• 에너지공학
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• 제3권1호
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• pp.44-53
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• 1994

STELF 기술의 핵심의 되는 IMPEX 블록의 잔류 공급률, 겉보기 밀도, 흑연의 혼합비 등 여러 가지 주요 변수가 블록의 특성에 미치는 영향을 조사하여 실제 반응기를 설계하는데 필요한 자료를 구하였다. 대표적인 염들에 대하여 물질전달 및 열전달 문제를 일으키지 않는 영역에서 최소의 부피를 갖는 값들을 계산하였고, 각각의 물질이 갖는 특정 전도도에서의 최대 냉방 및 난방 에너지 밀도를 계산하였다. 이로부터 얻은 값들을 8시간 동안 사용할 수 있는 6kW 냉방용 반응기 설계에 적용하여 본 결과 SrCL2-8/1 NH3가 최적의 염임을 확인하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.232-233
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• 2001

2차 비선형광학 물질이 높은 응용성을 갖기 위해서는 큰 2차 비선형광학 계수뿐만 아니라 넓은 파장 영역에 걸친 투명성을 가지고 있어야 한다. vinylidene fluoride(VDF)와 trifluoroethylene(TrFE)가 공중합된 f(VDf-TrFE) 공중합체는 이러한 조건을 갖추고 있는 강유전성 물질이다. 우리는 몰비율이 72：28인 P(VDF-TrFE)을 ITO기판위에 casting하고 corona 극화한 뒤, 두 개의 입력 파장(1064nm, 532nm)에 대한 2차 조화파 발생 실험을 실시하고 Herman과 Hayden의 마커무의 식을 이용하여 2차 비선형 광학 계수를 측정하였다. (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.349-349
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• 2013

질화물 기반 물질은 발광다이오드의 효율 향상과 함께 널리 연구되는 물질의 하나이다. 그러나, 고유의 물성적 특성으로 인한 압전전기장 효과는 넓은 가시광영역에서 궁극적 효율 달성을 위한 장애가 되고 있다. 이를 극복하기 위한 방법 중 하나는 나노 구조이며, 특히 비극성면을 통한 나노구조의 구현은 압전전기장 효과를 제거할 수 있는 장점이 있다. 그러나, 현재까지 이를 위한 질화물 나노로드의 구현은 보통의 경우 발생하는 반극성면의 발현으로 인해 기술적 어려움이 많았다. 이를 위해 제시되는 방법 중 하나인 반복적 성장 기법을 통한 본 그룹의 성공적 나노로드의 구현과 함께, nucleation 조건의 변화에 따른 성장 과정을 분석하여 미래의 고효율 3차원 나노구조 발광 소자를 위한 단서를 제공하고자 한다. Fig. 1은 수소(a)와 질소(b)를 850도부터 1,050도까지 성장 온도를 달리하여 성장했을 때의 모양 변화를 나타내며 이를 통한 GaN nanorod 성장 영향에 대하여 논하고자 한다.

• 대한전자공학회논문지
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• 제26권3호
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• pp.50-57
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• 1989

경계요소법을 이용하여 자기 박막 헤드의 자장을 계산하고, 자화 물질이 헤드 아래에 존재할때 헤드의 자장에 미치는 영향을 연구하였다. 3가지의 서로 다른 자화율을 갖는 영역에 대해서 경제요소법이 잘 적용됨을 보였으며, 헤드 아래의 자화 물질이 자속의 경로를 감소시키며 헤드 공극 사이의 자장을 증가시킴을 보았다.

• 천문학회보
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• 제36권1호
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• pp.42.2-42.2
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• 2011

2010년 10월 28일 근일점을 통과한 103P/Hartley 2 혜성의 분광학적 특징을 연구하고자 11월 6일과 11일 양일간 보현산 천문대의 고분산 에셀 분광기 BOES(R~30,000)로 관측을 하였다. 우리는 Hartley 2 혜성의 고분산 분광자료를 Hwang et al.(2009)의 Machholz(C/2004Q2)혜성 가시광 영역($4800{\sim}8100{\AA}$) 고분산 분광 자료와 비교 분석하였고 그 결과 C2, CN, NH2,H2O+의 방출선 뿐만 아니라 다수의 미확인 분광선을 발견하였다. 또한 발견된 미확인 분광선을 설명하기 위하여 향상된 NH2방출선과 OH 방출선 등의 후보 물질을 이용하여 미확인선의 원인 물질을 제시하고자 한다. 이 발표에서는 지금까지의 분석 결과를 소개한다.

• 한국정보처리학회:학술대회논문집
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• 한국정보처리학회 2003년도 춘계학술발표논문집 (상)
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• pp.405-408
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• 2003

영상의 구성물질에 따른 정확한 분할은 질병의 유무를 판단하는데 매우 중요하다. 그러나 영상에서 구성물질들을 정확하게 분할하기란 쉬운 문제가 아니다. 그리고 많은 연구들이 뇌의 실질적인 량을 고려하지 못한 상태서 분할이 이루어지고 있다. 따라서 뇌의 실질적인 량과 비교할 때 가장 근접한 방법 의 개발이 필요하다고 볼 수 있다. 본 논문은 fat을 소거한 T2 영상과 T1 영상을 이용하여 조직에 따르는 명암 분포가 각각 다르게 분포되어 있는 것을 이용하여 평활화한 후 두 영상의 차로 백질, 회백질, 뇌척수액을 분리하는 방법을 제안한다. 이 방법을 이용하여 정상이의 뇌 MR 영상 이용하여 (19 Slice) 백질, 회백질, 뇌척수액을 분리하는 방법을 제시하였다.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2000년도 하계학술발표회
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• pp.178-179
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• 2000

TiO$_2$는 비교적 큰 에너지 밴드 갭을 지닌 반도체 물질로서 가시광 영역에서 높은 굴절률과 화학적으로 매우 안정한 특성을 가지고 있으며, 유전체 다층 박막을 제작하는데 있어서 중요한 물질로써 사용되어져 왔다.$^{[1]}$ 또한 최근에는 TiO$_2$의 전기적, 광학적 특성과 광촉매 특성에 대하여 광범위하게 연구되어 지고 있다.$^{[2]}$ TiO$_2$는 일반적으로 rutile, anatase, brookite의 세 가지 결정형태가 있으며, 이들의 구조적 특성에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. TiO$_2$는 여러 가지 방법으로 박막을 조성할 수 있다.$^{[1]}$ (중략)

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.217-217
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• 2010

새로운 물질의 투명전극 제작을 위해 대향타겟식 스퍼터링 (Facing Targets Sputtering, FTS)법을 이용하여 유리 기판위에 AZO와 GZO 이종타겟을 사용하여 유리 기판 위에 GAZO 박막을 제작하였다. FTS는 두 타겟이 서로 마주보는 구조로 인해 서로 다른 종류의 타겟을 장착하여 새로운 물질의 박막을 제작하는데 있어 용이하고, 타겟 뒷면에 위치한 영구자석으로 인해 타겟으로부터 방출되는 2차 전자 등을 구속하여 고밀도 플라즈마를 형성함으로서 고품위 박막의 제작이 가능하다. 본 연구에서는 투입 전력에 따라 제작된 GAZO 박막의 전기적, 광학적 및 구조적 특성 변화를 살펴보았다. 특성 평가는 UV/VIS spectrometer, Hall measurement, X-ray diffractometer (XRD), Atomic Force Microscope (AFM), Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) 을 이용하여 분석하였다. 그 결과 제작된 GAZO 박막은 비저항 $4.3\;{\times}\;10^{-4}\l;{\Omega}-cm$, 가시광 영역에서 투과율 80% 이상을 나타내는 것으로 분석되었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.146-146
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• 2010

일반적인 MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)은 소스와 드레인의 형성을 위해서 불순물을 주입하고 고온의 열처리 과정을 거치게 된다. 이러한 고온의 열처리 과정 때문에 녹는점이 낮은 메탈게이트와 게이트 절연막으로의 high-k 물질의 사용에 제한을 받게된다. 이와 같은 문제점을 보완하기 위해서 소스와 드레인 영역에 불순물 주입공정 대신에 금속접합을 이용한 Schottky Barrier Tunnel Transistor (SBTT)가 제안되었다. SBTT는 $500^{\circ}C$ 이하의 저온에서 불순물 도핑없이 소스와 드레인의 형성이 가능하며 실리콘에 비해서 수십~수백배 낮은 면저항을 가지며, 단채널 효과를 효율적으로 제어할 수 있는 장점이 있다. 또한 고온공정에 치명적인 단점을 가지고 있는 high-k 물질의 적용 또한 가능케한다. 본 연구에서는 p-type SOI (Silicon-On-Insulator) 기판을 이용하여 Pt-silicide 소스와 드레인을 형성하고 전기적인 특성을 분석하였다. 또한 본 연구에서는 기존의 sidewall을 사용하지 않는 새로운 구조를 적용하여 메탈게이트의 사용을 최적화하였고 게이트 절연막으로써 실리콘 옥사이드를 스퍼터링을 이용하여 증착하였기 때문에 저온공정을 성공적으로 수행할 수 있었다. 이러한 게이트 절연막은 열적으로 형성시키지 않고도 70 mv/dec 대의 우수한 subthreshold swing 특성을 보이는 것을 확인하였고, $10^8$정도의 높은 on/off current ratio를 갖는 것을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제45회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.217.2-217.2
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• 2013

태양전지의 기본구조는 전면전극, 후면전극, 그리고 이들 사이에 위치하는 광흡수층으로 구성된다. 여기에 더하여 광흡수층에서 반사되거나 투과되는 빛 에너지의 손실을 줄이기 위해 윗면에는 반사방지막을, 아랫면에는 고반사막을 적용한다. 투명 태양전지의 경우 고반사막을 대신하여 선택적 투과막을 적용할 경우 변환효율을 향상 시킬 수 있다. 본 연구에서는 투명 태양전지의 구성물질로서 이용 가능한 선택적 투과 특성을 보이는 지르코니아 박막의 광학적 특성을 보고한다. RF magnetron sputtering 방식을 이용하여 지르코니아 박막을 증착하고 두께에 따른 광학적 특성 및 표면 형상 변화를 관찰하였다. 투과율 및 반사율을 측정한 결과 지르코니아 박막의 투과율은 400 nm 이상의 파장에서 약 85% 이상의 양호한 값을 나타내었다. 반사율은 평균적으로 적외선 영역에서 약 35%의 수치를 나타내었다. 이러한 광학적 특성으로부터 지르코니아 박막은 선택적 투과막으로 적합한 물질이라는 결론을 얻을 수 있다.