍼가 사용되고 있다. 실리콘 웨이퍼는 실리콘 잉곳의 절단으로부터 만들어지며 이 공정에서 실리콘 슬러지가 발생한다. 반도체 소자의 사용처가 점점 증가함에 따라 실리콘 슬러지의 발생량 또한 증가하고 있는 실정이다. 최근 경제적 측면과 효율성 측면에서 폐실리콘 슬러지의 재활용 기술이 폭넓게 연구되고 있다. 본 연구에서는 폐실리콘 슬러지의 재활용에 관한 특허 기술을 분석하였다. 분석범위는 2007년 9월까지 미국, 유럽연합, 일본과 한국에서 출원 및 공개된 특허로 제한하였다. 특허들은 전체적으로 검색어를 사용하여 수집되었고, 기준 기술 이외의 것을 여과하였다. 특허기술의 경향은 년도와 국가별, 기업 및 관련기술 분야별로 분석되었다.
Schottky Emitter (SE)는 미국 FEI의 L. W. Swanson 그룹이 개발하여 상용화시킨 전자원이며, 고분해능 전자현미경용 전자원 시장에서 가장 큰 점유율을 차지하고 있다. 상온에서 작동하는 cold field emitter (CFE)에 비해 휘도(brightness)가 10~100배 정도 낮으나, 10-10 Torr 영역의 초고진공에서도 수시간 미만의 방출전류 안정성을 가진 CFE에 비해 수개월이상 안정된 방출전류를 전자현미경에 제공하므로, 반도체 측정, 검사 등과 같이 고분해능과 안정성이 동시에 요구되는 분야에서는 SE전자원은 필수 요소가 되어있다. 현재 SE 전자원은 일본, 미국, 영국의 4개사가 과점하고 있는 상태이다. SE 전자원이 안정되게 작동하기 위해서는 10~10 Torr 영역의 초고진공 환경이 요구된다. 한국 전자현미경 업체는 국책과제 등을 통해 SE 전자총을 개발해 왔으나, 진공기술과 광학계 설계기술이 부족하여 안정된 SE 전자총의 개발에 성공하지 못하였다. 본 발표에서는 10~10 Torr 영역에서 200 microA 이상의 전류를 안정되게 방출하는 SE 전자총의 전자빔 방출 및 진공특성을 보고한다. 시뮬레이션을 통해 구한 전차총의 전자원 위치 변화, 건렌즈 초점거리, 수차 등의 광학특성을 보여준다. 전자총을 전자현미경 경통에 탑재하고 제어하기 위해서는 전자총뿐만 아니라 전자현미경 전체의 광학특성을 이해할 필요가 있다. 전자총을 현미경에 통합 제어하기 위한 기술과제에 대해서도 간략히 보고한다.
산업연구원에서 발표한 '2014년 경제 산업 전망'에 따르면 세계 경제의 완만한 회복세와 수출 증가, 내수 회복세 확산 등으로 2014년 우리나라의 국민총생산(GDP) 증가율이 3.7%에 이를 것으로 예상된다. 수출은 세계경제 회복세에 힘입어 전년에 비해 증가세가 확대되나, 우리의 주요 수출시장인 신흥권의 성장 둔화로 증가율이 크게 높아지기는 어려울 전망이다. 2014년 수출은 약 6.7%, 수입은 약 9% 증가하고 무역흑자는 328억 달러 내외를 기록할 전망이다. 민간소비는 가계부채 부담이 제약요인으로 작용하나 수출 회복에 힘입은 소득 상승, 유가 안정과 환율 하락에 따른 교역조건 개선 등으로 전년보다 높은 3%대 초반의 증가가 예상된다. 2014년 10대 주력산업은 미국, 유럽연합(EU) 등 선진국의 경기 회복과 주력산업의 경쟁력 강화에 따라 일반기계(8.5%), 자동차(6.7%), 정보통신기기(7.1%), 반도체(6.8%) 등의 수출이 호조를 보일 것으로 예측된다. 반면 디스플레이 수출 증가율은 3%에 그치며 철강(-0.1%)과 조선(-0.4%)의 수출은 부진할 전망이다. 신흥국 경기회복정도, 원화강세와 엔화약세 등의 환율요인, 중국업체들의 글로벌 입지 확대 등이 이들 주력산업 성장의 주요 변수로 작용할 전망이다.
최근 통신서비스의 보급확대에 따른 통신용 단말기의 수요가 증가하고 있으나 단말기 용 핵심 부품인 서큘레이터를 전량 수입에 의존하고 있다. 본 고에서는 페라이트 재료 개발 및 측정, 접함 서큘레이터, 서큘레이터의 결합방법, 회전자의 평판 회로에 대한 수치해석, 주파수 선택의 한계, GaAs 복합물, Si에 사용하는 반도체 기술을 이용한 응용기술, 페라이트 구조에 가격과 크기를 줄이기 위하여 보다 간단한 단일체 회로를 제시 그리고 새로운 구조 연구와 정확한 설계에 대한 이론 연구가 활발히 진행되고 있는 유럽, 미국 일본의 기술동향과 문제점 및 대책을 기술하였다.
모바일과 유비쿼터스 센서 네트워크 센서 시대가 도래함에 따라 가볍고, 작고, 얇고, 멀티기능을 구현할 수 있는 부품에 대한 요구가 증대하고 있다. 이에 대한 여러 가지 솔루션 중 MCM의 개념을 수직 방향으로 확장시킨 3D IC가 최근 각광을 받고 있다. 이는 물리적인 한계에 부딪힌 반도체 집적 공정의 한계를 극복하여 지속적으로 무어의 법칙에 맞춰 집적도를 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 소재와 공정이 달라도 3차원적으로 집적이 가능하여 메모리와 프로세서로 대표되는 디지털 칩뿐만 아니라 아날로그/RF, 수동소자, 전력소자, 센서/액추에이터, 바이오칩 등을 하나로 패키징 할 수 있는 장점이 있기 때문이다. 이를 통해 성능 향상, 경박단소, 저비용의 부품 개발이 가능하기 때문에 미국, 유럽, 일본 등 선도국뿐만 아니라 싱가포르, 타이완, 중국 등에서도 활발한 연구가 진행되고 있으며 CMOS 이미지 센서 모듈 생산에 TSV 기술이 이미 적용되고 있다. 본 고에서는 3D IC를 위한 TSV 및 적층 요소 기술을 소개하고 이를 통해 개발된 사례와 표준화 동향에 대하여 소개하고자 한다.
PFA 라이닝 밸브 (PFA Lined Valve)는 고온 (~120oC) 고압 (~10 bar)에서 강한 부식성을 갖은 화학물질 (염산, 황산, 질산 등)을 이송시킬 수 있도록 내식성, 비점착성, 내열성 향상을 위한 불소계 수지 PFA (Perfluoroalkoxy)가 밸브 내면부에 가공되어 있으며, 고순도 화학약품 및 반도체 LCD 석유화학 제철 제약 분야 등의 제조공정에서 사용되고 있다. 미국 EPA (Environmental Protection Agency)에서는 석유화학 플랜트에서 발생되는 비산배출 (fugitive emission)의 대부분인 60% 정도가 밸브에서 발생된다고 보고하고 있으며, 근래 빈번한 불산 노출사고 내용을 매스컴에서 접할 수 있는 것처럼 PFA 라이닝 밸브가 설치되는 산업현장에서는 미소 누설에도 치명적인 인명피해 사고가 발생하기 때문에 국제규격에 따른 PFA 라이닝 밸브의 기밀누설에 관한 규제 및 관리가 중요하다. 본 논문에서는 가압진공법을 이용하여 PFA 라이닝 볼밸브의 비산배출 측정하였으며, 작동횟수/온도변화에 따른 PFA 라이닝 볼밸브의 비산배출 특성을 고찰하였다.
Micro soldering 기술의 응용은 주로 전자제품에 이용되며, 특히 컴퓨터 정보 통신 기기의 집합.접속 기술의 중추적인 역할을 하고 있다. 아울러 이 분야는 일본, 미국이 선구적인 역할을 하고 있으며, 예를 들어 일본 전자산업의 1994년도 생산액이 앤 고의 열쇠에 불구하고 민생용.산업용 전자기기 및 전자 부품의 3부분에서 약 .yen.30조(250조원)에 달한 것으로 보면 그 규모 및 중요성을 알 수 있다. 이것은 기본 적으로 반도체의 집적도가 높아진것(LSI.rarw.VLSI.rarw.ULSI)과 아울러 소자를 접합 접속시키는 기술이 확보되었기 때문에 이루어진 결과라고 말할 수 있다. 따라서 본 기술 해설에서는 접합.접속 기술의 하나인 Micro soldering의 각종 프로세스 중에서 도 특히 기본이 되는 리플로우 프로세스(reflow process)를 중심으로 기술하였으며 아울러 신뢰성의 제반사항에 관하여 간략하게 기술하였다.
반도체기술의 발전에 따라 보다 정교한 리소그래피 기술이 요구되고 있으며, x-ray 리소그래피 기술이 다음 세대 리소그래피 기술로 활발히 연구되고 있다. 특히 최근 리소그래피 전용 compact synchrotron 등 관련분야 기술발전에 힘입어 x-ray 리소그래피는 막대한 초기투자에도 불구하고, 전체적으로는 경쟁력을 확보하는 수준에 이르렀으며, 실용화 가능성이 한층 높아졌다. 그러나 아직도 마스크 및 resist 등 해결하여야 할 문제가 많이 남아 있다. 본 고에서는 주로 '80년대 후반에 이루어진 x-ray 리소그래피 기술의 연구개발 현황을 정리하였다. 특히 미국, 일본, 유럽에서의 개괄적인 연구개발 현황과, 고출력 x-ray 광원으로서 실용화에 성큼 다가선 compact synchrotron의 개발현황, x-ray 리소그래피 기술의 핵심중의 하나인 x-ray 마스크 기술개발 현황 등을 중심으로 기술하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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