• Title/Summary/Keyword: 미국반도체

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GaN 전력소자 연구개발 동향 : RF 증폭기 및 전력반도체 응용

  • Mun, Jae-Gyeong;Kim, Seong-Bok;Kim, Hae-Cheon;Nam, Eun-Su;Park, Hyeong-Mu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2011.02a
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    • pp.46-46
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    • 2011
  • 본 논문에서는 전세계적으로 차세대 화합물반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전력소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 전반부에서는 미국, 유럽을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트등 RF 전력증폭기 연구개발 동향을, 후반부에서는 일본, 미국, 유럽에서 급속도로 진행되는 전력반도체 연구개발 동향에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향 분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

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Semiconductor Directions-The Principal Technology Driver-DRAMs (우리나라 반도체산업의 진로-기술의 원동력 DRAMs)

  • Lee, S.K.
    • Electronics and Telecommunications Trends
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    • v.8 no.2
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    • pp.14-31
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    • 1993
  • DRAM은 거의 20여년 동안 반도체산업의 기술 원동력이었으며, 앞으로도 10여년 이상은 계속 그러하리라고 본다. 우리나라의 반도체 산업은 주로 DRAM 부문에 집중되어 있다. '92년에 단일 품목으로 세계 반도체 시장의 약 25%를 점하였으며, 특히 미국에 대한 수출은 약 8억 5천만 달러에 이르는 등 우리나라 수출 및 전자산업에서 차지하는 비중은 대단히 높다. 세계적인 주요 반도체 대기업들은 상호동맹관계를 형성하거나 덤핑제소 등으로 우리의 능력을 약화시키려고 한다. 우리는 이러한 국제적 동향에 능동적이고 적극적으로 대처하여야 한다. 본고는 과기처 특정연구사업으로 미국측에 위탁과제로 수행하고 있는 내용 중에서 현재 세계 반도체산업의 기술추세 및 당면하고 있는 중요한 몇가지 문제점들을 살펴보고 우리가 취해야 할 몇가지 방향을 제시하였다.

GaN 전자소자 기술 연구개발 동향: 미국과 유럽을 중심으로

  • Mun, Jae-Gyeong;Im, Jong-Won;An, Ho-Gyun;Jang, U-Jin;Kim, Hae-Cheon;Nam, Eun-Su;Park, Hyeong-Mu
    • Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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    • 2010.08a
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    • pp.148-148
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    • 2010
  • GaN와 SiC 반도체는 band gap이 넓고 주파수 특성이 우수하여 미국, 유럽, 일본등 선진국에서는 기존의 GaAs나 InP에 이어 차세대 화합물 반도체 플랫폼(next generation compound semiconductor platform)으로서 연구개발 테마로 각광을 받고 있다. 미국의 경우 잘 알려진 국가 대형프로젝트인 WBGS-RF program (2003~2010, 7년)의 종료와 함께 새로운 NEXT program(2009~2014, 5년)을 지난 해 시작하였으며, 유럽은 KORRIGAN program (2005~2009, 5년)에서 연구개발된 기술에 대하여 후속인 MANGA program (2010~2014, 3.5년)을 통하여 GaN 반도체의 양산체제 구축을 위한 대형 연방 프로젝트를 시작하였다. 따라서 본 논문발표에서는 지난 10년 동안 그리고 향후 5년간 2014년까지 미국 국방성과 유럽연방 국방성에서 지원하고 있는 대형 국가 프로젝트인 GaN 전자소자 연구개발 프로그램과 연구개발 동향 분석을 통하여 대한민국이 나아가야 할 차세대 화합물 반도체 플랫폼인 GaN 전자소자의 연구개발 방향을 제시하고자 한다.

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System on Chip Policy of Major Nations (주요국의 시스템반도체 정책 및 시사점)

  • Chun, Hwang-Soo
    • Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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    • 2012.05a
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    • pp.747-749
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    • 2012
  • This paper is analyzing the SoC policy of major nations as the U.S, Japan, Europe, Taiwan, China and draw the suggestions for the development of semiconductor industry in Korea. SoC is the non-memory semiconductor to support and put into action the function of system. SoC is big market over the 200billion dollars and have a huge potential for new IT convergence market. Developed countries as the US, Japan, and Europe have enforced the industrial competitiveness by company investment and Taiwan supported the SoC Industry by government fund. Korea is No.1 superpower in DRAM semiconductor, but very weak in SoC Industry. We should secure the competitiveness of SoC Industry by the development of core technology, planning the growth policy, and building the cooperative model to leap the SoC power nation.

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