• Journal of Korean Electronics
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• v.3 no.2
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• pp.55-74
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• 1983

• Journal of Korean Electronics
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• v.4 no.6
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• pp.65-70
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• 1984

• Journal of Korean Electronics
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• v.5 no.9
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• pp.34-36
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• 1985

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
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• 2012.05a
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• pp.747-749
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• 2012

This paper is analyzing the SoC policy of major nations as the U.S, Japan, Europe, Taiwan, China and draw the suggestions for the development of semiconductor industry in Korea. SoC is the non-memory semiconductor to support and put into action the function of system. SoC is big market over the 200billion dollars and have a huge potential for new IT convergence market. Developed countries as the US, Japan, and Europe have enforced the industrial competitiveness by company investment and Taiwan supported the SoC Industry by government fund. Korea is No.1 superpower in DRAM semiconductor, but very weak in SoC Industry. We should secure the competitiveness of SoC Industry by the development of core technology, planning the growth policy, and building the cooperative model to leap the SoC power nation.

• Journal of Korean Electronics
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• v.1 no.10
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• pp.79-86
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• 1981

• Journal of Korean Electronics
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• v.1 no.8
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• pp.35-41
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• 1981

• The Science & Technology
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• v.29 no.10 s.329
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• pp.90-91
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• 1996

마이크로통신(주)는 핵심기술인 화합물반도체 개발에 성공, 지난 2~3년간의 '매출액 제로'라는 시련을 끝내고 세계시장 공략에 나섰다. 현재 직원 30여명이 전원 연구진으로 구성된 마이크로통신(주)는 칼륨아세나이드를 이용, 화합반도체를 개발하여 미국을 비롯한 세계시장에 출시하기 시작했다.

• The Magazine of the IEIE
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• v.19 no.6
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• pp.61-68
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• 1992

최근 우리나라의 세계 반도체 시장 점유율이 갈수록 높아지고 있다. DRAM과 같은 경우는 세계 2위 수출국으로 떠올랐다. 이에 따른 선진 외국의 무역 압력이 거세지고 있다. 특히 미국의 경우 미ㆍ일 반도체 협정 체결을 한국에까지 확산하려고 하며, 각종 기술에 대한 특허 제소를 하고 있다. 그러나 국내 반도체 산업은 DRAM부분에 집중되어 있어서 기술 집약적인 ASIC 부분은 취약하다. 또한 세계의 반도체 시장중에서 ASIC이 차지하고 있는 비중이 갈수록 커지는 현상에 미루어 보아 빠른 시일내에 ASIC 부분을 강화해야 할 필요성이 있다. 본고에서는 국내에 도입된 ASIC 설계 환경을 살펴본 후, 현재 추진되고 있는 새로운 ASIC 설계 환경을 고찰한다. 또한 ASIC 설계 환경에서 중요한 역할을 하는 ASIC CAD환경에 대하여 살펴보기로 한다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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• 2011.02a
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• pp.46-46
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• 2011

본 논문에서는 전세계적으로 차세대 화합물반도체 플랫폼으로 각광을 받고 있는 GaN 전력소자의 연구개발 동향에 관하여 발표하고자 한다. GaN 반도체는 와이드 밴드갭(Eg=3.4eV)과 고온 안정성($700^{\circ}C$)등 재료적인 특징으로 인하여 고출력 RF 전력증폭기와 고전력용 전력반도체 응용에 큰 장점을 가진다. 전반부에서는 미국, 유럽을 중심으로 한 대형 국책 연구프로젝트등 RF 전력증폭기 연구개발 동향을, 후반부에서는 일본, 미국, 유럽에서 급속도로 진행되는 전력반도체 연구개발 동향에 관하여 알아본다. 이러한 총체적인 동향 분석을 통하여 차세대 반도체의 신시장 개척과 선진입을 위한 GaN 반도체의 연구개발 방향과 상용화의 중요성을 함께 생각해보고자 한다.

• The Optical Journal
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• s.116
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• pp.85-89
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• 2008

미국, 일본, 독일을 중심으로 초대형 천체망원경, 고해상도 인공위성 카메라, 차세대 반도체 산업용 진공자외선 및 엑스선 노광기, 비구면 및 자유곡선 가공기와 측정기, 나노기술을 이용한 초소형 광학소자, 반도체 및 디스플레이 공정용 레이저 가공기술 등 첨단 산업용 원천 및 요소기술 개발에 집중하고 있다. 중국은 최근에 자국시장이 대폭 확대됨에 단순가공 수준이었던 광기술을 전략적으로 발전시키고 있으며, 자국시장을 기반으로 중급 광학소자 및 광학계 시장에서 고속성장이 기대된다.